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p타입 웰;상기 p타입 웰의 표면 하부에 형성되는 내부 n타입 영역; 및상기 n타입 영역의 상부의 상기 p타입 웰 상면에 증착(deposition)된 고농도 p타입의 SiGeC 에피층 또는 폴리층 박막으로 형성되는 표면 p타입 영역
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제1항에 있어서, 상기 표면 p타입 영역은,도핑농도가 2x1018/cm3 내지 5x1019/cm3인 것을 특징으로 하는 포토 다이오드
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p타입 웰,상기 p타입 웰의 표면 하부에 형성되는 내부 n타입 영역 및상기 n타입 영역의 상부의 상기 p타입 웰 상면에 증착된 고농도 p타입의 SiGeC 에피층 또는 폴리층 박막으로 형성되는 표면 p타입 영역을 포함하는 포토 다이오드; 상기 포토 다이오드에서 생성된 광유발 전하를 플로팅 확산 노드로 전달하기 위한 트랜스퍼 트랜지스터; 및상기 광유발 전하에 의한 상기 플로팅 확산 노드의 전위 변화를 증폭하기 위한 드라이빙 트랜지스터를 포함하는 이미지 센서에 있어서,상기 플로팅 확산 노드 영역은, 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 드레인으로부터 상기 드라이빙 트랜지스터의 게이트로 전위를 인가하기 위한 n타입 신호전달층을 더 포함하며,상기 n타입 신호 전달층의 아래에 접한 상기 p타입 웰은 6x1015/cm3 내지 1x1016/cm3의 도핑 농도를 가지며,상기 내부 n타입 영역은 7x1015/cm3 내지 1x1016/cm3의 도핑 농도를 가지는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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p타입 웰,상기 p타입 웰의 표면 하부에 형성되는 내부 n타입 영역 및상기 n타입 영역의 상부의 상기 p타입 웰 상면에 증착된 고농도 p타입의 SiGeC 에피층 또는 폴리층 박막으로 형성되는 표면 p타입 영역을 포함하는 포토 다이오드;상기 포토 다이오드에서 생성된 광유발 전하를 플로팅 확산 노드로 전달하기 위한 트랜스퍼 트랜지스터; 및상기 광유발 전하에 의한 상기 플로팅 확산 노드의 전위 변화를 증폭하기 위한 드라이빙 트랜지스터를 포함하는 이미지 센서에 있어서,상기 플로팅 확산 노드의 역할을 수행하며, 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 드레인으로부터 상기 드라이빙 트랜지스터의 게이트로 전위를 인가하기 위한 플로팅 금속층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 포토 다이오드는,제1항 또는 제2항의 포토 다이오드인 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 트랜스퍼 트랜지스터 및 드라이빙 트랜지스터는,공핍형 트랜지스터 등으로 구현하여, 문턱전압이 -0
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제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 이미지 센서는, 상기 플로팅 확산 노드를 리셋시키기 위한 리셋 트랜지스터; 및상기 드라이빙 트랜지스터의 출력을 제어하는 셀렉트 트랜지스터를 더 포함하며, 상기 리셋 트랜지스터 및 셀렉트 트랜지스터는,공핍형 트랜지스터 등으로 구현하여, 문턱전압이 -0
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제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 이미지 센서는, 상기 플로팅 확산 노드를 리셋시키기 위한 리셋 트랜지스터; 및상기 드라이빙 트랜지스터의 출력을 제어하는 셀렉트 트랜지스터를 더 포함하며, 상기 트랜스퍼 트랜지스터, 드라이빙 트랜지스터, 리셋 트랜지스터 및 셀렉트 트랜지스터의 게이트 산화막의 두께는 30Å 내지 50Å인 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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