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제1 기판에 E-빔 리소그라피(E-beam lithography) 공정을 통해 패턴을 형성하는 단계; 및상기 제1 기판의 패턴을 나노임프린트 리소그라피(nanoimprint lithography:NIL)공정을 통해 몰드용 제2 기판에 전사하여 NIL 몰드(mold)를 완성하는 단계;를 포함하는 나노임프린트 몰드 제작 방법
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제1 항에 있어서,상기 제1 기판에 패턴 형성하는 단계는, 상기 제1 기판에 E-빔 레지스트를 도포하고 E-빔 리소그라피(E-beam lithography) 공정을 통해 E-빔 레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 E-빔 레지스트 패턴이 형성된 제1 기판에 포토 리소그라피(photo-lithography) 공정을 통해 포토 레지스트(photo resist:PR) 패턴을 형성하는 단계; 및상기 제1 기판의 E-빔 레지스트 패턴 및 PR 패턴을 이용하여 상기 제1 기판에 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 몰드 제작 방법
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제2 항에 있어서,상기 E-빔 리소그라피 공정을 통해 100nm 이하의 패턴을 형성하고,상기 포토 리소그라피 공정을 통해 100nm 이상의 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 몰드 제작 방법
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제2 항에 있어서,상기 E-빔 패턴과 상기 PR 패턴의 정확한 위치 조정을 위하여,상기 E-빔 레지스트 패턴 형성 단계 이전에 상기 제1 기판에 얼라인 키(align key)를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 몰드 제작 방법
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제4 항에 있어서,상기 얼라인 키는 상기 제1 기판에 포토 리소그라피 공정을 통해 형성하고, E-빔 얼라인 마크 및 포토 얼라인 마크를 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 몰드 제작 방법
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제2 항에 있어서,상기 E-빔 레지스터 및 포토 레지스트는 각각의 노광(exposure) 및 현상액에 서로 영향을 받지않는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 몰드 제작 방법
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제6 항에 있어서,상기 E-빔 레지스트는 하이드로겐실세스퀴옥산(hydrogen silsesquioxane:HSQ)로 형성된 것을 특징으로 하는 나노임프린트 몰드 제작 방법
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제7 항에 있어서,상기 E-빔 레지스트의 형성은 스핀 코팅(spin-coating) 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 몰드 제작 방법
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제8 항에 있어서,상기 E-빔 레지스트는 5000 rpm의 속도로 30 초간 수행하여 100nm 두께로 도포하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 몰드 제작 방법
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제8 항에 있어서,상기 E-빔 레지스트 패턴은 노광(exposure) 전에 150 ℃ 및 200 ℃ 에서 각각 2분간 프리베이킹(prebaking)하고 100 kV 및 100 pA 조건으로 E-빔을 조사한 후,불필요한 E-빔 레지스트 영역을 현상액(developer)으로 제거하는 것에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 몰드 제작 방법
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제 10 항에 있어서,상기 현상액은 수성 티엠에이에이치-계(aqueos TMAH-based) 현상액인 것을 특징으로 하는 나노임프린트 몰드 제작 방법
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제1 항에 있어서,상기 제1 기판은 실리콘(Si) 기판인 것을 특징으로 하는 나노임프린트 몰드 제작 방법
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제1 항에 있어서,상기 제2 기판은 유리(glass) 또는 석영(quarts) 기판인 것을 특징으로 하는 나노임프린트 몰드 제작 방법
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제1 항에 있어서,상기 NIL 공정은 열적(thermal) 방식 또는 자외선(UV) 방식을 이용하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 몰드 제작 방법
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제1 항에 있어서,상기 NIL 몰드는 NIL 공정을 통해 100 nm 이하의 미세패턴이 요구되는 소자의 패턴 형성에 이용되는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 몰드 제작 방법
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제15 항에 있어서,상기 제1 기판은 실리콘 기판이고 상기 제2 기판은 석영 기판이며, 상기 NIL 공정은 thermal 방식을 이용하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 몰드 제작 방법
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