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염료감응 태양전지 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015081879
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 전극에 형성된 반도체 산화물층의 노출 표면 및 전도성 기판의 노출 표면에 각각 절연층이 형성된 염료감응 태양전지 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 염료감응 태양전지는 상호 대향하는 반도체 전극 및 대향 전극과, 이들 사이에 개재되어 있는 전해질 용액을 포함한다. 반도체 전극은 전도성 기판과, 전도성 기판 위에 형성된 반도체 산화물층과, 반도체 산화물층의 표면에 흡착되어 있는 염료 분자층과, 염료 분자층을 통해 노출되는 반도체 산화물층의 표면과 전도성 기판의 표면에 각각 형성되어 있는 절연층을 포함한다. 절연층은 반도체 산화물층의 표면과 전도성 기판의 표면에 각각 화학 결합에 의해 자기조립되어 있는 자기조립 유기층으로 이루어질 수 있다. 염료감응, 태양전지, 자기조립, 반도체 산화물, 전해질
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020060096412 (2006.09.29)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0825731-0000 (2008.04.22)
공개번호/일자 10-2008-0029597 (2008.04.03) 문서열기
공고번호/일자 (20080429) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.09.29)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전용석 대한민국 대전 유성구
2 강만구 대한민국 대전 유성구
3 김종대 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2006-0718113-56
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.07.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.08.14 수리 (Accepted) 9-1-2007-0049254-69
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0573236-32
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.12.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0920173-58
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2007-0920171-67
7 등록결정서
Decision to grant		 2008.03.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0128694-48
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
상호 대향하는 반도체 전극 및 대향 전극과, 이들 사이에 개재되어 있는 전해질 용액을 포함하고, 상기 반도체 전극은전도성 기판과, 상기 전도성 기판 위에 형성된 반도체 산화물층과, 상기 반도체 산화물층의 표면에 흡착되어 있는 염료 분자층과, 상기 염료 분자층을 통해 노출되는 상기 반도체 산화물층의 표면과 상기 전도성 기판의 표면에 각각 형성되어 있는 절연성 유기물로 이루어지는 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
2 2
제1항에 있어서, 상기 절연층은 상기 염료 분자층을 통해 노출되는 상기 반도체 산화물층의 표면과 상기 전도성 기판의 표면에 각각 화학 결합에 의해 자기조립되어 있는 절연성 유기물로 구성되는 자기조립 유기층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양 전지
3 3
제2항에 있어서, 상기 자기조립 유기층은 실란 화합물, 인산 화합물, 황산 화합물, 및 카르복실산 (carboxylic acid) 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 화합물이 지기조립된 분자층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
4 4
제2항에 있어서, 상기 자기조립 유기층은 R1SiHR2R3, R1SiXR2R3 (X는 Cl, Br 또는 I), 및 R1SiRR2R3 (R은 메톡시, 에톡시 또는 t-부톡시)로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 구조(R1, R2 및 R3는 각각 불소로 치환 또는 비치환된 C1 ∼ C24의 알칸, 알켄 또는 알킨)를 가지는 실란 화합물이 지기조립된 분자층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
5 5
제2항에 있어서, 상기 자기조립 유기층은 PR1R2R3R4 (R1, R2, R3 및 R4는 각각 불소로 치환 또는 비치환된 C1 ∼ C24의 알칸, 알켄 또는 알킨이고, R1, R2, R3 및 R4 중 적어도 하나는 -OH 또는 -O)의 구조를 가지는 인산 화합물이 지기조립된 분자층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
6 6
제2항에 있어서, 상기 자기조립 유기층은 SR1R2R3R4 (R1, R2, R3 및 R4는 각각 불소로 치환 또는 비치환된 C1 ∼ C24의 알칸, 알켄 또는 알킨이고, R1, R2, R3 및 R4 중 적어도 하나는 -OH 또는 -O)의 구조를 가지는 황산 화합물이 지기조립된 분자층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태앙전지
7 7
제2항에 있어서, 상기 자기조립 유기층은 R1COOH 또는 R2COO- (R1 및 R2는 각각 불소로 치환 또는 비치환된 C1 ∼ C24의 알칸, 알켄 또는 알킨)의 구조를 가지는 카르복실산 화합물이 자기조립된 분자층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태앙전지
8 8
제1항에 있어서, 상기 전도성 기판은 ITO(indium tin oxide), FTO (fluorine-doped tin oxide), 또는 표면에 SnO2가 코팅되어 있는 유리 기판으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
9 9
제1항에 있어서, 상기 염료 분자층은 루테늄 착체(錯體)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
10 10
제1항에 있어서, 상기 반도체 산화물층은 이산화티탄(TiO2), 이산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO), 또는 이들의 조합으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
11 11
제1항에 있어서, 상기 대향 전극은 전도성 기판과, 상기 전도성 기판 위에 코팅되어 있는 금속층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
12 12
반도체 전극을 형성하는 단계와, 대향 전극을 형성하는 단계와, 상기 반도체 전극과 대향 전극을 상호 대향하도록 정렬하는 단계와, 상기 반도체 전극과 상기 대향 전극과의 사이에 전해질 용액을 주입하는 단계를 포함하고, 상기 반도체 전극을 형성하는 단계는전도성 기판 위에 반도체 산화물층을 형성하는 단계와, 상기 반도체 산화물층의 표면에 염료 분자층을 흡착시키는 단계와, 상기 염료 분자층을 통해 노출되는 상기 반도체 산화물층의 표면과 상기 전도성 기판의 표면에 각각 절연층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 절연층을 형성하기 위하여 상기 염료 분자층을 통해 노출되는 상기 반도체 산화물층의 표면과 상기 전도성 기판의 표면에 각각 화학 결합에 의해 자기조립된 자기조립 유기층을 형성하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 자기조립 유기층을 형성하기 위하여 실란 화합물, 인산 화합물, 황산 화합물, 및 카르복실산 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 화합물이 용해된 소수성 유기 용매 내에 상기 염료 분자층이 형성된 결과물을 딥핑(dipping)하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법
15 15
제13항에 있어서, 상기 자기조립 유기층을 형성하기 위하여 상기 염료 분자층이 형성된 결과물의 표면에 실란 화합물, 인산 화합물, 황산 화합물, 및 카르복실산 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 화합물을 기체 상태로 공급하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법
16 16
제13항에 있어서, 상기 자기조립 유기층을 형성하는 단계는 대기 보다 건조한 분위기 하에서 행해지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101154691 CN 중국 FAMILY
2 EP01906417 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP01906417 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 JP20091339 JP 일본 FAMILY
5 US20080078443 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101154691 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 EP1906417 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 EP1906417 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 JP2008091339 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US2008078443 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.