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전자 재결합 차단층을 포함하는 염료감응 태양전지 및 그제조 방법

  • 기술번호 : KST2015082354
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전자 재결합 차단층을 포함하는 염료감응 태양전지 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 염료감응 태양전지의 반도체 전극은 제1 전도성 기판과, 상기 제1 전도성 기판 위에 형성되고 공극율이 0 ∼ 10 %인 결정질 금속 산화물층으로 이루어지는 전자 재결합 차단층과, 상기 전자 재결합 차단층 위에 형성되고 공극율이 40 ∼ 60 %인 결정질 금속 산화물층으로 이루어지는 다공성 금속 산화물층과, 상기 다공성 금속 산화물층의 표면에 흡착되어 있는 염료분자층을 포함한다. 반도체 전극을 형성하기 위하여 선형 입자 형태를 가지는 금속 산화물로 이루어지는 콜로이드 용액을 상기 제1 전도성 기판 위에 코팅하여 금속 산화물층을 형성한다. 금속 산화물층을 열처리에 의해 결정화시켜 전자 재결합 차단층을 형성한다. 염료감응 태양전지, 반도체 전극, 전자 재결합 차단층, 선형 입자, 공극율
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0224 (2014.01)
CPC H01G 9/2027(2013.01) H01G 9/2027(2013.01)
출원번호/일자 1020060124116 (2006.12.07)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2008-0052082 (2008.06.11) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.12.07)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전용석 대한민국 대전 유성구
2 강만구 대한민국 대전 유성구
3 김종대 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2006-0908884-85
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.09.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.10.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0058609-85
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.12.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0670291-31
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2008.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0296331-31
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
반도체 전극과, 상대 전극과, 상기 반도체 전극과 상대 전극과의 사이에 개재되어 있는 전해질층을 포함하고, 상기 반도체 전극은 제1 전도성 기판과, 상기 제1 전도성 기판 위에 형성되고 공극율 (void fraction)이 0 ∼ 10 %인 결정질 금속 산화물층으로 이루어지는 전자 재결합 차단층과, 상기 전자 재결합 차단층 위에 형성되고 공극율이 40 ∼ 60 %인 결정질 금속 산화물층으로 이루어지는 다공성 금속 산화물층과, 상기 다공성 금속 산화물층의 표면에 흡착되어 있는 염료분자층을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
2 2
제1항에 있어서, 상기 전자 재결합 차단층에는 포어 사이즈가 20 nm 미만인 공극이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
3 3
제1항에 있어서, 상기 전자 재결합 차단층은 결정질 이산회티탄으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
4 4
제1항에 있어서, 상기 다공성 금속 산화물층은 이산화티탄(TiO2), 이산화주석(SnO2), 및 산화아연(ZnO)으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
5 5
제1항에 있어서, 상기 다공성 금속 산화물층에는 포어 사이즈가 20 ∼ 2000 nm인 공극이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
6 6
제1항에 있어서, 상기 제1 전도성 기판은 도전층이 코팅된 투명 기판, 도전성 고분자, 또는 금속 기판으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
7 7
제1항에 있어서, 상기 상대 전극은 제2 전도성 기판과, 상기 제2 전도성 기판 위에 형성된 제1 도전층을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
8 8
제7항에 있어서, 상기 제2 전도성 기판은 제2 도전층이 코팅된 투명 기판, 도전성 고분자, 또는 금속 기판으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
9 9
제7항에 있어서, 상기 제1 도전층은 Pt 또는 탄소로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
10 10
제1항에 있어서, 상기 전해질층은 요오드계 산화-환원 액체 전해질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
11 11
제1 전도성 기판, 상기 제1 전도성 기판 위에 형성되고 공극율이 0 ∼ 10 %인 결정질 금속 산화물층으로 이루어지는 전자 재결합 차단층, 상기 전자 재결합 차단층 위에 형성되고 공극율이 40 ∼ 60 %인 결정질 금속 산화물층으로 이루어지는 다공성 금속 산화물층, 및 상기 다공성 금속 산화물층의 표면에 흡착되어 있는 염료분자층을 포함하는 반도체 전극을 형성하는 단계와, 제2 전도성 기판 위에 도전층을 형성하여 상대 전극을 형성하는 단계와, 상기 반도체 전극과 상기 상대 전극이 상호 대향하도록 상기 제1 전도성 기판 및 제2 전도성 기판을 정렬하는 단계와, 상기 반도체 전극과 상기 상대 전극과의 사이에 액체 전해질을 주입하여 전해질층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 반도체 전극을 형성하는 단계는 선형 입자 형태를 가지는 금속 산화물로 이루어지는 콜로이드 용액을 상기 제1 전도성 기판 위에 코팅하여 금속 산화물층을 형성하는 단계와, 상기 금속 산화물층을 열처리에 의해 결정화시켜 상기 전자 재결합 차단층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 콜로이드 용액을 구성하는 상기 금속 산화물은 비정질 금속 산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 비정질 금속 산화물은 비정질 이산화티탄으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법
15 15
제13항에 있어서, 상기 콜로이드 용액을 구성하는 상기 금속 산화물은 상기 금속 산화물의 총 중량을 기준으로 10 중량 % 이하의 아나타제 분말을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법
16 16
제12항에 있어서, 상기 금속 산화물층을 형성하는 단계는 상기 코팅된 콜로이드 용액으로부터 수분을 증발시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법
17 17
제12항에 있어서, 상기 금속 산화물층의 열처리는 450 ∼ 550 ℃의 범위 내에서 선택되는 온도로 행해지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.