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반도체 기판과, 상기 반도체 기판상의 제1 영역에 형성된 한 쌍의 전극과, 상기 한 쌍의 전극 표면에 형성되어 있는 금속 산화물 나노 구조물층을 포함하는 가스 및 생화학물질 감지용 센서와, 상기 반도체 기판상에서 상기 센서에 근접한 제2 영역에 형성되어 있는 히터와, 상기 센서의 한 쌍의 전극을 통해 흐르는 전류량 변화로부터 얻어지는 소정 신호를 처리하기 위하여, 상기 반도체 기판의 제3 영역에 형성되어 있는 MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) 소자로 이루어지는 신호처리부를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로
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제1항에 있어서, 상기 금속 산화물 나노 구조물층은 아연 산화물, 인듐 산화물, 주석 산화물, 텅스텐 산화물, 또는 바나듐 산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 집적회로
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제1항에 있어서, 상기 한 쌍의 전극은 Au, Cu, Ti, Ni, 또는 이들의 조합으로 이루어지는 다결정 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 집적회로
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제1항에 있어서, 상기 한 쌍의 전극은 각각 Ni 및 Au의 적층 구조, Au 및 Cu의 적층 구조, 또는 Ti 및 Cu의 적층 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 집적회로
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제1항에 있어서, 상기 히터는 n 채널 또는 p 채널 MOSFET으로 구성된 것을 특징으로 하는 집적회로
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제1항에 있어서, 상기 히터는 띠 형상의 고융점 금속 패턴으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 집적회로
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기판상에 복수의 MOSFET 소자를 형성하는 단계와, 상기 복수의 MOSFET 소자 위에 가스 및 생화학물질 감지용 센서를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 센서를 형성하는 단계는, 상기 복수의 MOSFET 소자 위에 패시베이션막을 형성하는 단계와, 상기 패시베이션막 위에 적어도 한 쌍의 전극을 형성하는 단계와, 상온 ∼ 400 ℃의 온도하에서 상기 한 쌍의 전극 표면에 금속 산화물 나노 구조물층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 기판상에 복수의 MOSFET 소자를 형성하는 단계는 상기 센서의 한 쌍의 전극을 통해 흐르는 전류량 변화로부터 얻어지는 소정 신호를 처리하기 위한 신호 처리부를 구성하는 MOSFET 소자를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 기판상에 복수의 MOSFET 소자를 형성하는 단계는 상기 센서에 열을 공급하기 위한 히터를 구성하는 MOSFET 소자를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 제조 방법
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10
기판상에 전극을 형성하는 단계와, 상온 ∼ 400 ℃의 온도하에서 상기 전극 표면에 금속 산화물 나노 구조물층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 및 생화학물질 감지용 센서 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 금속 산화물 나노 구조물층은 RF (radio-frequency) 스퍼터링 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 및 생화학물질 감지용 센서 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 금속 산화물 나노 구조물층은 아연 산화물, 인듐 산화물, 주석 산화물, 텅스텐 산화물, 또는 바나듐 산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가스 및 생화학물질 감지용 센서 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 금속 산화물 나노 구조물층을 형성하는 단계에서는 p형 불순물로 도핑된 금속 산화물 나노 구조물층을 형성하는 것을 특징으로 하는 가스 및 생화학물질 감지용 센서 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 금속 산화물 나노 구조물층을 형성하는 단계에서는 n형 불순물로 도핑된 금속 산화물 나노 구조물층을 형성하는 것을 특징으로 하는 가스 및 생화학물질 감지용 센서 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 금속 산화물 나노 구조물층을 형성하는 단계는 ZnO 타겟(target)을 구비한 챔버 내에서 행해지고, 상기 금속 산화물 나노 구조물층을 형성하는 단계는 상기 챔버 내에 O2 및 Ar을 포함하는 분위기 가스를 공급하면서 행해지는 것을 특징으로 하는 가스 및 생화학물질 감지용 센서 제조 방법
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제15항에 있어서, 상기 분위기 가스는 0
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제10항에 있어서, 상기 전극은 다결정 도전 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가스 및 생화학물질 감지용 센서 제조 방법
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