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유기반도체 채널을 구비하며 버텀 게이트 트랜지스터 구조를 가지는 드라이버 트랜지스터; 및유기반도체 채널을 구비하며 탑 게이트 트랜지스터 구조를 가지는 부하 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 인버터
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제1항에 있어서, 상기 드라이버 트랜지스터의 드레인 전극과 상기 부하 트랜지스터의 소스 전극이 동일한 층으로 구현된 것을 특징으로 하는 인버터
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제1항에 있어서, 상기 드라이버 트랜지스터의 드레인 전극층과, 상기 부하 트랜지스터의 게이트 전극층이 전도적으로 직접 연결된 것을 특징으로 하는 인버터
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제1항에 있어서, 상기 드라이버 트랜지스터 및 부하 트랜지스터는 유기반도체 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 인버터
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제1항에 있어서, 상기 드라이버 트랜지스터는, 소스가 접지전압에 연결되며, 게이트에 입력신호가 인가되며, 드레인이 상기 부하 트랜지스터의 소스에 연결되며,상기 부하 트랜지스터는, 게이트와 소스가 연결되며, 드레인에는 전원전압단이 연결되는 것을 특징으로 하는 인버터
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제1항에 있어서,드라이버 트랜지스터와 부하 트랜지스터의 W/L(width/length)가 동일한 것을 특징으로 하는 인버터
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제1항에 있어서, 상기 부하 트랜지스터는,버텀 게이트 및 탑 게이트에 의한 이중 채널 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 인버터
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제7항에 있어서, 상기 드라이버 트랜지스터의 드레인 전극층과, 상기 부하 트랜지스터의 버텀 게이트 전극층이 전도적으로 직접 연결되며,상기 드라이버 트랜지스터의 드레인 전극층과, 상기 부하 트랜지스터의 탑 게이트 전극층이 전도적으로 직접 연결된 것을 특징으로 하는 인버터
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제8항에 있어서, 상기 드라이버 트랜지스터의 드레인 전극과 상기 부하 트랜지스터의 소스 전극이 동일한 층으로 구현된 것을 특징으로 하는 인버터
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제7항에 있어서,상기 드라이버 트랜지스터의 드레인 전극층 및 상기 부하 트랜지스터의 버텀 게이트 전극층과 탑 게이트 전극층은 콘택트 홀을 통해 전도적으로 연결된 것을 특징으로 하는 인버터
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제1항에 있어서, 상기 부하 트랜지스터의 탑 게이트 전극은, Ti, Cu, Cr, Al, Au, Mo, W 중 적어도 하나 이상의 금속 물질, ITO, IZO 또는 PEDOT로 형성되는 것을 특징으로 하는 인버터
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제1항에 있어서, 상기 드라이버 트랜지스터 및 부하 트랜지스터의 소스 및 드레인 전극은,Au, Pt, Ni, Pd 중 적어도 하나 이상의 금속 물질, ITO, IZO 또는 PEDOT로 형성되는 것을 특징으로 하는 인버터
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제1항에 있어서, 상기 드라이버 트랜지스터의 버텀 게이트 상부 채널을 형성하는 절연체층은 OTS, HMDS등의 소수성 표면처리가 되어 있으며,상기 부하 트랜지스터의 탑 게이트 하부 채널을 형성하는 절연체층은 표면처리가 되어 있지 않은 것을 특징으로 하는 인버터
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기판 상에 형성된 드라이버 트랜지스터 게이트 전극;상기 드라이버 트랜지스터 게이트 전극을 덮는 제1 절연체층;상기 제1 절연체층 상에 형성된, 드라이버 트랜지스터 소스 전극과,드라이버 트랜지스터 드레인 전극과 부하 트랜지스터 소스 전극을 형성하는 단일층과,부하 트랜지스터 드레인 전극; 상기 소스 및 드레인 전극 사이에 노출된 상기 제1 절연체층 상에 형성되는 유기반도체층;상기 소스 및 드레인 전극과 유기반도체층을 덮는 제2 절연체층; 및상기 제2 절연체 상에 형성된 부하 트랜지스터 탑 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 인버터
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제14항에 있어서, 상기 제2 절연체층에는,상기 부하 트랜지스터 탑 게이트 전극과 상기 단일층을 전도적으로 연결시키기 위한 콘택트 홀이 형성된 것을 특징으로 하는 인버터
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제14항에 있어서, 상기 드라이버 트랜지스터 게이트 전극과 동일한 층으로 형성되는 부하 트랜지스터 버텀 게이트 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인버터
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제16항에 있어서, 상기 제1 절연체층에는, 상기 부하 트랜지스터 버텀 게이트 전극과 상기 단일층을 전도적으로 연결시키기 위한 콘택트 홀이 형성된 것을 특징으로 하는 인버터
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제14항에 있어서, 상기 기판은,플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 인버터
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