1 |
1
반도체 전극과, 상대 전극과, 상기 반도체 전극과 상대 전극과의 사이에 개재되어 있는 전해질층을 포함하고, 상기 반도체 전극은 제1 전도성 기판과, 상기 제1 전도성 기판 위에 형성되고 공극율 (void fraction)이 0 ∼ 10 %인 결정질 금속 산화물층으로 이루어지는 전자 재결합 차단층과, 상기 전자 재결합 차단층 위에 형성되고 공극율이 40 ∼ 60 %인 결정질 금속 산화물층으로 이루어지는 다공성 금속 산화물층과, 상기 다공성 금속 산화물층의 표면에 흡착되어 있는 염료분자층을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
|
2 |
2
제1항에 있어서, 상기 전자 재결합 차단층에는 포어 사이즈가 20 nm 미만인 공극이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
|
3 |
3
제1항에 있어서, 상기 전자 재결합 차단층은 결정질 이산회티탄으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
|
4 |
4
제1항에 있어서, 상기 다공성 금속 산화물층은 이산화티탄(TiO2), 이산화주석(SnO2), 및 산화아연(ZnO)으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
|
5 |
5
제1항에 있어서, 상기 다공성 금속 산화물층에는 포어 사이즈가 20 ∼ 2000 nm인 공극이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
|
6 |
6
제1항에 있어서, 상기 제1 전도성 기판은 도전층이 코팅된 투명 기판, 도전성 고분자, 또는 금속 기판으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
|
7 |
7
제1항에 있어서, 상기 상대 전극은 제2 전도성 기판과, 상기 제2 전도성 기판 위에 형성된 제1 도전층을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
|
8 |
8
제7항에 있어서, 상기 제2 전도성 기판은 제2 도전층이 코팅된 투명 기판, 도전성 고분자, 또는 금속 기판으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
|
9 |
9
제7항에 있어서, 상기 제1 도전층은 Pt 또는 탄소로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
|
10 |
10
제1항에 있어서, 상기 전해질층은 요오드계 산화-환원 액체 전해질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
|
11 |
11
제1 전도성 기판, 상기 제1 전도성 기판 위에 형성되고 공극율이 0 ∼ 10 %인 결정질 금속 산화물층으로 이루어지는 전자 재결합 차단층, 상기 전자 재결합 차단층 위에 형성되고 공극율이 40 ∼ 60 %인 결정질 금속 산화물층으로 이루어지는 다공성 금속 산화물층, 및 상기 다공성 금속 산화물층의 표면에 흡착되어 있는 염료분자층을 포함하는 반도체 전극을 형성하는 단계와, 제2 전도성 기판 위에 도전층을 형성하여 상대 전극을 형성하는 단계와, 상기 반도체 전극과 상기 상대 전극이 상호 대향하도록 상기 제1 전도성 기판 및 제2 전도성 기판을 정렬하는 단계와, 상기 반도체 전극과 상기 상대 전극과의 사이에 액체 전해질을 주입하여 전해질층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법
|
12 |
12
제11항에 있어서, 상기 반도체 전극을 형성하는 단계는 선형 입자 형태를 가지는 금속 산화물로 이루어지는 콜로이드 용액을 상기 제1 전도성 기판 위에 코팅하여 금속 산화물층을 형성하는 단계와, 상기 금속 산화물층을 열처리에 의해 결정화시켜 상기 전자 재결합 차단층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법
|
13 |
13
제12항에 있어서, 상기 콜로이드 용액을 구성하는 상기 금속 산화물은 비정질 금속 산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법
|
14 |
14
제13항에 있어서, 상기 비정질 금속 산화물은 비정질 이산화티탄으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법
|
15 |
15
제13항에 있어서, 상기 콜로이드 용액을 구성하는 상기 금속 산화물은 상기 금속 산화물의 총 중량을 기준으로 10 중량 % 이하의 아나타제 분말을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법
|
16 |
16
제12항에 있어서, 상기 금속 산화물층을 형성하는 단계는 상기 코팅된 콜로이드 용액으로부터 수분을 증발시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법
|
17 |
17
제12항에 있어서, 상기 금속 산화물층의 열처리는 450 ∼ 550 ℃의 범위 내에서 선택되는 온도로 행해지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법
|