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하부 클래드층, 실리콘 코어 및 상부 클래드층으로 이루어지는 광도파로가 복수개 배열된 실리콘 어레이 광도파로를 구비하는 실리콘 어레이 도파로 그레이팅 소자에 있어서,상기 실리콘 코어는 온도에 따른 굴절률 변화가 양의 값을 갖고 상기 상부 클래드층은 온도에 따른 굴절률 변화가 상기 실리콘 코어와 반대인 음의 값을 갖는 폴리머로 이루어지고, 상기 실리콘 코어의 단면적을 상기 광도파로의 각 영역별로 다르게 구성하여 상기 광도파로의 온도에 따른 유효 굴절률 변화를 조절하는 것을 특징으로 하는 실리콘 어레이 도파로 그레이팅 소자
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제1항에 있어서, 상기 폴리머로 이루어진 상부 클래드층은 상기 광도파로 전체에 형성되거나, 상기 광도파로 별로 각각 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 실리콘 어레이 도파로 그레이팅 소자
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3
제1항에 있어서, 상기 광도파로의 각 영역은 광이 직선으로 전파하는 직선부와, 광이 곡선으로 전파하는 곡선부로 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 어레이 도파로 그레이팅 소자
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제1항에 있어서, 상기 실리콘 코어는 온도에 따른 굴절률 변화가 양의 값인 0
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제1항에 있어서, 상기 실리콘 코어의 단면적은 상기 실리콘 코어의 가로 길이(폭)로 조절하는 것을 특징으로 하는 실리콘 어레이 도파로 그레이팅 소자
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6
하부 클래드층, 실리콘 코어 및 상부 클래드층으로 이루어지는 광도파로가 복수개 배열된 실리콘 어레이 광도파로를 구비하는 실리콘 어레이 도파로 그레이팅 소자에 있어서,상기 실리콘 코어는 온도에 따른 굴절률 변화가 양의 값을 갖고 상기 상부 클래드층은 온도에 따른 굴절률 변화가 상기 실리콘 코어와 반대인 음의 값을 갖는 폴리머로 이루어지고, 상기 실리콘 코어는 단면적이 제1 값인 제1 부분과 단면적이 제1 값보다 작은 제2 값을 갖는 제2 부분으로 이루어지고, 상기 제1 부분의 광도파로를 진행하는 광모드는 상기 실리콘 코어에 한정되고, 상기 제2 부분의 광도파로를 진행하는 광모드는 상기 상부 클래드층 및 하부 클래드층으로 확장되어 상기 광도파로의 온도에 따른 유효 굴절률 변화를 상기 상부 클래드층에 의하여 조절하는 것을 특징으로 하는 실리콘 어레이 도파로 그레이팅 소자
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7
제6항에 있어서, 상기 실리콘 코어의 단면적은 상기 실리콘 코어의 가로 길이(폭)로 조절하는 것을 특징으로 하는 실리콘 어레이 도파로 그레이팅 소자
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8
하부 클래드층, 실리콘 코어 및 상부 클래드층으로 이루어지는 광도파로가 복수개 배열된 실리콘 어레이 광도파로를 구비하는 실리콘 어레이 도파로 그레이팅 소자에 있어서,상기 실리콘 코어는 온도에 따른 굴절률 변화가 양의 값을 갖고 상기 상부 클래드층은 온도에 따른 굴절률 변화가 상기 실리콘 코어와 반대인 음의 값을 갖는 폴리머로 이루어지고, 상기 광도파로는 광이 직선으로 전파하는 직선부와 상기 직선부와 연결되고 광이 곡선으로 전파하는 곡선부로 이루어지고, 상기 광도파로의 직선부의 실리콘 코어의 단면적을 상기 곡선부의 실리콘 코어의 면적보다 작게 구성하여 상기 광도파로의 온도에 따른 유효 굴절률 변화를 상기 실리콘 코어에 의한 영향보다 상기 상부 클래드층에 의한 영향을 크게 하여 상기 광도파로의 온도 의존성을 억제시키는 것을 실리콘 어레이 도파로 그레이팅 소자
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9
제8항에 있어서, 상기 실리콘 코어의 단면적은 상기 실리콘 코어의 가로 길이(폭)로 조절하는 것을 특징으로 하는 실리콘 어레이 도파로 그레이팅 소자
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10
제1항, 제6항 및 제8항 중의 어느 하나의 항에 있어서, 입력 도파로와, 상기 입력 도파로와 연결된 제1 커플러와, 상기 제1 커플러와 연결된 상기 실리콘 어레이 광도파로와, 상기 실리콘 어레이 광도파로와 연결된 제2 커플러와, 상기 제2 커플러와 연결된 출력 도파로를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 어레이 도파로 그레이팅 소자
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