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가스 및 생화학물질 감지용 센서 제조 방법과 그 센서를포함하는 집적회로 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015081618
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 상온 ∼ 400 ℃의 온도 범위에서 제조 가능한 가스 및 생화학물질 감지용 센서 제조 방법과 그 센서를 포함하는 MOSFET 기반의 집적회로 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 집적 회로는 반도체 기판과, 상기 반도체 기판상에 형성되고 한 쌍의 전극과 상기 한 쌍의 전극 표면에 형성되어 있는 금속 산화물 나노 구조물층을 포함하는 가스 및 생화학물질 감지용 센서와, 금속 산화물 나노 구조물층의 감지 물질을 재사용할 수 있도록 열처리하기 위한 히터와, 센서 전극을 통해 흐르는 전류량 변화로부터 얻어지는 소정 신호를 처리하기 위한 MOSFET 소자로 이루어지는 신호처리부를 포함한다. 센서를 형성하기 위하여, 상온 ∼ 400 ℃의 온도하에서 한 쌍의 전극 표면에 금속 산화물 나노 구조물층을 형성한다. 금속 산화물, 센서, 가스, 생화학물질, MOSFET, 집적회로, 나노 구조
Int. CL G01N 27/12 (2011.01) B82Y 15/00 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020060083570 (2006.08.31)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0799577-0000 (2008.01.24)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080130) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.08.31)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
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대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2006-0631397-32
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.04.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.05.11 수리 (Accepted) 9-1-2007-0028470-88
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0336384-33
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2007-0540115-18
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.07.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0540116-53
7 등록결정서
Decision to grant
2007.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0694605-36
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
반도체 기판과, 상기 반도체 기판상의 제1 영역에 형성된 한 쌍의 전극과, 상기 한 쌍의 전극 표면에 형성되어 있는 금속 산화물 나노 구조물층을 포함하는 가스 및 생화학물질 감지용 센서와, 상기 반도체 기판상에서 상기 센서에 근접한 제2 영역에 형성되어 있는 히터와, 상기 센서의 한 쌍의 전극을 통해 흐르는 전류량 변화로부터 얻어지는 소정 신호를 처리하기 위하여, 상기 반도체 기판의 제3 영역에 형성되어 있는 MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) 소자로 이루어지는 신호처리부를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로
2 2
제1항에 있어서, 상기 금속 산화물 나노 구조물층은 아연 산화물, 인듐 산화물, 주석 산화물, 텅스텐 산화물, 또는 바나듐 산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 집적회로
3 3
제1항에 있어서, 상기 한 쌍의 전극은 Au, Cu, Ti, Ni, 또는 이들의 조합으로 이루어지는 다결정 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 집적회로
4 4
제1항에 있어서, 상기 한 쌍의 전극은 각각 Ni 및 Au의 적층 구조, Au 및 Cu의 적층 구조, 또는 Ti 및 Cu의 적층 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 집적회로
5 5
제1항에 있어서, 상기 히터는 n 채널 또는 p 채널 MOSFET으로 구성된 것을 특징으로 하는 집적회로
6 6
제1항에 있어서, 상기 히터는 띠 형상의 고융점 금속 패턴으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 집적회로
7 7
기판상에 복수의 MOSFET 소자를 형성하는 단계와, 상기 복수의 MOSFET 소자 위에 가스 및 생화학물질 감지용 센서를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 센서를 형성하는 단계는, 상기 복수의 MOSFET 소자 위에 패시베이션막을 형성하는 단계와, 상기 패시베이션막 위에 적어도 한 쌍의 전극을 형성하는 단계와, 상온 ∼ 400 ℃의 온도하에서 상기 한 쌍의 전극 표면에 금속 산화물 나노 구조물층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 제조 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 기판상에 복수의 MOSFET 소자를 형성하는 단계는 상기 센서의 한 쌍의 전극을 통해 흐르는 전류량 변화로부터 얻어지는 소정 신호를 처리하기 위한 신호 처리부를 구성하는 MOSFET 소자를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 제조 방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 기판상에 복수의 MOSFET 소자를 형성하는 단계는 상기 센서에 열을 공급하기 위한 히터를 구성하는 MOSFET 소자를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 제조 방법
10 10
기판상에 전극을 형성하는 단계와, 상온 ∼ 400 ℃의 온도하에서 상기 전극 표면에 금속 산화물 나노 구조물층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 및 생화학물질 감지용 센서 제조 방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 금속 산화물 나노 구조물층은 RF (radio-frequency) 스퍼터링 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 및 생화학물질 감지용 센서 제조 방법
12 12
제10항에 있어서, 상기 금속 산화물 나노 구조물층은 아연 산화물, 인듐 산화물, 주석 산화물, 텅스텐 산화물, 또는 바나듐 산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가스 및 생화학물질 감지용 센서 제조 방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 금속 산화물 나노 구조물층을 형성하는 단계에서는 p형 불순물로 도핑된 금속 산화물 나노 구조물층을 형성하는 것을 특징으로 하는 가스 및 생화학물질 감지용 센서 제조 방법
14 14
제12항에 있어서, 상기 금속 산화물 나노 구조물층을 형성하는 단계에서는 n형 불순물로 도핑된 금속 산화물 나노 구조물층을 형성하는 것을 특징으로 하는 가스 및 생화학물질 감지용 센서 제조 방법
15 15
제10항에 있어서, 상기 금속 산화물 나노 구조물층을 형성하는 단계는 ZnO 타겟(target)을 구비한 챔버 내에서 행해지고, 상기 금속 산화물 나노 구조물층을 형성하는 단계는 상기 챔버 내에 O2 및 Ar을 포함하는 분위기 가스를 공급하면서 행해지는 것을 특징으로 하는 가스 및 생화학물질 감지용 센서 제조 방법
16 16
제15항에 있어서, 상기 분위기 가스는 0
17 17
제10항에 있어서, 상기 전극은 다결정 도전 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가스 및 생화학물질 감지용 센서 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20080121946 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2008121946 US 미국 DOCDBFAMILY
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