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도넛 형태의 촉매 금속층을 이용한 실리콘 나노튜브 제조방법

  • 기술번호 : KST2015081648
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 상에 비촉매 금속 아일랜드를 형성하고, 상기 비촉매 금속 아일랜드 주위를 둘러싸게 촉매 금속 도넛을 형성하고, 상기 촉매 금속 도넛 상에 실리콘 나노튜브를 성장시켜 실리콘 나노튜브를 제조한다. 본 발명은 촉매 금속 도넛을 이용하여 실리콘 나노튜브를 효과적으로 성장시킬 수 있다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020060053897 (2006.06.15)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0799570-0000 (2008.01.24)
공개번호/일자 10-2007-0119358 (2007.12.20) 문서열기
공고번호/일자 (20080131) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.06.15)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박래만 대한민국 대전 유성구
2 김상협 대한민국 대전 서구
3 맹성렬 대한민국 충북 청주시 흥덕구
4 박종혁 대한민국 대구 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2006-0419337-96
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.01.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.02.09 수리 (Accepted) 9-1-2007-0006849-73
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0362784-47
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.08.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0564210-09
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.08.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0564209-52
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0696060-00
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
기판 상에 비촉매 금속 아일랜드를 형성하고;상기 비촉매 금속 아일랜드 주위를 둘러싸게 촉매 금속 도넛을 형성하고; 및 상기 촉매 금속 도넛 상에 실리콘 나노튜브를 성장시키는 것을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노튜브 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 비촉매 금속 아일랜드는,상기 기판 상에 비촉매 금속층을 형성하고,상기 비촉매 금속층을 열처리하여 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노튜브 제조방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 비촉매 금속층은 크롬, 백금 또는 바나듐으로 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노튜브 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 비촉매 금속 아일랜드는,상기 기판 상에 비촉매 금속층을 형성하고,상기 비촉매 금속층을 건식식각하여 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노튜브 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 촉매 금속 도넛은,상기 비촉매 금속 아일랜드가 형성된 기판 상에 촉매 금속층을 형성하고,상기 촉매 금속층을 열처리하여 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노튜브 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 촉매 금속층은 니켈, 금, 아연 또는 철로 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노튜브 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 실리콘 나노튜브는 열 화학기상증착법에 의해 상기 촉매 금속 도넛과 실리콘 소스와의 반응에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노튜브 제조방법
8 8
기판 상에 비촉매 금속층을 형성하고;상기 비촉매 금속층을 열처리하여 상기 비촉매 금속층의 표면 에너지가 줄어 뭉쳐져 비촉매 금속 아일랜드를 형성하고;상기 비촉매 금속 아일랜드가 형성된 상기 기판 상에 촉매 금속층을 형성하고;상기 촉매 금속층을 열처리하여 상기 촉매 금속층의 표면 에너지를 줄여 상기 비촉매 금속 아일랜드 주위를 둘러싸게 촉매 금속 도넛을 형성하고; 및 상기 촉매 금속 도넛 상에서 상기 촉매 금속 도넛과 실리콘 소스와의 반응에 의해 실리콘 나노튜브를 성장시키는 것을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노튜브 제조방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 비촉매 금속층은 2 내지 10nm의 두께로 크롬, 백금 또는 바나듐으로 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노튜브 제조방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 촉매 금속층은 2 내지 10nm의 두께로 니켈, 금, 아연 또는 철로 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노튜브 제조방법
11 11
제9항에 있어서, 상기 실리콘 나노튜브는 열 화학기상증착법에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노튜브 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02027059 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 JP04866461 JP 일본 FAMILY
3 JP21539756 JP 일본 FAMILY
4 US08414974 US 미국 FAMILY
5 US20090123649 US 미국 FAMILY
6 WO2007145406 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP2027059 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP2027059 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 JP2009539756 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP2009539756 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP2009539756 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 JP4866461 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 US2009123649 US 미국 DOCDBFAMILY
8 US8414974 US 미국 DOCDBFAMILY
9 WO2007145406 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.