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이미지 센서 및 이미지 센서의 트랜스퍼 트랜지스터 구동방법

  • 기술번호 : KST2015081922
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 일반적인 4-트랜지스터 씨모스 이미지센서에 있어서 기존의 방법과는 달리 픽셀내의 트랜스퍼 트랜지스터가 리셋 및 트랜스퍼 동작시 핀치오프 조건에서 동작하도록 구동조건 또는 픽셀구조를 변경함으로써 트랜스퍼 트랜지스터의 동작조건 변화 및 픽셀간 특성의 불일치에 의해 발생하는 암전류 및 고정 패턴(fixed pattern) 잡음을 감소시키는 것을 목적으로 한다.상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 이미지 센서는, 포토다이오드에서 생성된 광 유발 전하를 전달하기 위한 트랜스퍼 트랜지스터를 포함하는 감광 픽셀; 및 상기트랜스퍼 트랜지스터가 유사 핀치-오프 모드로 동작하도록, 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 턴온 구간의 일부 또는 전부의 구간 동안, 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트에 가해지는 턴온 전위를 상기 플로팅 확산 노드 전위와 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 문턱전위를 더한 값보다 낮게 제어하는 센싱 전위차 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.CMOS, CIS, 이미지 센서, 핀치-오프, 트랜스퍼 트랜지스터
Int. CL H01L 27/146 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020060098889 (2006.10.11)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0877691-0000 (2008.12.31)
공개번호/일자 10-2007-0061328 (2007.06.13) 문서열기
공고번호/일자 (20090109) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020050119493   |   2005.12.08
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020080065038;
심사청구여부/일자 Y (2006.10.11)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 민봉기 대한민국 대전광역시 유성구
2 김미진 대한민국 대전광역시 서구
3 송영주 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2006-0734271-26
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0519883-07
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0852007-69
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.11.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0852016-70
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2008.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0167597-76
6 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2008.05.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2008-0021115-53
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.06.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0321094-92
8 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2008.07.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0485613-43
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.07.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0485538-16
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.07.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0485549-18
11 등록결정서
Decision to grant		 2008.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0649050-97
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
포토 다이오드; 및상기 포토 다이오드에서 생성된 광유발 전하를 플로팅 확산 노드로 전달하기 위한 트랜스퍼 트랜지스터를 포함하며,상기 트랜스퍼 트랜지스터의 턴온 구간의 일부 또는 전부의 구간 동안, 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 채널 전위를 상기 플로팅 확산 노드의 전위보다 낮게 제어하여, 상기 플로팅 확산 노드와 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 채널을 공핍영역으로 분리하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
2 2
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3 3
제1항에 있어서, 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트에 가해지는 턴온 전위를 상기 플로팅 확산 노드 전위와 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 문턱전위를 더한 값보다 낮게 제어하는 센싱 전위차 제어부를 더 포함하는 이미지 센서
4 4
제3항에 있어서, 상기 센싱 전위차 제어부는,상기 트랜스퍼 트랜지스터의 턴온 구간의 일부 또는 전부의 구간 동안, 전원전위보다 낮은 유사 핀치-오프 전위를 가지는 스위칭 신호를 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트에 인가하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
5 5
제4항에 있어서, 상기 유사 핀치-오프 전위는,전원전위보다 200mV 낮은 값부터 전원전위의 절반 값 사이의 레벨을 가지는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
6 6
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7 7
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8 8
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9 9
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10 10
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11 11
제1항, 제3항, 제4항 및 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 트랜스퍼 트랜지스터는,게이트 옥사이드 아래의 일부 또는 전부에 홀 축적을 일으킬 수 있는 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
12 12
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13 13
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14 14
제11항에 있어서, 상기 트랜스퍼 트랜지스터는,포토다이오드의 표면 p타입 영역 및 포토다이오드에서 확산 노드로의 전하 전송 채널 사이에 형성되며, 포토다이오드의 표면 p타입 영역과 다른 도핑 패턴을 가지는 p타입 도핑부;상기 p타입 도핑부 및 상기 전하 전송 채널 상부에 위치하는 게이트 옥사이드; 및상기 게이트 옥사이드 상부에 위치하는 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP01958260 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 JP05329230 JP 일본 FAMILY
3 JP21518850 JP 일본 FAMILY
4 KR100895064 KR 대한민국 FAMILY
5 US07671315 US 미국 FAMILY
6 US07906753 US 미국 FAMILY
7 US07935918 US 미국 FAMILY
8 US08415603 US 미국 FAMILY
9 US20070145239 US 미국 FAMILY
10 US20100079178 US 미국 FAMILY
11 US20100079662 US 미국 FAMILY
12 US20100110258 US 미국 FAMILY
13 WO2007066996 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP1958260 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP1958260 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 JP2009518850 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP2009518850 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP2009518850 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 JP5329230 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 KR100895064 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
8 KR20080071951 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
9 US2007145239 US 미국 DOCDBFAMILY
10 US2010079178 US 미국 DOCDBFAMILY
11 US2010079662 US 미국 DOCDBFAMILY
12 US2010110258 US 미국 DOCDBFAMILY
13 US7671315 US 미국 DOCDBFAMILY
14 US7906753 US 미국 DOCDBFAMILY
15 US7935918 US 미국 DOCDBFAMILY
16 US8415603 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.