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광에 의해 생성되는 광 유발 전하를 생성하는 수광소자; 및상기 광 유발 전하를 확산노드로 전달하며, 상기 수광소자와 상기 확산노드 사이에 서로 다른 위치에 형성되는 2개 이상의 게이트 전극을 구비하는 트랜스퍼 트랜지스터를 포함하는 이미지 센서 내 상기 트랜스퍼 트랜지스터 구동 방법에 있어서,상기 수광소자에 가까운 게이트 전극의 턴온전압이 적어도 하나의 다른 전극의 턴온전압보다 먼저 인가되는 것을 특징으로 하는 트랜스퍼 트랜지스터 구동 방법
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제1항에 있어서, 상기 트랜스퍼 트랜지스터는,3개 이상의 게이트 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 트랜스퍼 트랜지스터 구동 방법
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제1항에 있어서,상기 수광소자에 가까운 게이트 전극부터 턴오프 전압이 순차적으로 인가되는 것을 특징으로 하는 트랜스퍼 트랜지스터 구동 방법
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제1항에 있어서,상기 수광소자에 가까운 게이트 전극부터 턴온 전압이 순차적으로 인가되는 것을 특징으로 하는 트랜스퍼 트랜지스터 구동 방법
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제1항에 있어서,상기 확산노드에 가장 가까운 게이트 전극을 제외한 게이트 전극들에 대한 턴온 전압은 동시에 인가되는 것을 특징으로 하는 트랜스퍼 트랜지스터 구동 방법
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제1항에 있어서,상기 수광소자에 가장 가까운 게이트 전극의 턴온 구간은 다른 게이트 전극의 턴온 구간보다 긴 것을 특징으로 하는 트랜스퍼 트랜지스터 구동 방법
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제2항에 있어서,상기 확산노드에 3째로 가까운 게이트 전극에 턴오프 전압이 완전히 인가된 후 상기 확산노드에 가장 가까운 게이트 전극에 턴온 전압이 인가되며,상기 확산노드에 가장 가까운 게이트 전극에 턴온 전압이 완전히 인가된 후, 상기 확산노드에 2째로 가까운 게이트 전극에 턴오프 전압이 인가되며,상기 확산노드에 2째로 가까운 게이트 전극에 턴오프 전압이 완전히 인가된 후, 상기 확산노드에 가장 가까운 게이트 전극에 턴오프 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 트랜스퍼 트랜지스터 구동 방법
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제1항에 있어서, 어느 한 게이트 전극의 턴온 구간은 인접 게이트 전극의 턴온 구간과 일부가 중첩되는 것을 특징으로 하는 트랜스퍼 트랜지스터 구동 방법
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제1항에 있어서,상기 트랜스퍼 트랜지스터의 구동 중에 턴온 전압이 인가된 상태의 게이트 전극의 개수는 2개 이하인 것을 특징으로 하는 트랜스퍼 트랜지스터 구동 방법
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제1항에 있어서,상기 확산노드에 가장 가까운 게이트 전극에 인가되는 턴온 전압의 라이징 타임은, 상기 수광소자에 가장 가까운 게이트 전극에 인가되는 턴온 전압의 라이징 타임보다 2배 이상인 것을 특징으로 하는 트랜스퍼 트랜지스터 구동 방법
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제1항에 있어서,상기 게이트 전극에 인가되는 턴온 전압의 폴링 타임은, 상기 수광소자에 가장 가까운 게이트 전극에 인가되는 턴온 전압의 라이징 타임보다 2배 이상인 것을 특징으로 하는 트랜스퍼 트랜지스터 구동 방법
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제1항에 있어서, 상기 수광소자에 가장 가까운 게이트 전극에는 상기 트랜스퍼 트랜지스터가 구비하는 2개 이상의 게이트 전극에 인가되는 턴온 전압 중 가장 높은 턴온 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 트랜스퍼 트랜지스터 구동 방법
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제1항에 있어서, 상기 확산노드에 가장 가까운 게이트 전극에는 상기 트랜스퍼 트랜지스터가 구비하는 2개 이상의 게이트 전극에 인가되는 턴온 전압 중 가장 낮은 턴온 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 트랜스퍼 트랜지스터 구동 방법
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제1항에 있어서,상기 수광소자에 가장 가까운 게이트 전극을 제외한 게이트 전극에는 2개 이상의 레벨을 가지는 턴온 전압들이 순차적으로 인가되는 것을 특징으로 하는 트랜스퍼 트랜지스터 구동 방법
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제14항에 있어서,상기 수광소자에 가장 가까운 게이트 전극을 제외한 게이트 전극에 인가되는 상기 2개 이상의 레벨을 가지는 턴온 전압들 중 가장 낮은 레벨의 턴온 전압은, 상기 수광소자에 가장 가까운 게이트 전극을 제외한 모든 게이트 전극 또는 그 일부에 대하여 동시에 인가되는 것을 특징으로 하는 트랜스퍼 트랜지스터 구동 방법
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제14항에 있어서,상기 수광소자에 가장 가까운 게이트 전극을 제외한 게이트 전극에 인가되는 어느 한 레벨의 턴온 전압에서 다음 레벨의 턴온 전압으로의 트랜지션은, 상기 수광소자에 가장 가까운 게이트 전극을 제외한 모든 게이트 전극 또는 그 일부에 대하여 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 트랜스퍼 트랜지스터 구동 방법
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제14항에 있어서,상기 수광소자에 가장 가까운 게이트 전극에 인가되는 전압이 턴온 전압에서 턴오프 전압으로 스위칭될 때,상기 수광소자에 가장 가까운 게이트 전극을 제외한 게이트 전극의 전부 또는 일부에 인가되는 전압이 어느 한 레벨의 턴온 전압에서 다음 레벨의 턴온 전압으로 동시에 스위칭되는 것을 특징으로 하는 트랜스퍼 트랜지스터 구동 방법
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제1항에 있어서,상기 수광소자에 가장 가까운 게이트 전극에 인가되는 턴오프 전압은 다른 게이트 전극에 인가되는 턴오프 전압보다 낮은 레벨을 가지는 것을 특징으로 하는 트랜스퍼 트랜지스터 구동 방법
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제18항에 있어서,상기 수광소자에 가장 가까운 게이트 전극에 인가되는 턴오프 전압은 음전위를 가지는 것을 특징으로 하는 트랜스퍼 트랜지스터 구동 방법
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제1항에 있어서,상기 수광소자에 가장 가까운 게이트 전극 및 상기 확산노드에 가장 가까운 게이트 전극을 제외한 게이트 전극에 인가되는 턴오프 전압은 접지전압에서 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 문턱전압 사이의 레벨을 가지는 것을 특징으로 하는 트랜스퍼 트랜지스터 구동 방법
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제1항에 있어서, 상기 이미지 센서는,상기 수광소자 및 확산노드를 리셋시키기 위한 리셋 트랜지스터를 더 포함하며,상기 트랜스퍼 트랜지스터는,상기 수광소자에서 생성된 전하를 전송하기 위한 트랜스퍼 구간 및 상기 수광소자 및 확산노드를 리셋시키기 위한 리셋 구간에서 턴온되는데,상기 트랜스퍼 구간을 위한 동작시, 일부 게이트 전극은 상기 리셋 트랜지스터가 턴오프되기 전에 턴온되며,상기 확산노드에 가장 가까운 게이트 전극은 상기 리셋 트랜지스터가 턴오프된 후 턴온되는 것을 특징으로 하는 트랜스퍼 트랜지스터 구동방법
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제1항에 있어서,상기 수광소자에 가장 가까운 게이트 전극의 턴오프가 완료된 후 상기 확산노드에 가장 가까운 게이트 전극이 턴오프되며,상기 수광소자에 가장 가까운 게이트 전극의 턴온시간이, 상기 확산노드에 가장 가까운 게이트 전극의 턴온시간 보다 긴 것을 특징으로 하는 트랜스퍼 트랜지스터 구동방법
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광에 의해 생성되는 광 유발 전하를 생성하는 수광소자; 및상기 광 유발 전하를 확산노드로 전달하기 위한 트랜스퍼 트랜지스터를 포함하되,상기 트랜스퍼 트랜지스터는,상기 수광소자 영역에 인접한 채널 영역 상부에 형성된 PD 인접 게이트 전극과,상기 확산노드 영역에 인접한 채널 영역 상부에 형성된 FD 인접 게이트 전극과,상기 PD 인접 게이트 전극과 FD 인접 게이트 전극 사이에, 상기 PD 인접 게이트 전극 및 FD 인접 게이트 전극과 절연된 상태로 형성된 중간 게이트 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제23항에 있어서,상기 PD 인접 게이트 전극과 중간 게이트 전극 사이 및/또는 상기 중간 게이트 전극과 FD 인접 게이트 전극 사이에, 다른 게이트 전극과 절연된 하나 이상의 추가 게이트 전극이 형성된 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제23항에 있어서,상기 트랜스퍼 트랜지스터 게이트 전극들 중 적어도 하나는,이웃하는 게이트 전극과 일부 영역이 서로 상하로 중첩된 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제23항에 있어서,상기 FD 인접 게이트 전극의 게이트 폭 또는 넓이가 다른 게이트 전극의 폭 또는 넓이보다 작은 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제23항에 있어서,제1항 내지 제22항 중 어느 하나에 의한 트랜스퍼 트랜지스터 구동방법을 수행하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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광에 의해 생성되는 광 유발 전하를 생성하는 수광소자; 및상기 광 유발 전하를 확산노드로 전달하며, 상기 수광소자 영역에 인접한 채널 영역 상부에 형성된 제1 게이트 전극과,상기 확산노드 영역에 인접한 채널 영역 상부에 형성되며, 상기 제1 게이트 전극과 절연된 제2 게이트 전극을 구비하는 트랜스퍼 트랜지스터; 및제1항 내지 제21항 중 어느 하나에 의한 트랜스퍼 트랜지스터 구동방법을 수행하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제28항에 있어서,상기 제2 게이트 전극의 게이트 폭 또는 넓이가 제1 게이트 전극의 폭 또는 넓이보다 작은 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제28항에 있어서, 상기 제1 게이트 전극 및 제2 게이트 전극은, 일부 영역이 서로 상하로 중첩된 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제28항에 있어서,상기 제1 게이트 전극 및 제2 게이트 전극 사이에 적어도 하나 이상의 추가 게이트 전극이 형성된 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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광에 의해 생성되는 광 유발 전하를 생성하는 수광소자; 및상기 광 유발 전하를 확산노드로 전달하며, 적어도 2개 이상의 게이트 전극을 가지는 트랜스퍼 트랜지스터를 포함하는 이미지 센서에 있어서,수광소자가 축적할 수 있는 광 유발 전하의 최대전하량보다 상기 게이트 전극에 의한 평형채널 전하의 양이 더 커서, 수광소자에서 광전하의 방출시 상기 게이트 전극에 의한 채널이 딥 디플리션 상태로 동작하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제32항에 있어서, 수광소자와 인접한 트랜스퍼 트랜지스터를 제외한 적어도 하나의 게이트 전극에 의한 채널은 딥 디플리션 상태로 동작하지 않는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제33항에 있어서,상기 확산노드에 가장 가까운 게이트 전극에 의한 채널은 딥 디플리션 상태로 동작하지 않는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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