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플라스틱 미세가열 시스템, 그 미세가열 시스템을 이용한랩온어칩, 및 그 미세가열 시스템의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015081427
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 공정, 특히 포토 리소그라피 공정을 이용할 수 있는 내열성 및 표면 편평도를 가지면서도 열 질량이 적은 플라스틱 구조체를 이용하여 형성된 미세가열 시스템, 그 미세가열 시스템을 이용한 랩온어칩 및 그 미세가열 시스템을 제조방법을 제공한다. 그 미세가열 시스템은 플라스틱(plastic) 필름 및 플라스틱 필름에 코팅된 내화학성 및 내열성의 박막을 구비한 플라스틱 구조체; 및 플라스틱 구조체 상에 형성된 미세 전극 및 가열기(heater)를 구비한 가열기부;를 포함한다. 본 발명의 미세가열 시스템은 플라스틱 필름에 무기 및/또는 유기물 박막을 코팅함으로써, 포토 리소그라피 공정을 통해 미세 전극, 가열기 및 온도 센서 등이 용이하게 형성될 수 있다.플라스틱 필름, 플라스틱 가열 시스템, 바이오 칩, 랩온어칩
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC B81B 7/0096(2013.01) B81B 7/0096(2013.01) B81B 7/0096(2013.01) B81B 7/0096(2013.01) B81B 7/0096(2013.01) B81B 7/0096(2013.01)
출원번호/일자 1020060035769 (2006.04.20)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0779083-0000 (2007.11.19)
공개번호/일자 10-2007-0061039 (2007.06.13) 문서열기
공고번호/일자 (20071127) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020050119526   |   2005.12.08
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.04.20)
심사청구항수 32

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이대식 대한민국 대전 유성구
2 정광효 대한민국 대전 유성구
3 김기현 대한민국 대전 서구
4 표현봉 대한민국 대전 유성구
5 최창억 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2006-0275957-49
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.03.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.04.11 수리 (Accepted) 9-1-2007-0019287-17
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0334030-40
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2007-0584706-01
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.08.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0584708-92
7 등록결정서
Decision to grant
2007.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0549479-12
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
플라스틱(plastic) 필름 및 상기 플라스틱 필름에 코팅된 내화학성 및 내열성의 박막을 구비한 플라스틱 구조체; 및상기 플라스틱 구조체 상에 형성된 미세 전극 및 가열기(heater)를 구비한 가열기부;를 포함하는 플라스틱 미세가열 시스템(micro heating system)
2 2
제1 항에 있어서,상기 플라스틱 구조체는 0
3 3
제1 항에 있어서,상기 가열기부에는 온도 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 미세가열 시스템
4 4
제1 항에 있어서,상기 박막은 무기물 박막 및 유기물 박막 중 적어도 하나의 박막인 것을 특징으로 하는 플라스틱 미세가열 시스템
5 5
제1 항에 있어서,상기 플라스틱 필름 및 상기 박막 사이에 도전성 박막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 미세가열 시스템(micro heating system)
6 6
제1 항에 있어서,상기 박막은 상기 플라스틱 필름 상면으로 코팅된 무기물 박막 및 상기 무기물 박막 상면과 상기 플라스틱 필름 하면으로 코팅된 유기물 박막인 것을 특징으로 하는 플라스틱 미세가열 시스템
7 7
제6 항에 있어서,상기 유기물 박막은 1 ~ 100 ㎛의 두께로 형성되고, 상기 무기물 박막은 1 ~ 100 ㎛ 의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 플라스틱 미세가열 시스템
8 8
제6 항에 있어서,상기 유기물 박막은 에폭시(epoxy)로 형성되고,상기 무기물 박막은 물유리(water glass)로 형성된 것을 특징으로 하는 플라스틱 미세가열 시스템
9 9
제6 항에 있어서,상기 유기물 박막 및 무기물 박막은 포토 리소그라피(photolithography) 공정에 내성을 가지며,열적 단열 특성을 가지는 것을 특징으로 하는 플라스틱 미세가열 시스템
10 10
제6 항에 있어서,상기 유기물 박막 및 무기물 박막은 스핀(spin) 코팅 또는 스프레이(spray) 코팅 방법으로 형성된 것을 특징으로 하는 플라스틱 미세가열 시스템
11 11
제10 항에 있어서,상기 유기물 박막 및 무기물 박막이 열처리되어 상기 플라스틱 구조체는 평탄화된 표면을 가지는 것을 특징으로 하는 플라스틱 미세가열 시스템
12 12
제1 항에 있어서,상기 가열기부는 상기 미세 전극 및 가열기를 덮는 전기 절연막을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 미세가열 시스템
13 13
제12 항에 있어서,상기 전기 절연막은 절연성의 금속 산화물 박막, 플라스틱 박막 및 절연성의 후막 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라스틱 미세가열 시스템
14 14
제12 항에 있어서,상기 미세 전극 상부의 상기 절연막의 일부가 식각되어 상기 미세 전극에 연결된 전극 패드가 형성된 것을 특징으로 하는 플라스틱 미세가열 시스템
15 15
제12 항에 있어서,상기 가열기 상부의 상기 절연막 상에 열 확산용 금속막이 형성된 것을 특징으로 하는 플라스틱 미세가열 시스템
16 16
제1 항에 있어서,상기 플라스틱 구조체는 상기 가열기 외곽으로 다수의 홀이 형성된 것을 특징으로 하는 플라스틱 미세가열 시스템
17 17
제1 항에 있어서,상기 미세가열 시스템은 랩온어칩(lap-on-a-chip)에 이용되는 것을 특징으로 하는 플라스틱 미세가열 시스템
18 18
제1 항의 미세가열 시스템; 및상기 미세가열 시스템에 접합된 랩온어칩(lap-on-a-chip)을 형성하는 상부 구조체;를 포함하는 미세가열 시스템을 이용한 랩온어칩
19 19
제18 항에 있어서,상기 랩온어칩은 미세반응 시스템이고,상기 상부 구조체는 반응 챔버 및 상기 반응 챔버에 연결된 유로(micro channel)가 형성된 적어도 하나의 기판인 것을 특징으로 하는 미세가열 시스템을 이용한 랩온어칩
20 20
제19 항에 있어서,상기 미세가열 시스템이 상기 상부 구조체 상부로 하나 더 접합되어 상기 반응 챔버를 밀폐하는 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 미세가열 시스템을 이용한 랩온어칩
21 21
플라스틱(plastic) 필름 및 상기 플라스틱 필름에 코팅된 내화학성 및 내열성의 박막을 구비한 플라스틱 구조체; 및상기 플라스틱 구조체 상에 형성된 마이크로 어레이(micro array) 자리:를 포함하는 마이크로 어레이
22 22
제21 항에 있어서,상기 마이크로 어레이 자리는 금속으로 형성되거나 상기 미세가열 시스템의 표면을 선택적으로 개질하여 형성된 것을 특징으로 하는 마이크로 어레이
23 23
제22 항에 있어서,상기 선택적 개질은 플라즈마 표면 처리 방법을 통해 이루어지고, 상기 개질된 어레이 자리에 탐침자(probe)가 선택적으로 배열될 수 있는 것을 특징으로 하는 마이크로 어레이
24 24
제23 항에 있어서,상기 탐침자는 DNA 또는 단백질의 바이오 분자인 것을 특징으로 하는 마이크로 어레이
25 25
플라스틱(plastic) 필름 상에 내화학성 및 내열성의 유기물 또는 무기물 박막을 코팅하여 플라스틱 구조체를 형성하는 단계;상기 플라스틱 구조체를 지지 기판에 고정하는 단계; 및상기 플라스틱 구조체 상에 미세 전극, 가열기를 포함하는 가열기부를 형성하는 단계;를 포함하는 플라스틱 미세가열 시스템의 제조방법
26 26
제25 항에 있어서,상기 가열기부는 포토 리소그라피(photolithography) 공정을 통해 형성하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 미세가열 시스템의 제조방법
27 27
제25 항에 있어서,상기 가열기부를 형성하는 단계는 상기 플라스틱 구조체에 전도성 박막을 형성하는 단계; 및상기 전도성 박막을 패터닝하여 상기 미세 전극 및 가열기를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 미세가열 시스템의 제조방법
28 28
제27 항에 있어서,상기 전도성 박막은 금속, 전도성 산화막 및 접착향상 박막(glue layer)을 포함하는 도전성 후막 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라스틱 미세가열 시스템의 제조방법
29 29
제27 항에 있어서,상기 가열기부를 형성하는 단계는 상기 미세 전극 및 가열기 형성단계 이후에 상기 미세 전극 및 가열기를 덮는 전기 절연막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 미세가열 시스템의 제조방법
30 30
제29 항에 있어서,상기 가열기부를 형성하는 단계는 상기 미세 전극 상부의 상기 전기 절연막 일부를 식각하여 전극 패드를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 미세가열 시스템의 제조방법
31 31
제29 항에 있어서,상기 가열기부를 형성하는 단계는 상기 가열기 상부의 절연막 상에 열 확산용 금속막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 미세가열 시스템의 제조방법
32 32
제29 항에 있어서,상기 가열기부를 형성하는 단계는 상기 가열기 외곽으로 다수의 관통 홀을 형성하는 단계를 포함하는 플라스틱 미세가열 시스템의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.