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양자점 레이저 다이오드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015081801
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 양자점 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 양자점 레이저 다이오드는 InP 기판 상에 형성되는 제1 클래드층; 상기 제1 클래드층 상에 형성되는 제1 격자정합층; 상기 제1 격자정합층 상에 형성되며, 교번 성장법에 따라 성장한 In(Ga, Al)As 양자점 또는 In(Ga, Al, P)As 양자점으로 이루어진 양자점층을 하나이상 포함하는 활성층; 상기 활성층상에 형성되는 제2 격자정합층; 상기 제2 격자정합층 상에 형성되는 제2 클래드층; 및 상기 제2 클래드층 상에 형성되는 오믹콘택층을 포함한다. 이에 따라, 교번 성장법으로 형성된 양자점을 활성층으로 이용함으로써, 양자점의 균일도가 좋아 발광 피크의 반치 폭이 좁고 발광 피크의 세기가 현저히 증가할 수 있어, 소자 특성을 향상시킬 수 있다. 교번 성장법, 양자점, 레이저 다이오드
Int. CL H01S 5/30 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020060056212 (2006.06.22)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0750508-0000 (2007.08.13)
공개번호/일자 10-2007-0059871 (2007.06.12) 문서열기
공고번호/일자 (20070820) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020050118136   |   2005.12.06
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.06.22)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진수 대한민국 대전 서구
2 이진홍 대한민국 대전 유성구
3 홍성의 대한민국 대전 중구
4 곽호상 대한민국 충남 천안시
5 최병석 대한민국 대전 서구
6 오대곤 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인성 엔프라 주식회사 인천광역시 서구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2006-0440387-51
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.04.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.05.10 수리 (Accepted) 9-1-2007-0026921-21
4 등록결정서
Decision to grant		 2007.08.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0430401-16
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
InP 기판 상에 형성되는 제1 클래드층;상기 제1 클래드층 상에 형성되는 제1 격자정합층;상기 제1 격자정합층 상에 형성되며, 교번 성장법에 따라 성장한 In(Ga, Al)As 양자점 또는 In(Ga, Al, P)As 양자점으로 이루어진 양자점층을 하나이상 포함하는 활성층; 상기 활성층상에 형성되는 제2 격자정합층;상기 제2 격자정합층 상에 형성되는 제2 클래드층; 및상기 제2 클래드층 상에 형성되는 오믹콘택층을 포함하는 양자점 레이저 다이오드
2 2
제1항에 있어서, 상기 양자점층을 복수 개 적층하는 경우, 상기 양자점층 간에 형성되는 장벽층을 더 포함하는 양자점 레이저 다이오드
3 3
제2항에 있어서,상기 In(Ga, Al)As 양자점은 격자 부정합이 상대적으로 큰 물질층인 In(Ga)As 물질층과 InAl(Ga)As 물질층을 순차적으로 교번 증착하여 형성되는 양자점 레이저 다이오드
4 4
제2항에 있어서, 상기 In(Ga, Al, P)As 양자점은 격자 부정합이 상대적으로 큰 물질층인 In(Ga)As 물질층과 In(Ga,Al,As)P 물질층을 순차적으로 교번 증착하여 형성되는 양자점 레이저 다이오드
5 5
제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 교번 증착시 사용되는 In(Ga)As 물질층과 InAl(Ga)As 물질층, 또는 In(Ga)As 물질층과 In(Ga,Al,As)P 물질층의 두께는 각각 1 모노레이어(monolayer)에서 10 모노레이어 범위인 양자점 레이저 다이오드
6 6
제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 교번 증착시 사용되는 In(Ga)As 물질층과 InAl(Ga)As 물질층, 또는 In(Ga)As 물질층과 In(Ga,Al,As)P 물질층의 교번 증착 주기는 10 내지 100주기인 양자점 레이저 다이오드
7 7
제2항에 있어서,상기 제1 격자 정합층, 상기 제2 격자 정합층 및 상기 장벽층은 InAl(Ga)As, In(Ga,Al,As)P 또는 이들의 조합으로 구성된 이종 접합 구조(SCH-structure)인 양자점 레이저 다이오드
8 8
제7항에 있어서, 상기 이종 접합 구조는 웨이브가이드형태가 스핀 인덱스(Spin Index, SPIN) SCH 구조인 양자점 레이저 다이오드
9 9
제8항에 있어서, 상기 SPIN SCH 구조 내에 양자우물의 형태를 삽입하여 상기 양자점(quantum Dot in a quantum WELL, DWELL)을 대칭적으로 또는 비대칭적으로 둘러싸는 양자점 레이저 다이오드
10 10
제7항에 있어서, 상기 이종 접합 구조는 웨이브가이드형태가 그레이디드 인덱스(Graded Index, GRIN) SCH　구조인 양자점 레이저 다이오드
11 11
제10항에 있어서, 상기 GRIN SCH 구조 내에 양자우물의 형태를 삽입하여 상기 양자점을 대칭적으로 또는 비대칭적으로 둘러싸는 양자점 레이저 다이오드
12 12
InP 기판상에 제1 클래드층을 형성하는 단계;상기 제1 클래드층 상에 제1 격자정합층을 형성하는 단계;상기 제1 격자정합층 상에, 교번 성장법을 이용하여 성장한 In(Ga, Al)As 양자점 및 In(Ga, Al, P)As 양자점으로 이루어진 양자점층을 하나이상 포함하는 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층상에 제2 격자정합층을 형성하는 단계;상기 제2 격자정합층 상에 제2 클래드층을 형성하는 단계; 및상기 제2 클래드층 상에 오믹콘택층을 형성하는 단계를 포함하는 양자점 레이저 다이오드의 제조방법
13 13
제12항에 있어서,상기 활성층을 형성하는 단계에서 상기 양자점층이 복수 개 적층되는 경우, 상기 양자점층 간에 장벽층을 형성하는 단계를 더 포함하는 양자점 레이저 다이오드 제조방법
14 14
제13항에 있어서,상기 In(Ga, Al)As 양자점은 격자 부정합이 상대적으로 큰 물질층인 In(Ga)As 물질층과, InAl(Ga)As 물질층을 순차적으로 교번 증착하여 형성하는 양자점 레이저 다이오드의 제조방법
15 15
제13항에 있어서,상기 In(Ga, Al, P)As 양자점은 격자 부정합이 상대적으로 큰 물질층인 In(Ga)As 물질층과, In(Ga,Al,As)P 물질층을 순차적으로 교번 증착하여 형성하는 양자점 레이저 다이오드의 제조방법
16 16
제14항 또는 제15항에 있어서, 상기 교번 증착 단계에서는, 유기금속화학증착법 (MOCVD), 분자선증착법 (MBE) 및 화학선 증착법 (CBE) 중 어느 하나의 방법을 이용하는 양자점 레이저 다이오드의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20100260223 US 미국 FAMILY
2 US20110165716 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2010260223 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2011165716 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.