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광도파로 소자

  • 기술번호 : KST2015082016
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광도파로 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 광도파로 소자는 유한한 폭과 두께를 가지는 물질로 형성된 제1 박막과 제1 박막의 폭과 동일하고 제1 박막을 이루는 물질보다 전기전도도가 작은 물질들로 형성된 제2 박막이 차례로 적층되는 3층 이상의 홀수의 적층 구조를 가지며, 제1 박막이 처음층과 마지막층에 위치하고 제1 박막들이 표면 플라즈몬들의 상호 작용을 위해 근접 배치되는 코어, 그리고 코어의 주위에 제1 박막을 형성한 물질보다 전기전도도가 작고 제2 박막을 형성한 물질보다 굴절률이 큰 물질로 형성된 클래드를 포함한다. 본 발명에 의하면, 광도파로 소자의 전기전도도가 큰 두 층 이상의 금속박막들은 결합된 표면 플라즈몬 모드를 형성하며, 형성된 표면 플라즈몬 모드를 금속박막의 길이 방향으로 전파할 수 있고, 전파되는 신호는 하나의 박막에 의한 표면 플라즈몬 모드보다 전파손실이 작다.금속 도파로, 표면 플라즈몬, 광도파로
Int. CL G02B 6/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020060096324 (2006.09.29)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0783365-0000 (2007.12.03)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20071207) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.09.29)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박선택 대한민국 대전 서구
2 송석호 대한민국 대전 서구
3 원형식 대한민국 경기 수원시 영통구
4 이명현 대한민국 대전 유성구
5 주정진 대한민국 대전 서구
6 김민수 대한민국 대전 유성구
7 김진태 대한민국 대전 유성구
8 박승구 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2006-0717779-64
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0478150-53
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.10.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0772520-15
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2007-0772515-97
5 등록결정서
Decision to grant
2007.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0647069-72
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
유한한 폭과 두께를 가지는 물질로 형성된 제1 박막과 상기 제1 박막의 폭과 동일하고 상기 제1 박막을 이루는 물질보다 전기전도도가 작은 물질들로 형성된 제2 박막이 차례로 적층되는 3층 이상의 홀수의 적층 구조를 가지며, 상기 제1 박막이 처음층과 마지막층에 위치하고 상기 제1 박막들이 표면 플라즈몬들의 상호 작용을 위해 근접 배치되는 코어; 및상기 코어의 주위에 상기 제1 박막을 형성한 물질보다 전기전도도가 작고 상기 제2 박막을 형성한 물질보다 굴절률이 큰 물질로 형성된 클래드를 포함하는 광도파로 소자
2 2
유한한 폭과 두께를 가지는 물질로 형성된 제1 박막과 상기 제1 박막의 폭보다 크거나 작은 크기의 폭을 가지며 상기 제1 박막을 이루는 물질보다 전기전도도가 작은 물질들로 형성된 제2 박막이 차례로 적층되는 3층 이상의 홀수의 적층 구조를 가지며, 상기 제1 박막이 처음층과 마지막층에 위치하고 상기 제1 박막들이 표면 플라즈몬들의 상호 작용을 위해 근접 배치되는 코어; 및상기 코어의 주위에 상기 제1 박막을 형성한 물질보다 전기전도도가 작고 상기 제2 박막을 형성한 물질보다 굴절률이 큰 물질로 형성된 클래드를 포함하는 광도파로 소자
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제1 박막의 폭은 수 ㎚에서 수백 ㎛이고 두께는 수 ㎚에서 수백 ㎚의 크기를 갖는 광도파로 소자
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제2 박막의 폭은 수 ㎚에서 수백 ㎛이고 두께는 수 ㎚에서 수십 ㎛의 크기를 갖는 광도파로 소자
5 5
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제1 박막은 금, 은, 구리, 알루미늄, n형 불순물 또는 p형 불순물이 도핑된 GaAs, Inp, Si 중 어느 한 물질, 상기 물질들의 조합에 의한 복합물질, 및 상기 물질들을 조합하여 적층한 다층구조물 중 어느 하나를 포함하여 이루어지는 광도파로 소자
6 6
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제2 박막과 상기 클래드가 유리, 석영, 폴리머, n형 불순물 또는 p형 불순물이 도핑된 GaAs, Inp, Si 중 어느 한 물질, 상기 물질들의 조합에 의한 복합물질, 및 상기 물질들을 조합하여 적층한 다층구조물 중 어느 하나를 포함하여 이루어지는 광도파로 소자
7 7
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제2 박막과 상기 클래드 중 하나가 액체로 형성되는 광도파로 소자
8 8
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 코어는 직선, 곡선, 테이퍼 모양 중 어느 하나의 모양을 갖는 광도파로 소자
9 9
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 코어는 Y-branch, Mach-Zender 간섭계 및 방향성 결합기 중 어느 하나의 구조를 갖는 광도파로 소자
10 10
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 박막은 전기광학 효과를 갖는 물질로 형성되고 상기 제1 박막들이 상기 제2 박막에 전장을 인가할 수 있는 전극으로 사용되는 것을 특징으로 하는 광도파로 소자
11 11
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제2 박막과 상기 클래드 중 하나 이상이 열광학 효과를 갖는 물질로 형성되고 상기 제1 박막들 중 하나 이상이 열선으로 사용되는 광도파로 소자
12 12
유한한 지름과 두께를 가지는 물질로 형성된 원통과 상기 원통 안이 채워지며 상기 원통을 이루는 물질보다 전기전도도가 작은 물질로 이루어지고 상기 원통이 표면 플라즈몬의 상호 작용을 위한 직경을 구비하는 코어; 및상기 코어의 주위에 상기 원통을 형성한 물질보다 전기전도도가 작고 상기 원통 안에 채워진 물질보다는 굴절률이 큰 물질로 형성된 클래드를 포함하는 광도파로 소자
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 코어의 두께는 수 ㎚에서 수백 ㎛이고, 상기 코어의 직경은 수 ㎚에서 수십 ㎛의 크기를 갖는 광도파로 소자
14 14
제 12 항에 있어서, 상기 코어는 금, 은, 구리, 알루미늄, n형 불순물 또는 p형 불순물이 도핑된 GaAs, Inp, Si 중 어느 한 물질, 상기 물질들의 조합에 의한 복합물질, 및 상기 물질들을 조합하여 적층한 다층구조물 중 어느 하나를 포함하여 이루어지는 광도파로 소자
15 15
제 12 항에 있어서, 상기 클래드는 유리, 석영, 폴리머, n형 불순물 또는 p형 불순물이 도핑된 GaAs, Inp, Si 중 어느 한 물질, 상기 물질들의 조합에 의한 복합물질, 및 상기 물질들을 조합하여 적층한 다층구조물 중 어느 하나를 포함하여 이루어지는 광도파로 소자
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07706653 US 미국 FAMILY
2 US20080080824 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2008080824 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7706653 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.