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유기 발광 소자 및 그 제조방법과 화소 전극용 무기절연막 형성방법

  • 기술번호 : KST2015081312
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기발광소자 및 그 제조방법과 화소 전극용 무기절연막 형성방법에 관한 것으로, 본 유기발광소자의 제조방법은 플렉서블 가능한 기판상에 화소 전극을 형성하는 단계; 상기 화소 전극 상에 무기 절연막을 형성하는 단계; 상기 화소 전극이 노출되도록 상기 무기 절연막을 패터닝하는 단계; 상기 무기절연막이 노출된 상기 화소 전극 상에 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 발광층 상에 대향 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 기존의 발광소자에 비해 투습도, 투산소도를 높일 수도 있으며, 화학적 안정성을 증가시킬 수 있음으로 저온에서 절연막 상에 격벽을 형성할 때 절연막이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 유기발광소자, 무기 절연막, 원자층 증착법
Int. CL H05B 33/04 (2006.01) H05B 33/10 (2006.01)
CPC H01L 51/5253(2013.01) H01L 51/5253(2013.01) H01L 51/5253(2013.01) H01L 51/5253(2013.01)
출원번호/일자 1020060015362 (2006.02.17)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0750591-0000 (2007.08.13)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070820) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020050119110   |   2005.12.07
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.02.17)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박상희 대한민국 대전광역시 유성구
2 추혜용 대한민국 대전광역시 유성구
3 황치선 대한민국 대전 대덕구
4 이정익 대한민국 경기도 수원시 권선구
5 도이미 대한민국 대전광역시 유성구
6 양용석 대한민국 대전광역시 유성구
7 정승묵 대한민국 경기 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2006-0116421-50
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.09.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.10.16 수리 (Accepted) 9-1-2006-0063895-09
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.12.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0721713-58
5 의견서
Written Opinion		 2007.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2007-0086589-07
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.01.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0086569-94
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2007.06.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0309674-46
8 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2007.07.03 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2007-0027006-80
9 등록결정서
Decision to grant		 2007.08.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0435085-31
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
플렉서블 가능한 기판상에 화소 전극을 형성하는 단계;상기 기판과 상기 화소 전극 상에 무기 절연막인 알루미나 박막을 형성하는 단계;상기 화소 전극이 적어도 부분적으로 노출되도록 알루미나 박막을 패터닝하는 단계;상기 무기 절연막이 노출된 상기 화소 전극 상에 발광층을 형성하는 단계; 및상기 발광층 상에 대향 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기발광소자의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 알루미나 박막을 형성하는 단계에서는 원자층 증착법을 이용하는 유기발광소자의 제조방법
3 3
제2항에 있어서,상기 원자층 증착법을 이용하여 상기 알루미나 박막을 증착하는 경우, 상온에서부터 100℃의 온도 범위에서 증착하는 유기발광소자의 제조방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 알루미나 박막은 트리메칠 알루미늄(TMA)을 전구체로 사용하여 상기 원자증착법으로 형성되는 유기발광소자의 제조방법
5 5
제4항에 있어서,상기 알루미나 박막의 두께는 50nm ~ 100nm 범위에서 선택되어 형성되는 유기발광소자의 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 알루미나 박막을 패터닝하는 단계는 염기성 용액을 사용하여 상기 화소 전극 상에 형성된 상기 알루미나 박막을 식각하여 형성하는 유기발광소자의 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 알루미나 박막 상에 측벽을 형성하는 단계를 더 포함하는 유기 발광소자의 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 플렉서블 가능한 기판은 플라스틱 기판, 금속 기판 및 유리섬유 기판 중 하나를 이용하는 유기발광소자의 제조방법
9 9
플렉서블 가능한 기판상에 형성되는 화소 전극;상기 화소 전극을 노출시키며, 상기 기판과 상기 화소 전극 상에 형성되는 알루미나 박막;상기 화소 전극 상에 형성되는 발광층; 및상기 발광층 상에 형성되는 대향 전극을 포함하는 유기 발광소자
10 10
제9항에 있어서, 상기 알루미나 박막은 원자층 증착법으로 형성되는 유기 발광소자
11 11
제10항에 있어서, 상기 알루미나 박막은 TMA를 알루미늄 전구체로 사용하여 소정 두께로 형성되는 유기 발광소자
12 12
제10항에 있어서, 상기 노출된 화소 전극을 가리지 않으며 상기 알루미나 박막 상에 형성되는 측벽을 더 포함하는 유기발광소자
13 13
원자층 증착법을 이용하여 플렉서블 가능한 기판 상에 트리메칠 알루미늄을 전구체로 사용하며 50 ~ 100nm 두께 범위에서 형성되는 알루미나 박막을 이용하여 화소 전극용 무기절연막을 형성하는 방법
14 14
삭제
15 15
삭제
16 16
제13항에 있어서,상기 알루미나 박막은 상온에서부터 100℃의 온도에서 증착하는 화소 전극용 무기절연막을 형성하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.