기술이전플랫폼 Tech-Bridge-이전대상기술

맞춤기술찾기

홈으로 가기

맞춤기술찾기

이전대상기술

프린트하기

이전대상기술

쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 및 그 제조방법

기술번호 : KST2015081936
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

상담신청 PDF 받기

상세정보
공개전문
공고전문
등록사항
통합행정정보
기술정보
과제정보
관련기술
심판사항

서지정보
인명정보
행정처리
청구항
지정국
패밀리정보
국가R&D 연구정보

이전 슬라이드 보기 다음 슬라이드 보기

요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 단채널 효과를 억제하면서 단순한 구조를 갖는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 실리콘 기판 상의 채널영역 상에 형성되어 상기 실리콘 기판과 쇼트키 접합을 형성하는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극의 양측으로 노출되는 상기 실리콘 기판 내에 형성된 소오스 및 드레인 영역을 포함하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터를 제공한다.쇼트키 장벽 관통 트랜지스터, 쇼트키 접합, 금속실리사이드
Int. CL	H01L 21/338 (2006.01) H01L 27/095 (2006.01)
CPC
출원번호/일자	1020060118986 (2006.11.29)
출원인	한국전자통신연구원
등록번호/일자	10-0770012-0000 (2007.10.18)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20071025) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2006.11.29)
심사청구항수	18

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	장문규	대한민국	대전 유성구
2	김약연	대한민국	대전 중구
3	최철종	대한민국	대전 유성구
4	전명심	대한민국	대전 유성구
5	김태엽	대한민국	서울 은평구
6	이성재	대한민국	대전 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	신성특허법인(유한)	대한민국	서울특별시 송파구 중대로 *, ID타워 *호 (가락동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2006.11.29	수리 (Accepted)	1-1-2006-0884569-55
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2007.07.05	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2007.08.14	수리 (Accepted)	9-1-2007-0049461-14
4	등록결정서 Decision to grant	2007.09.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0525325-38
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.08.04	수리 (Accepted)	4-1-2009-5150899-36
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 실리콘 기판의 채널영역 상에 형성되어 상기 실리콘 기판과 쇼트키 접합을 형성하는 게이트 전극; 및상기 게이트 전극의 양측으로 노출되는 상기 실리콘 기판 내에 형성된 소오스 및 드레인 영역을 포함하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 게이트 전극은 전이금속 또는 희토류금속으로 이루어진 금속막으로 형성되거나, 상기 금속막과 상기 실리콘 기판이 결합된 금속실리사이드로 형성된 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 소오스 및 드레인 영역은 금속실리사이드로 형성된 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터
4	4 제 1 항에 있어서, 상기 소오스 및 드레인 영역은 전이금속 또는 희토류금속으로 이루어진 금속막과 상기 실리콘 기판이 결합된 금속실리사이드로 형성된 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터
5	5 제 1 항에 있어서, 상기 실리콘 기판은 SOI(Silicon On Insulator) 기판 또는 벌크 기판으로 형성된 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터
6	6 제 5 항에 있어서, 상기 SOI 기판은, 기계적인 지지를 위한 지지기판;상기 지지기판 상에 형성된 매립 산화층; 및상기 매립 산화층 상에 형성된 실리콘층을 포함하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터
7	7 제 6 항에 있어서, 상기 소오스 및 드레인 영역은 저부가 상기 매립 산화층의 상부에 닿도록 형성된 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터
8	8 제 1 항에 있어서, 상기 게이트 전극의 양측벽에 형성된 스페이서를 더 포함하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터
9	9 제 8 항에 있어서, 상기 소오스 및 드레인 영역은 상기 스페이서에 의해 정렬되어 상기 기판 내에 형성된 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터
10	10 실리콘 기판의 채널영역 상에 상기 실리콘 기판과 쇼트키 접합을 이루는 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극의 양측벽에 스페이서를 형성하는 단계; 및상기 스페이서의 양측으로 노출되는 상기 실리콘 기판 내에 소오스 및 드레인 영역을 형성하는 단계를 포함하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 제조방법
11	11 제 10 항에 있어서, 상기 게이트 전극을 형성하는 단계는,상기 실리콘 기판 상에 금속막을 증착하는 단계; 및상기 채널영역 상에만 잔류되도록 상기 금속막을 식각하는 단계를 포함하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 제조방법
12	12 제 11 항에 있어서, 상기 금속막을 식각하는 단계 후, 열처리 공정을 실시하여 잔류되는 금속막과 상기 실리콘 기판을 반응시켜 금속실리사이드를 형성하는 단계를 더 포함하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 제조방법
13	13 제 12 항에 있어서, 상기 금속실리사이드를 형성하는 단계 후, 상기 잔류된 금속막 중 상기 실리콘 기판과 반응하지 않는 금속막을 제거하는 단계를 더 포함하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 제조방법
14	14 제 11 항에 있어서, 상기 소오스 및 드레인 영역을 형성하는 단계는, 상기 스페이서를 포함하는 상기 기판 상에 금속막을 증착하는 단계; 및열처리 공정을 실시하여 상기 금속막과 상기 실리콘 기판을 반응시켜 금속실리사이드를 형성하는 단계를 포함하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 제조방법
15	15 제 14 항에 있어서, 상기 금속실리사이드를 형성하는 단계 후, 상기 금속막 중 상기 실리콘 기판과 반응하지 않는 금속막을 제거하는 단계를 더 포함하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 제조방법
16	16 제 10 항에 있어서, 상기 실리콘 기판은 SOI(Silicon On Insulator) 기판 또는 벌크 기판으로 이루어진 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 제조방법
17	17 제 16 항에 있어서, 상기 SOI 기판은, 기계적인 지지를 위한 지지기판;상기 지지기판 상에 형성된 매립 산화층; 및상기 매립 산화층 상에 형성된 실리콘층을 포함하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 제조방법
18	18 제 17 항에 있어서, 상기 소오스 및 드레인 영역을 형성하는 단계는 저부가 상기 매립 산화층의 상부에 닿도록 형성하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 제조방법

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US07863121	US	미국	FAMILY
2	US20080121868	US	미국	FAMILY
3	US20110068326	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US2008121868	US	미국	DOCDBFAMILY
2	US2011068326	US	미국	DOCDBFAMILY
3	US7863121	US	미국	DOCDBFAMILY

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-0770012-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20061129 출원 번호 : 1020060118986 공고 연월일 : 20071025 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20070928 청구범위의 항수 : 18 유별 : H01L 21/338 발명의 명칭 : 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20111019

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	526,500 원	2007년 10월 19일	납입
제 4 년분	금 액	436,000 원	2010년 10월 01일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2006.11.29	수리 (Accepted)	1-1-2006-0884569-55
2	선행기술조사의뢰서	2007.07.05	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2007.08.14	수리 (Accepted)	9-1-2007-0049461-14
4	등록결정서	2007.09.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0525325-38
5	출원인정보변경(경정)신고서	2009.08.04	수리 (Accepted)	4-1-2009-5150899-36
6	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44


과제고유번호	1350013603
세부과제번호	06ZB1200
연구과제명	정보통신미래신기술연구사업
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	과학기술부
연구주관기관명	한국전자통신연구원
성과제출연도	2006
연구기간	200601~200612
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)


과제고유번호	1355051976
세부과제번호	07ZB1200
연구과제명	정보통신미래신기술연구사업
성과구분	등록
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	과학기술부
연구주관기관명	한국전자통신연구원
성과제출연도	2007
연구기간	200701~200712
기여율	0.5
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)


과제고유번호	1440000983
세부과제번호	2003-S-103
연구과제명	정보통신용고기능반도체나노신소자기술
성과구분	등록
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	정보통신연구진흥원
연구주관기관명	한국전자통신연구원
성과제출연도	2005
연구기간	200202~200701
기여율	0.5
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	IT(정보기술)

특허성과

[1020090025688]	정전용량형 환경유해가스 센서 및 그 제조방법	새창보기
[1020070128323]	쇼트키 장벽 단전자 트랜지스터 및 그 제조 방법	새창보기
[1020070127778]	나노 결정 복합 산화물 박막, 이를 구비한 환경 가스 센서및 환경 가스 센서의 제조방법	새창보기
[1020070126345]	단층 정열형 다공성 금속 산화물 가스 센서 및 그 제조 방법	새창보기
[1020070123199]	기체 흡착 매체 및 이를 구비한 흡착 펌프 장치	새창보기
[1020070100350]	나노 구조물을 포함하는 3차원 나노 소자	새창보기
[1020070059100]	라만 공동을 갖는 라만 광증폭기를 이용한 이득고정형광증폭 장치	새창보기
[1020070051780]	반도체 소자 제조방법	새창보기
[1020070021970]	디스프로슘을 포함하는 광섬유를 이용한 광섬유 레이저시스템	새창보기
[1020060118986]	쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 및 그 제조방법	새창보기
[1020060118985]	반도체 소자의 제조방법 및 이를 통해 제조된 반도체 소자	새창보기
[1020060094385]	나노선 필터, 그 제조방법 및 흡착물 제거방법, 이를구비한 필터링 장치	새창보기
[1020050039098]	급격한 금속-절연체 전이 소자 및 그 제조방법	새창보기
[1020040109136]	통합 제어를 위한 휴대 장치와 서버 간의 연동 방법	새창보기
[1020040100584]	이동형 위성 시스템에서 개루프로 이동형 단말의 송신전력을 제어하는 방법 및 장치	새창보기
[1020040071974]	성장 네트워크 모델을 이용한 엘디피시 부호의 형성방법	새창보기
[1020040066627]	병렬연접 ＬＤＰＣ 부호의 패러티 검사 행렬 형성 방법.	새창보기
[1020040063377]	ＬＤＰＣ 부호 부호화 및 복호화 방법, 및 ＬＤＰＣ패러티 검사 행렬 형성 방법.	새창보기
[1020040063024]	광 접속기가 구비된 광백플레인 장치 및 그 제조방법	새창보기
[1020040025246]	다자간 또는 다그룹사이의 양자 키 분배 방법	새창보기
[1020040023809]	이동통신매체와 홈네트워크ＰＣ간의 보안기반 데이타 동기시스템 및 그 방법	새창보기
[1020030078333]	급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로	새창보기
[1020030074115]	금속-절연체 상전이 고속 스위칭 소자 및 그 제조 방법	새창보기

중요키워드

이전대상기술 뷰 페이지 관련기술 표
[KST2015090127][한국전자통신연구원]	계단형 게이트 전극을 포함하는 반도체 소자 및 그 제조 방법	새창보기
[KST2015079862][한국전자통신연구원]	화합물 반도체 고주파 스위치 소자	새창보기
[KST2014045062][한국전자통신연구원]	고주파 소자 구조물의 제조방법	새창보기
[KST2015095120][한국전자통신연구원]	반도체 소자 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조방법	새창보기
[KST2015099256][한국전자통신연구원]	쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 및 그 제조방법	새창보기
[KST2015075165][한국전자통신연구원]	화합물 반도체 소자의 오믹전극 형성방법	새창보기
[KST2015082924][한국전자통신연구원]	쇼트키 장벽 나노선 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조방법	새창보기
[KST2015090140][한국전자통신연구원]	질화물 전자소자 및 그 제조 방법	새창보기
[KST2015099045][한국전자통신연구원]	Ｎ형 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 소자 및 제조 방법	새창보기
[KST2015078637][한국전자통신연구원]	쇼트키 배리어 트랜지스터 제조 방법	새창보기
[KST2015100595][한국전자통신연구원]	반도체소자의게이트전극형성방법	새창보기

의뢰할 수요기술을 선택합니다

담당자명, 주소, 이메일, 연락처, 내용, 파일선택의 정보를 제공하는 도입희망기술 뷰 페이지 의뢰하기 입력표입니다.
담당자명		활동구분※필수입력항목
이메일		연락처	- -
내용
파일선택	파일선택

기술이전 상담신청 드립니다.
기업명
신청자 성명		직책
연락처	- -
이메일	@
상담희망전담센터	※ 사업장(본점) 소재지가 속한 지역의 기술혁신센터를 지정해주세요.