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반도체 기판;상기 반도체 기판 상에 배치된 절연체;상기 절연체 상에 배치된 제1의 도전형의 불순물로 도핑되고, 상부에 형성된 리세스된 홈에 의하여 적어도 둘 이상의 모서리를 갖는 제1 반도체층;상기 둘 이상의 모서리에 의하여 적어도 둘 이상의 에지 영역을 갖는, 상기 홈과 제1 반도체층 상의 일부를 덮는 게이트절연막; 및상기 게이트절연막의 상부면을 덮고, 상기 제1 도전형과 반대되는 제2 도전형으로 도핑된 제2 반도체층을 구비하고,상기 제1 및 제2 반도체층의 전체가 균일한 도핑농도로 도핑되거나 상기 제1 및 제2 반도체층이 부분적으로 다른 도핑농도로 도핑되는 것을 특징으로 하는 에지효과를 갖는 게이트절연막을 포함하는 광소자
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제1항에 있어서, 상기 광소자는 상기 게이트 절연막의 중심부위의 광모둠계수의 증가에 따른 굴절율(△n)의 변화에 의한 위상변화를 이용하는 것을 특징으로 에지효과를 갖는 게이트절연막을 포함하는 광소자
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제1항에 있어서, 상기 광소자는 상기 게이트 절연막의 중심부위의 광모둠계수의 증가에 따른 흡수율(△α)의 변화에 의한 광감쇄 효과를 이용하는 것을 특징으로 하는 에지효과를 갖는 게이트절연막을 포함하는 광소자
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제1항에 있어서, 상기 게이트절연막의 양측에 접하면서, 상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층 사이에 게재되어 전류를 차단하여 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에지효과를 갖는 게이트절연막을 포함하는 광소자
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제1항에 있어서, 상기 제2 반도체층의 상부에는 오믹접촉을 위하여 상기 제2 반도체층의 불순물 농도보다 더 높은 농도로 도핑된 적어도 하나의 오믹층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에지효과를 갖는 게이트절연막을 포함하는 광소자
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제1항에 있어서, 상기 게이트절연막의 굴절율은 인접하는 상기 제1 및 제2 반도체층의 굴절율보다 낮은 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 에지효과를 갖는 게이트절연막을 포함하는 광소자
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제1항에 있어서, 상기 게이트절연막은 상기 홈만큼 이격되어 배치된 제1 절연막과 상기 홈과 상기 제1 절연막 상에 형성된 제2 절연막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 에지효과를 갖는 게이트절연막을 포함하는 광소자
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제8항에 있어서, 상기 제1 및 제2 절연막은 동일한 물질 또는 서로 다른 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 에지효과를 갖는 게이트절연막을 포함하는 광소자
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제1항 또는 제9항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 SiO2, H2fO, SiNx, SiNxOy, 강유전체 물질 중에서 선택된 적어도 하나 또는 이들의 조합인 것을 특징으로 하는 에지효과를 갖는 게이트절연막을 포함하는 광소자
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제2항에 있어서, 상기 위상변화는 마흐-젠더 구조의 광변조기에 적용되는 것을 특징으로 하는 에지효과를 갖는 게이트절연막을 포함하는 광소자
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제2항에 있어서, 상기 위상변화는 마이켈슨 구조의 광변조기에 적용되는 것을 특징으로 하는 에지효과를 갖는 게이트절연막을 포함하는 광소자
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제2항에 있어서, 상기 위상변화는 링 공진기 구조의 광변조기에 적용되는 것을 특징으로 하는 에지효과를 갖는 게이트절연막을 포함하는 광소자
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제2항에 있어서, 상기 위상변화는 광 스위치에 적용되는 것을 특징으로 하는 에지효과를 갖는 게이트절연막을 포함하는 광소자
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제2항에 있어서, 상기 위상변화는 가변 광 필터에 적용되는 것을 특징으로 하는 에지효과를 갖는 게이트절연막을 포함하는 광소자
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제3항에 있어서, 상기 광 감쇄효과는 다채널 광세기 등화기에 적용되는 것을 특징으로 하는 에지효과를 갖는 게이트절연막을 포함하는 광소자
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