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급격한 금속-절연체 전이를 하는 기판; 상기 기판 상에 전기전도도 및 열전도성이 좋은 페이스트로 코팅되거나 증착된 금속층을 포함하는 금속-절연체 전이를 하는 웨이퍼
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제1 항에 있어서, 상기 금속층은 Li, Be, C, Na, Mg, Al, K, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Rb, Sr, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In, Sn, Sb, Cs, Ba, La, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Ti, Pb, Bi, Po, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Th, U, Np, Pu, O 등의 원소들을 포함하거나 위 원소들로 구성된 다층박막 혹은 합금 혹은 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이를 하는 웨이퍼
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일면에 열적으로 불투명한 막이 덮이고, 급격한 금속-절연체 전이를 하는 웨이퍼에 열을 가하는 히터; 및상기 히터의 상면의 둘레를 따라서 형성되어, 상기 웨이퍼를 고정시키기 위한 복수개의 고정수단을 포함하는 금속-절연체 전이를 하는 웨이퍼의 열처리 장치
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제3항에 있어서, 상기 불투명한 막은 열을 흡수하여, 흡수된 열이 자체에 균일하게 전도되는 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이를 하는 웨이퍼의 열처리 장치
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제3항에 있어서, 상기 불투명한 막은 금속박막 또는 금속을 포함하는 페이스트로 이루어진 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이를 하는 웨이퍼의 열처리 장치
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제3항에 있어서, 상기 불투명한 막은 Li, Be, C, Na, Mg, Al, K, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Rb, Sr, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In, Sn, Sb, Cs, Ba, La, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Ti, Pb, Bi, Po, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Th, U, Np, Pu 및 이들의 합금 및 이들의 산화물로 이루어진 다층막인 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이를 하는 웨이퍼의 열처리 장치
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제3항에 있어서, 상기 고정수단은 상기 히터의 상면의 둘레에 고정되어 회전력에 의해 상하로 이동하는 나사형태의 몸체와 상기 회전력을 부여할 수 있는 손잡이로 이루어진 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이를 하는 웨이퍼의 열처리 장치
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제3항에 있어서, 상기 고정수단은 상기 히터의 상면의 둘레에 고정되며, 탄성력을 가지는 탄성체로 이루어진 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이를 하는 웨이퍼의 열처리 장치
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제3항에 있어서, 상기 웨이퍼는 급격한 금속-절연체 전이를 하는 물질은 반도체 원소(Ⅲ-Ⅴ족 화합물, Ⅱ-Ⅵ족 화합물), 전이금속원소, 희토류 원소 및 란탄계 원소를 적어도 하나를 포함하는 저농도의 정공이 첨가된 p형 무기물 화합물 반도체 및 절연체, 저농도의 정공이 첨가된 p형 유기물 반도체 및 절연체 또는 이들의 산화물인 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이를 하는 웨이퍼의 열처리 장치
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제3항에 있어서, 상기 웨이퍼는 바나듐산화물으로 이루어진 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이를 하는 웨이퍼의 열처리장치
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제3항에 있어서, 상기 히터는 상기 웨이퍼를 안착시키기 위하여 상면의 내측에 소정의 깊이만큼 리세스된 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이를 하는 웨이퍼의 열처리 장치
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제11항에 있어서, 상기 리세스된 영역은 상기 웨이퍼에서 발생하는 기체가 배출될 수 있도록 상기 리세스된 영역의 측벽과 상기 웨이퍼 사이에 공간이 형성될 정도의 직경을 가지는 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이를 하는 웨이퍼의 열처리 장치
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제3항에 있어서, 상기 히터와 상기 고정수단 사이에는 상기 웨이퍼의 가장자리를 따라 덮으면서, 상기 히터의 상면의 둘레를 따라 놓이는 링형태의 고정판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이를 하는 웨이퍼의 열처리 장치
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급격한 금속-절연체 전이를 하는 기판을 준비하는 단계;상기 기판의 일면에 열적으로 불투명한 막을 덮어 웨이퍼를 형성하는 단계;상기 불투명한 막이 노출되도록 상기 웨이퍼를 복수개의 고정수단을 이용하여 히터에 고정하는 단계; 및상기 웨이퍼에 열을 가하는 단계를 포함하는 금속-절연체 전이를 하는 웨이퍼의 열처리 방법
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제14항에 있어서, 상기 불투명한 막은 상기 웨이퍼의 일면에 금속박막을 증착하거나, 금속을 포함하는 페이스트를 코팅하여 형성하는 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이를 하는 웨이퍼의 열처리 방법
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제14항에 있어서, 상기 불투명한 막은 Li, Be, C, Na, Mg, Al, K, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Rb, Sr, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In, Sn, Sb, Cs, Ba, La, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Ti, Pb, Bi, Po, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Th, U, Np, Pu 및 이들의 합금 및 이들의 산화물로 이루어진 다층막인 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이를 하는 웨이퍼의 열처리 방법
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제14항에 있어서, 상기 기판은 급격한 금속-절연체 전이를 하는 물질은 반도체 원소(Ⅲ-Ⅴ족 화합물, Ⅱ-Ⅵ족 화합물), 전이금속원소, 희토류 원소 및 란탄계 원소를 적어도 하나를 포함하는 저농도의 정공이 첨가된 p형 무기물 화합물 반도체 및 절연체, 저농도의 정공이 첨가된 p형 유기물 반도체 및 절연체 또는 이들의 산화물인 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이를 하는 웨이퍼의 열처리 방법
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제14항에 있어서, 상기 열은 적외선에 의해 발생하는 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이를 하는 웨이퍼의 열처리 방법
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