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제1 전극과, 상기 제1 전극 위에 자기조립되어 있는 분자 활성층과, 상기 분자 활성층을 덮는 유기 전극층과, 상기 유기 전극층 위에 형성된 금속 전극층을 포함하는 제2 전극으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
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제1항에 있어서, 상기 분자 활성층은 티올 유도체 또는 실란 유도체를 포함하는 화합물이 상기 티올 유도체 또는 실란 유도체를 정착기로 하여 상기 제1 전극에 자기조립 방식에 의해 선택적으로 결합되어 형성된 것임을 특징으로 하는 분자 전자 소자
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제1항에 있어서, 상기 분자 활성층은 단일의 분자층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
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제1항에 있어서, 상기 분자 활성층은 니트로페닐렌에티닐렌(nitrophenylene ethinylene) 티올기로 이루어진 화합물, 니트로페닐렌에티닐렌 실란기로 이루어진 화합물, 로즈벤갈 티올기로 이루어진 화합물, 로즈벤갈 실란기로 이루어진 화합물, 디니트로티오펜 그룹과 티올 유도체가 도입된 아미노벤젠 그룹을 가지는 아조 화합물, 디니트로티오펜 그룹과 실란 유도체가 도입된 아미노벤젠 그룹을 가지는 아조 화합물, 터피리딜기와 금속 원소가 결합된 유기금속-티올 유도체 화합물, 및 터피리딜기와 금속 원소가 결합된 유기금속-실란 유도체 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
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제5항에 있어서, 상기 금속 원소는 코발트, 니켈, 철 및 루쎄니움으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
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제1항에 있어서, 상기 유기 전극층은 TTF-TCNQ (tetrathiafulvalene-tetracyanoquinodimethane), BEDT-TTF (bis(ethylenedithio)tetrathiafulvalene), 올리고 티오펜, 펜타센, 퍼릴렌, 폴리아세틸렌 (polyacetylene), 폴리아닐린 (polyaniline emeraldine salt, PANI-ES), 폴리피롤 (PPy), 폴리페닐비닐 (PPV), 폴리파라페닐렌 (polyparaphenylene, PPP), 폴리(비닐피롤리돈) (poly(vinylpyrrolidone)), 폴리(알킬티오펜), 및 폴리(씨에닐렌비닐렌) (poly(thienylenevinylene))으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
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제1항에 있어서, 상기 제1 전극은 1종의 금속으로 이루어지는 단일 금속막, 또는 적어도 2종의 서로 다른 금속이 차례로 적층된 다중 금속막으로 이루어지는 금속막을 포함하는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
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제1항에 있어서, 상기 제2 전극의 금속 전극층은 1종의 금속으로 이루어지는 단일 금속막, 또는 적어도 2종의 서로 다른 금속이 차례로 적층된 다중 금속막으로 이루어지는 금속막을 포함하는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
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제1항에 있어서, 상기 제1 전극 및 제2 전극은 각각 금(Au), 백금(Pt), 은(Ag) 또는 크롬(Cr)으로 이루어지는 금속막을 포함하는 것을 특징으로 하로 하는 분자 전자 소자
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제1항에 있어서, 상기 제2 전극의 금속 전극층은 배리어막과 금속막의 적층 구조로 이루어지고, 상기 배리어막은 상기 유기 전극층의 바로 위에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
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제11항에 있어서, 상기 배리어막은 Ti로 이루어지고, 상기 금속막은 Au로 이루어지는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
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제1항에 있어서, 상기 분자 활성층은 상기 제1 전극과 상기 제2 전극과의 사이에 인가되는 전압에 따라 온 상태 및 오프 상태 사이에서 상호 스위칭 가능한 스위치 소자를 구성하는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
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제1항에 있어서, 상기 분자 활성층은 상기 제1 전극과 제2 전극과의 사이에 인가되는 전압에 따라 소정의 전기 신호를 저장하는 메모리 소자를 구성하는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
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