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기판 상에 전자빔의 발산 또는 집속의 선택에 따라 그 설치면적이 정해지는 캐소드 전극을 형성하는 단계;상기 캐소드 전극에 전기적으로 접속되는 에미터를 형성하는 단계;상기 기판에 접합되는 절연체 층과, 상기 절연체 층에 설치되며 상기 에미터에 대응하는 개구부, 및 상기 절연체 층의 일면에 설치되는 게이트 전극을 구비한 절연체 기판을 준비하는 단계; 및상기 캐소드 전극 및 상기 에미터가 구비된 상기 기판에 상기 절연체 기판을 접합하는 단계를 포함하며,상기 캐소드 전극을 형성하는 단계는,상기 전자빔의 집속 선택시 상기 캐소드 전극의 폭을 상기 개구부의 폭보다 넓게 형성하는 단계와, 상기 전자빔의 발산 선택시 상기 캐소드 전극의 폭을 상기 개구부의 폭보다 작게 형성하는 단계를 포함하는 전계 방출 장치의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 캐소드 전극의 폭이 상기 개구부의 폭보다 작게 형성된 경우,상기 에미터의 폭을 상기 작아진 캐소드 전극의 폭에 상응하여 작게 형성하는 단계를 더 포함하는 전계 방출 장치의 제조방법
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기판 상에 캐소드 전극을 형성하는 단계;상기 기판 상의 동일면 상에 상기 캐소드 전극과 인접하게 보조 전극을 형성하는 단계;상기 캐소드 전극에 접속되는 에미터를 형성하는 단계;상기 기판에 접합되는 절연체 층과, 상기 절연체 층에 설치되며 상기 에미터에 대응하는 개구부 및 상기 절연체 층의 일면에 설치된 게이트 전극을 구비한 절연체 기판을 준비하는 단계; 및상기 캐소드 전극 및 상기 에미터가 구비된 상기 기판에 상기 절연체 기판을 접합하는 단계를 포함하는 전계 방출 장치의 제조방법
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제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 절연체 기판과 대향 대치되는 또 다른 기판 상에 애노드 전극 및 형광체를 형성하고, 상기 대향 배치되는 두 기판 사이에 스페이서를 끼워 진공 접합하는 단계를 추가적으로 포함하는 전계 방출 장치의 제조방법
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배면 기판 상에 위치하며 소정 형태로 패터닝된 캐소드 전극;상기 캐소드 전극이 설치된 동일면 상에서 상기 캐소드 전극과 절연되며 상기 캐소드 전극에 인접하게 설치되는 보조 전극;상기 캐소드 전극 및 상기 보조 전극이 구비된 상기 배면 기판을 덮는 절연체 층;상기 절연체 층 위에 위치하며 게이트 홀을 구비하는 게이트 전극; 및상기 게이트 홀에 대응하는 상기 절연체 층의 개구부 내에 위치하며 상기 캐소드 전극에 접속되는 에미터를 포함하는 전계 방출 장치
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제 6 항에 있어서, 상기 보조 전극의 높이는 상기 캐소드 전극의 높이 이하인 전계 방출 장치
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제 6 항에 있어서, 상기 보조 전극에는 상기 캐소드 전극보다 낮은 전압 또는 네거티브 전압이 인가되는 전계 방출 장치
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제 6 항에 있어서, 상기 보조 전극에는 상기 캐소드 전극보다 높은 전압이 인가되는 전계 방출 장치
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제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 개구부의 폭은 상기 절연체 층의 높이와 같거나 작은 전계 방출 장치
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제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 에미터는 카본계 물질 또는 나노미터 사이즈 물질로 이루어지는 전계 방출 장치
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제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배면 기판에 대향 배치되는 전면 기판과, 상기 전면 기판 상에 위치하는 애노드 전극 및 형광체를 추가적으로 포함하는 전계 방출 장치
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