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외부에서 조사되는 광 에너지를 흡수하여 전자(electron)-정공(hole) 쌍들이 형성되는 신호 생성부;상기 전자-정공 쌍들을 전자와 정공으로 각각 분리하고 그 극성에 따라 상기 신호 생성부 내의 서로 반대 측에 밀집되도록, 상기 신호 생성부의 일면에 접촉하여 전기 신호를 인가하는 전원;상기 신호 생성부에 접촉하며, 분리된 상기 전자 또는 정공 중의 한 종류를 유입하여 저장하는 신호 저장부; 및 신호 저장부에 접촉하며, 상기 신호 저장부에 제어신호를 인가하여 상기 신호 저장부에 저장된 전하에 의한 전기 신호를 전달받아 영상신호로 변환하는 신호 변환부를 포함하고,상기 신호 생성부는, 상기 외부에서 조사되는 광 에너지를 흡수하여 전자-정공 쌍들이 생성되고, 상기 전원에서 인가된 전기신호에 의하여 상기 전자-정공 쌍들을 전자와 정공으로 각각 분리되어 서로 반대 측에 밀집되고, 칼코젠을 포함하는 흡수층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자의료 영상장치
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제 1 항에 있어서, 상기 신호 생성부, 신호 저장부, 및 신호 변환부는 순차적으로 형성된 층상구조인 것을 특징으로 하는 전자의료 영상장치
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제 1 항에 있어서, 상기 신호 생성부는: 상기 전원의 전기신호를 상기 신호 생성부에 인가되도록 상기 전원과 전기적으로 연결된 제1 전극; 및상기 제1 전극의 하면에 형성되어 상기 전원으로부터 유입되는 전하를 차단하는 절연층;을 포함하고,상기 흡수층은 상기 절연층의 하면에 형성되는 것을 특징으로 하는 전자의료 영상장치
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제 1 항에 있어서, 상기 흡수층은 비정질(amorphous)의 순수한 셀레늄(Se)을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자의료 영상장치
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제 1 항에 있어서, 상기 흡수층은 CdTe 또는 CdZnTe을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자의료 영상장치
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제 1 항에 있어서, 상기 신호 저장부는, 상기 신호 생성부 내에서 분리된 상기 전자 또는 정공 중의 한 종류의 유입을 허용하는 차폐층;상기 차폐층과 전기적으로 접촉된 제2 전극;상기 제2 전극과 전기적으로 접촉되고 상기 차폐층을 통하여 유입된 한 종류의 전하를 저장하는 캐패시터와 상기 캐패시터와 연결된 트랜지스터로 구성된 단위 셀을 복수 개 포함하는 소자층;상기 차폐층, 상기 제2 전극 및 상기 소자층이 형성된 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자의료 영상장치
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제 7 항에 있어서, 상기 기판은 유리(glass) 또는 석영(quartz)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자의료 영상장치
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제 7 항에 있어서, 상기 단위 셀은 하나 또는 그 이상의 전기적 단위 소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자의료 영상장치
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제 7 항에 있어서, 상기 소자층은 상기 단위 셀을 가로 및 세로방향으로 각각 복수 개 배열된 2차원 어레이를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자의료 영상장치
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제 7 항에 있어서, 상기 소자층에 포함된 상기 트랜지스터는, 상기 기판 상에 칼코젠(chalcogen) 물질을 포함하여 형성된 액티브층(active layer);상기 액티브층의 양측에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극;상기 액티브층 상에 형성된 게이트 절연막; 및 상기 게이트 절연막 상에 형성된 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자의료 영상장치
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제 11 항에 있어서, 상기 액티브층에 포함된 칼코젠 물질은 Ge2Sb2Te5(GST) 또는 CuInSe2(CIS)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자의료 영상장치
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제 7 항에 있어서, 상기 소자층에 포함된 상기 트랜지스터는, 상기 기판의 일부 영역 상에 형성된 게이트 전극;상기 기판과 상기 게이트 전극을 덮는 절연막;상기 게이트 전극이 형성된 영역 상을 덮도록 상기 절연막 상에 형성된 칼코젠 물질을 포함하여 형성된 액티브층; 및상기 액티브층의 양측에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자의료 영상장치
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제 13 항에 있어서, 상기 액티브층에 포함된 칼코젠 물질은 Ge2Sb2Te5(GST) 또는 CuInSe2(CIS)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자의료 영상장치
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제 14 항에 있어서, 상기 액티브층은 상기 CIS를 포함하고, In2Se3과 Cu2Se3을 이용하여 형성한 것을 특징으로 하는 전자의료 영상장치
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제 15 항에 있어서, 상기 액티브층의 도전형은 In2Se3과 Cu2Se3의 상대적인 몰(mole) 비율에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 전자의료 영상장치
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제 16 항에 있어서, 상기 In2Se3과 Cu2Se3의 상대적인 몰 비율이 0
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제 16 항에 있어서, 상기 In2Se3과 Cu2Se3의 상대적인 몰 비율이 0
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제 1 항에 있어서, 상기 신호 변환부는,상기 신호 저장부의 트랜지스터에 제어신호를 인가하는 신호인가회로부;상기 제어신호에 의하여 상기 트랜지스터를 통해 전달되는 전기 신호를 증폭하는 신호증폭소자;상기 신호증폭소자에서 증폭된 신호를 멀티플렉싱(multiflexing)하는 멀티플랙서(multiflexer); 및멀티플랙싱된 신호를 디지털 신호로 변환하는 아날로그-디지털 변환부(analog-digital converter, ADC)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자의료 영상장치
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