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반도체기판;상기 반도체기판의 일측면에 형성되어 다중가스와 반응하여 전기적인 저항의 변화를 유발하도록, 나노(nano) 크기의 감지물질을 포함하는 감지막; 상기 반도체기판과 상기 감지막 사이의 절연막 내에서 상기 감지막의 전면을 커버하도록 배치되어 상기 감지막의 온도를 조절하는 미소가열기; 상기 감지막의 양측에 접촉하며, 상기 저항의 변화를 감지하는 감지전극 및 상기 미소가열기의 상부, 하부 또는 양측으로 상기 절연막 내부에 배치된 도전성 지지대를 포함하는 다중가스 감지센서
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제1항에 있어서, 상기 감지물질은 카본나노 튜브, 전도성 고분자, 나노 입자 및 나노 와이어 중에서 선택된 적어도 하나 이상인 것을 특징으로 하는 다중가스 감지센서
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제2항에 있어서, 상기 감지막은 상기 감지물질의 집합체이거나 상기 감지물질과 바인더의 결합체인 것을 특징으로 하는 다중가스 감지센서
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제1항에 있어서, 상기 감지전극은 Au, Ag 또는 Al으로 이루어진 단층막 또는 복합막인 것을 특징으로 하는 다중가스 감지센서
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제1항에 있어서, 상기 감지전극은 깍지를 낀 형태인 것을 특징으로 하는 다중가스 감지센서
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제1항에 있어서, 상기 미소가열기의 하부의 상기 반도체기판은 제거된 것을 특징으로 하는 다중가스 감지센서
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반도체기판의 일측면에 형성되고 나노(nano) 크기의 감지물질을 포함하는 감지막을 준비하는 단계;상기 반도체기판과 상기 감지막 사이에 절연되어 상기 감지막의 전면이 포함되도록 배치된 미소가열기에 의해 상기 감지막의 온도를 조절하는 단계;상기 감지막과 다중가스를 반응시켜 전기적인 저항의 변화를 유발하는 단계; 및상기 감지막의 양측에 접촉된 감지전극에 의해 상기 저항의 값과 상기 저항변화의 폭을 감지하는 단계를 포함하되, 상기 감지막의 온도를 조절하는 단계는 상기 감지막이 펄스파(pulse wave) 또는 사인파(sine wave) 형태의 온도 변화를 갖도록 온도를 조절하는 것을 포함하는 다중가스 감지방법
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제7항에 있어서, 상기 사인파 형태의 온도 변화에 따라 감지된 저항변화를 온도 변화 주파수에 대한 저항변화로 변환하는 단계; 및 상기 주파수에 대한 저항값을 공기의 저항값으로 노멀라이징하는 단계를 더 포함하는 다중가스 감지방법
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제7항에 있어서, 상기 저항은 0
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제7항에 있어서, 상기 온도는 상온 내지 200℃의 범위에서 조절되는 것을 특징으로 하는 다중가스 감지방법
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제8항에 있어서, 상기 노멀라이징된 형태를 사전에 확보된 참조형태와 비교하여 상기 다중가스의 종류를 확인하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다중가스 감지방법
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