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몸체의 일측에 홀을 갖는 단일의 실리콘 기판으로 이루어지는 캔티레버 암 지지부; 및 상기 실리콘 기판의 윗면에 지지되면서 상기 홀에 대응되게 팁을 갖는 스트레스가 완화된 실리콘 질화층, 및 상기 실리콘 질화층 상에 형성되고 상기 팁 상부에 어퍼쳐가 형성된 금속층으로 이루어지는 캔티레버 암을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 근접장 탐침
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제1항에 있어서, 상기 실리콘 질화층의 하부에는 실리콘 산화층을 더 구비하여 상기 실리콘 질화층과 상기 실리콘 산화층의 이중층, 및 금속층으로 상기 캔티레버 암을 구성하는 것을 특징으로 하는 근접장 탐침
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제1항에 있어서, 상기 팁은 원추형이나 포물선형인 것을 특징으로 하는 근접장 탐침
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몸체의 일측에 홀을 갖는 단일의 실리콘 기판으로 이루어지는 캔티레버 암 지지부; 및 상기 실리콘 기판의 윗면에 지지되면서 상기 홀에 대응되게 원추형이나 포물선형의 팁을 갖는 실리콘 산화층과, 상기 실리콘 산화층 상에 형성된 스트레스가 완화된 실리콘 질화층과, 상기 실리콘 질화층 상에 형성되고 상기 팁 상부에 어퍼쳐가 형성된 금속층으로 이루어지는 캔티레버 암을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 근접장 탐침
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단일의 실리콘 기판의 윗면에 팁 구조물을 형성하는 단계;상기 팁 구조물을 포함하는 실리콘 기판을 산화시켜 상기 팁 구조물의 외부 표면 및 실리콘 기판 상에 실리콘 산화층을 형성하는 단계;상기 실리콘 산화층 상에 캔티레버를 이루는 스트레스가 완화된 실리콘 질화층을 형성하는 단계;상기 팁 구조물에 대응하지 않는 상기 실리콘 기판의 배면에 식각 마스크층을 형성하는 단계;상기 식각 마스크층을 마스크로 상기 실리콘 기판을 구성하는 실리콘층, 팁 구조물 내의 실리콘층을 식각하여 상기 실리콘 산화층을 노출하는 홀과 팁을 형성하는 단계; 및 상기 실리콘 질화층 상에서 상기 팁의 상부에 어퍼쳐를 갖는 금속층을 형성하는 단계를 포함하여, 상기 실리콘 기판의 윗면에 지지되면서 상기 홀에 대응되게 팁을 갖는 실리콘 산화층, 상기 실리콘 산화층 상에 형성된 실리콘 질화층 및 상기 팁 상부에 어퍼쳐가 형성된 금속층으로 이루어지는 캔티레버 암을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 근접장 탐침 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 실리콘 기판을 구성하는 실리콘층 및 팁 구조물 내의 실리콘층을 식각할 때 상기 실리콘 산화층도 식각하여 상기 실리콘 질화층을 노출하는 홀과 팁을 형성하는 단계를 포함하여, 상기 실리콘 기판의 윗면에 지지되면서 상기 홀에 대응되게 팁을 갖는 실리콘 질화층 및 상기 팁 상부에 어퍼쳐가 형성된 금속층으로 이루어지는 캔티레버 암을 구성하는 것을 특징으로 하는 근접장 탐침 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 팁 구조물은 상기 실리콘 기판의 일부분에 실리콘 질화층 패턴을 형성하고, 상기 실리콘 질화층 패턴을 마스크로 상기 실리콘 기판을 습식 식각하여 원추형이나 포물선형으로 형성하는 것을 특징으로 하는 근접장 탐침 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 실리콘 기판의 배면에 형성되는 식각 마스크층은 실리콘 산화층이나, 실리콘 산화층 및 실리콘 질화층의 이중층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 근접장 탐침 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 어퍼쳐는 상기 실리콘 질화층 상에 금속층을 형성한 후, 상기 팁 상부의 금속층에 FIB를 이용한 밀링법으로 나노미터의 크기로 형성하는 것을 특징으로 하는 근접장 탐침 제조방법
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