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SOI(Silicon On Insulator) 기판의 하부 실리콘층으로 이루어지고, 상기 하부 실리콘층의 일측에 관통홀(through hole)을 갖는 캔티레버 암 지지부(cantilever arm support portion); 및 상기 캔티레버 암 지지부를 이루는 상기 하부 실리콘층의 윗면에 지지되면서 상기 관통홀(through hole) 상측으로 연장되고 상기 관통홀(through hole)보다 작은 홀(hole)을 모두 갖는 SOI(Silicon On Insulator) 기판의 접합 산화층 패턴 및 상부 실리콘층 패턴, 상기 상부 실리콘층 패턴 상에 상기 홀(hole)에 맞추어 상기 홀(hole) 상측으로 선단부에 어퍼쳐(aperture)를 갖는 팁(tip)을 포함하는 실리콘 산화층 패턴, 및 상기 실리콘 산화층 패턴 상에 상기 어퍼쳐(aperture)를 매립하지 않으면서 형성된 광투과 방지층으로 이루어지는 캔티레버 암(cantilever arm)을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 근접장 탐침
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제1항에 있어서, 상기 팁(tip)은 상기 홀(hole) 상측으로 뾰족한 형태의 원추형이나 상기 홀(hole) 상측으로 포물선(parabola)과 같은 모양의 포물선형으로 구성하는 것을 특징으로 하는 근접장 탐침
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제1항에 있어서, 상기 어퍼쳐(aperture)는 상기 홀(hole) 상측으로 상기 팁(tip)의 선단부의 뾰족한 부분에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 근접장 탐침
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하부 실리콘층 상에 제1 홀(hole)을 갖는 접합 산화층 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 홀(hole) 및 접합 산화층 패턴 상에 상부 실리콘층을 형성하여 SOI(Silicon On Insulator) 기판을 완성하는 단계;상기 제1 홀(hole)의 상부에 형성된 상부 실리콘층에 팁(tip) 구조물을 형성하는 단계;상기 팁 구조물의 외부 표면 및 상부 실리콘층 상에 캔티레버 암(cantilever arm)을 구성하는 실리콘 산화층 패턴 및 상부 실리콘층 패턴을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 캔티레버 암 지지부(cantilever arm support portion)를 구성하는 상기 하부 실리콘층의 배면에 식각 마스크층 패턴을 형성하는 단계;상기 식각 마스크층 패턴을 식각 마스크로 상기 하부 실리콘층 및 상기 제1 홀(hole) 상의 상기 팁 구조물 내의 상부 실리콘층 패턴을 식각하여, 상기 접합 산화층 패턴을 노출하는 관통홀(through hole)과 상기 관통홀(through hole)보다 작은 제2 홀(hole) 내에서 선단부에 어퍼쳐(aperture)를 갖는 팁(tip)을 형성하는 단계; 및 상기 어퍼쳐(aperture)를 매립하지 않으면서 상기 실리콘 산화층 패턴 상에 광투과 방지층을 형성하는 단계를 포함하여,상기 하부 실리콘층의 윗면에 지지되면서 상기 관통홀(through hole)보다 작은 제2 홀(hole)을 모두 갖는 상부 실리콘층 패턴 및 접합 산화층 패턴, 상기 제2 홀(hole)에 맞추어 선단부에 어퍼쳐를 갖는 팁(tip)을 포함하는 실리콘 산화층 패턴 및 상기 광투과 방지층으로 이루어지는 상기 캔티레버 암(cantilever arm)을 형성하는 것을 특징으로 하는 근접장 탐침의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 팁(tip) 구조물은,상기 상부 실리콘층의 일부분에 실리콘 질화층 패턴을 형성하고, 상기 실리콘 질화층 패턴을 마스크로 상기 상부 실리콘층을 습식식각하여 원추형이나 포물선형으로 형성하는 것을 특징으로 하는 근접장 탐침 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 캔티레버 암(cantilever arm)을 구성하는 실리콘 산화층 패턴 및 상부 실리콘층 패턴은, 상기 팁(tip) 구조물을 갖는 상부 실리콘층을 산화시켜 상기 팁(tip) 구조물의 외부 표면 및 상부 실리콘층 상에 실리콘 산화층을 형성하고, 상기 실리콘 산화층 및 상부 실리콘층을 패터닝하여 형성하는 것을 특징으로 하는 근접장 탐침 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 상부 실리콘층의 산화시 상기 팁(tip) 구조물의 상단부에는 상기 실리콘 산화층이 형성되지 않게 하여 후속 공정에서 상기 어퍼쳐(aperture)가 되게 하는 것을 특징으로 하는 근접장 탐침 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 상부 실리콘층의 산화시 상기 실리콘 질화층 패턴과 접하는 상기 상부 실리콘층의 폭을 조절하는 것을 특징으로 하는 근접장 탐침 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 식각 마스크층 패턴을 형성한 후, 상기 실리콘 산화층 패턴 상에 상기 캔티레버 암(cantilever arm) 보호용 패턴을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 근접장 탐침 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 관통홀(through hole), 제2 홀(hole) 및 팁(tip)의 형성은,상기 식각 마스크층 패턴을 식각 마스크로 상기 하부 실리콘층을 식각하여 상기 접합 산화층 패턴을 노출하는 관통홀(through hole)을 형성하고, 상기 접합 산화층 패턴을 식각 마스크로 상기 제1 홀(hole) 상의 상기 팁(tip) 구조물 내의 상부 실리콘층 패턴을 식각하여 얻어지는 것을 특징으로 하는 근접장 탐침 제조방법
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