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제1 차동 입력 트랜지스터를 통해 차동쌍 입력전압을 입력받아 기본 트랜스컨덕턴스를 출력하는 제1 트랜스컨덕터부; 및상기 기본 트랜스컨덕턴스의 선형성을 보상하여 최종 트랜스컨덕턴스의 선형 범위를 확장시키기 위한 왜곡 트랜스컨덕턴스를 생성하기 위하여 상기 제1 차동 입력 트랜지스터와 병렬 접속된 제2 차동 입력 트랜지스터를 통해 상기 차동쌍 입력전압을 입력받는 제2 트랜스컨덕터부를 포함하는 트라이오드 영역형 트랜스컨덕터 회로
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제 1 항에 있어서, 상기 제2 트랜스컨덕터는 상기 제1 차동 입력 트랜지스터와 각각 병렬 접속된 복수 개의 상기 제2 차동 입력 트랜지스터를 포함하는 트라이오드 영역형 트랜스컨덕터 회로
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제 1 항에 있어서, 상기 제2 트랜스컨덕터부는 상기 제1 차동 입력 트랜지스터의 드레인 단자와 상기 제2 차동 입력 트랜지스터의 드레인 단자 사이에서 직렬 접속된 한쌍의 저항 수단을 더 포함하는 트라이오드 영역형 트랜스컨덕터 회로
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제 1 항에 있어서, 상기 제2 트랜스컨덕터부는 상기 제2 차동 입력 트랜지스터의 소스 단자와 접지전압원 사이에서 직렬 접속된 한쌍의 저항 수단을 더 포함하는 트라이오드 영역형 트랜스컨덕터 회로
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제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 저항 수단은 수동 저항 소자 또는 능동 저항 소자인 트라이오드 영역형 트랜스컨덕터 회로
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제 5 항에 있어서, 상기 능동 저항 소자는 모스 트랜지스터로 이루어진 트라이오드 영역형 트랜스컨덕터 회로
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제 6 항에 있어서, 상기 모스 트랜지스터는 밴드갭 바이어스 회로로부터 제공되는 바이어스 전압에 의해 동작되는 트라이오드 영역형 트랜스컨덕턴스 회로
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제 6 항에 있어서, 상기 모스 트랜지스터는 NMOS 트랜지스터로 이루어지며, 상기 NMOS 트랜지스터는 전원전압원으로부터 공급되는 전원전압에 의해 동작되는 트라이오드 영역형 트랜스컨덕턴스 회로
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제 6 항에 있어서, 상기 모스 트랜지스터는 PMOS 트랜지스터로 이루어지며, 상기 PMOS 트랜지스터는 접지전압원으로부터 공급되는 접지전압에 의해 동작되는 트라이오드 영역형 트랜스컨덕턴스 회로
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제 6 항에 있어서, 상기 모스 트랜지스터는 저항값의 오차를 감소시키기 위해 장채널길이를 갖고, 상기 제2 차동 입력 트랜지스터는 기생 커패시터 성분이나 동작 주파수 제한을 고려하여 상기 모스 트랜지스터보다 단채널길이를 갖는 트라이오드 영역형 트랜스컨덕턴스 회로
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제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 저항 수단을 통해 흐르는 전류를 결정하기 위하여 상기 제2 차동 입력 트랜지스터의 크기(W/L) 비를 다르게 하거나, 상기 저항 수단의 저항값을 서로 다르게 하는 트라이오드 영역형 트랜스컨덕터 회로
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제 1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 차동 입력 트랜지스터는 트라이오드 영역에서 동작하는 트라이오드 영역형 트랜스컨덕터 회로
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제 1 항에 있어서,상기 제1 트랜스컨덕터부는 상기 제1 차동 입력 트랜지스터의 드레인-소스 전압을 일정하게 유지하기 위한 캐스코드 회로를 더 포함하는 트라이오드 영역형 트랜스컨덕터 회로
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제 11 항에 있어서,상기 캐스코드 회로는, 소스 단자가 상기 제1 차동 입력 트랜지스터의 드레인 단자와 연결되고, 드레인 단자가 출력단자와 연결된 모스 트랜지스터; 및제1 입력단이 상기 제1 차동 입력 트랜지스터의 드레인 단자와 연결되고, 출력단이 상기 모스 트랜지스터의 게이트와 연결되며, 제2 입력단으로 기준전압을 입력받아 상기 제1 입력단으로 입력된 전압과 상기 기준전압에 따라 상기 모스 트랜지스터의 동작을 제어하는 증폭기를 포함하는 트라이오드 영역형 트랜스컨덕터 회로
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제 14 항에 있어서,상기 제1 트랜스컨덕턴스는 상기 모스 트랜지스터의 드레인 단자로 일정한 전류를 공급하기 위한 전류원을 더 포함하는 트라이오드 영역형 트랜스컨덕터 회로
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제 14 항에 있어서,상기 제1 트랜스컨덕턴스는 상기 전류원을 제어하여 상기 출력단자를 공통 모드로 유지시키는 공통 모드 증폭기를 더 포함하는 트라이오드 영역형 트랜스컨덕터 회로
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