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굴절률 변화부분이 형성되어 있는 링 광도파로; 및굴절률의 변화가 없는 광도파로;를 포함하고,상기 굴절률 변화부분은 바이폴라 트랜지스터를 이용하여 형성되되,상기 굴절률 변화부분의 유효 굴절률 변화(Δneff)는 구속률(Γ) x 굴절률 변화 (Δn)로 나타나고, 상기 굴절률 변화부분은 상기 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터 영역 중 낮은 도핑 영역인 서브 콜렉터 영역이 이용된 것을 특징으로 하는 실리콘 반도체 기반의 고속 링 광변조기
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제1 항에 있어서,상기 서브 콜렉터 영역으로의 캐리어의 공급과 배출이 고속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 반도체 기반의 고속 링 광변조기
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제1 항에 있어서,상기 Γ는 상기 굴절률 변화부분이 형성된 광도파로 전체의 광의 세기에 대한 상기 굴절률 변화부분에 걸쳐있는 광의 세기로 정의되고,상기 Δn은 입력 파장이 1
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제1 항에 있어서,광의 통과부분에 상기 서브 콜렉터 영역이 이용됨으로써, 상기 Γ이 증가되는 것을 특징으로 하는 실리콘 반도체 기반의 고속 링 광변조기
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제1 항에 있어서,상기 Δneff 는 상기 서브 콜렉터로 통과되는 일정 전류에 의해 발생하는 것을 특징으로 하는 실리콘 반도체 기반의 고속 링 광변조기
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제6 항에 있어서,상기 서브 콜렉터로 통과되는 전류의 조정은 상기 트랜지스터의 베이스로 인가되는 전류를 조정하여 이루어지며,상기 서브 콜렉터로 통과되는 전류는 상기 트랜지스터의 전류 이득인 β에 상기 베이스로 인가되는 전류를 곱한 것인 것을 특징으로 하는 실리콘 반도체 기반의 고속 링 광변조기
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제1 항에 있어서,상기 굴절률 변화부분이 형성되어 있는 링 광도파로는 SOI(Silicon On Insulator) 기판이 이용된 것을 특징으로 하는 실리콘 반도체 기반의 고속 링 광변조기
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제8 항에 있어서,상기 SOI 기판의 절연층(Insulator)은 실리콘 벌크(bulk) 기판에 산소이온이 선택적 주입(implant)되어 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 반도체 기반의 고속 링 광변조기
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제9 항에 있어서,상기 굴절률 변화부분은 상기 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터 영역 중 낮은 도핑 영역인 서브 콜렉터 영역이 이용되는 것을 특징으로 하는 실리콘 반도체 기반의 고속 링 광변조기
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제10 항에 있어서,상기 서브 콜렉터 영역은 상기 SOI 기판의 상기 절연층 상부의 실리콘 반도체층으로 형성된 것을 특징으로 하는 실리콘 반도체 기반의 고속 링 광변조기
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제1 항에 있어서,상기 굴절률 변화부분이 형성되어 있는 링 광도파로는 실리콘(Si) 기판에 형성된 고농도 도핑층, 저농도 도핑층 및 산화막층을 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 실리콘 반도체 기반의 고속 링 광변조기
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제12 항에 있어서,상기 고농도 및 저농도 도핑층은 5족 또는 3족 원소가 도핑되어 형성된 n형 또는 p형 반도체층이고, 상기 산화막층은 산소이온이 도핑되어 형성된 실리콘 옥사이드(SiO2)층인 것을 특징으로 하는 실리콘 반도체 기반의 고속 링 광변조기
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