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마이크로 가스 센서 및 그 제조방법
- 기술번호 : KST2015082356
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은, 전력 소모가 작고, 가스 감응막의 가열 및 냉각 속도가 빠르며, 또한 온도 균일성을 가지고, 외부로부터 가해지는 기계적인 충격과 열충격을 견딜 수 있도록 내구성을 갖는 마이크로 가스 센서 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 기판 내에 형성된 진공 공동과, 상기 진공 공동을 덮도록 형성된 지지막과, 상기 지지막과 상기 진공 공동 사이를 밀봉하는 밀봉막과, 상기 밀봉막 상부에 형성된 마이크로 히터와, 상기 마이크로 히터와 절연되어 상기 마이크로 히터 상부에 형성된 복수의 전극과, 상기 복수의 전극을 덮도록 형성된 가스 감응막을 포함하는 마이크로 가스 센서를 제공한다.미소기전집적시스템, 가스센서, 단열, 히터 |
|---|---|
| Int. CL | G01N 27/12 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020060123686 (2006.12.07) |
| 출원인 | 한국전자통신연구원 |
| 등록번호/일자 | 10-0812996-0000 (2008.03.06) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20080313) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2006.12.07) |
| 심사청구항수 | 38 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국전자통신연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 전치훈 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 2 | 고상춘 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 3 | 표현봉 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 4 | 박선희 | 대한민국 | 대전 서구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 신성특허법인(유한) | 대한민국 | 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국전자통신연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2006.12.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0907262-28 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2007.07.06 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2007.08.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-2007-0045535-01 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2007.08.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0475000-09 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2007.09.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0678556-75 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2007.09.19 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2007-0678555-29 |
| 7 | 등록결정서 Decision to grant |
2008.02.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0103657-39 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.08.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5150899-36 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 기판 내에 형성된 진공 공동;상기 진공 공동을 덮도록 형성된 지지막;상기 지지막과 상기 진공 공동 사이를 밀봉하는 밀봉막;상기 밀봉막 상부에 형성된 마이크로 히터;상기 마이크로 히터와 절연되어 상기 마이크로 히터 상부에 형성된 복수의 전극; 및상기 복수의 전극을 덮도록 형성된 가스 감응막을 포함하는 마이크로 가스 센서 |
| 2 |
2 기판 내에 형성된 진공 공동;상기 진공 공동을 덮도록 형성된 지지막;상기 지지막과 상기 진공 공동 사이를 밀봉하는 밀봉막;상기 밀봉막 상부에 형성된 마이크로 히터;상기 마이크로 히터와 절연되어 서로 동일 평면 상에 형성된 복수의 전극; 및상기 마이크로 히터와 상기 복수의 전극을 덮도록 형성된 가스 감응막을 포함하는 마이크로 가스 센서 |
| 3 |
3 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 진공 공동은 그 평면 구조가 원형, 반원형, 타원형, 마름모형, 평행사변형, 사다리꼴형, 삼각형, 사각형, 육각형 및 팔각형의 형상 중 어느 하나의 형상을 갖는 마이크로 가스 센서 |
| 4 |
4 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 진공 공동은 평면 상에서 1㎛~10mm의 직경이나, 한 면 치수 또는 폭을 갖는 마이크로 가스 센서 |
| 5 |
5 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 기판 상부로부터 상기 진공 공동의 바닥면까지의 깊이는 1㎛~900㎛인 마이크로 가스 센서 |
| 6 |
6 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 지지막은 다결정 실리콘막으로 형성된 마이크로 가스 센서 |
| 7 |
7 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 지지막은 1~20㎛의 두께로 형성된 마이크로 가스 센서 |
| 8 |
8 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 마이크로 히터는 불순물로 도핑된 다결정 실리콘막으로 형성된 마이크로 가스 센서 |
| 9 |
9 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 마이크로 히터는 백금으로 이루어진 단층 또는 적어도 백금을 포함하는 적층으로 형성된 마이크로 가스 센서 |
| 10 |
10 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 마이크로 히터와 상기 전극을 절연시키는 절연막을 더 포함하는 마이크로 가스 센서 |
| 11 |
11 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 복수의 전극은 서로 분리되고, IDA(Interdigitated array) 구조를 갖는 마이크로 가스 센서 |
| 12 |
12 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 복수의 전극 각각은 분기된 적어도 하나의 가지(finger)를 갖는 마이크로 가스 센서 |
| 13 |
13 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 복수의 전극은 백금으로 이루어진 단층 또는 적어도 백금을 포함하는 적층으로 형성된 마이크로 가스 센서 |
| 14 |
14 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 가스 감응막은 금속, 반도체 또는 금속 산화물로 형성된 마이크로 가스 센서 |
| 15 |
15 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 마이크로 히터와 연결된 복수의 금속배선을 더 포함하는 마이크로 가스 센서 |
| 16 |
16 제 15 항에 있어서, 상기 금속배선은 상기 마이크로 히터와 일체형으로 형성된 마이크로 가스 센서 |
| 17 |
17 제 16 항에 있어서, 상기 금속배선의 일부에 형성된 패드를 더 포함하는 마이크로 가스 센서 |
| 18 |
18 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 복수의 전극과 각각 연결된 복수의 금속배선을 더 포함하는 마이크로 가스 센서 |
| 19 |
19 제 18 항에 있어서, 상기 금속배선은 상기 전극과 일체형으로 형성된 마이크로 가스 센서 |
| 20 |
20 제 19 항에 있어서, 상기 금속배선의 일부에 형성된 패드를 더 포함하는 마이크로 가스 센서 |
| 21 |
21 기판 내에 공동을 형성하는 단계;상기 공동 상부에 지지막을 형성하는 단계;상기 공동이 진공 상태로 밀봉되도록 상기 지지막을 포함하는 상기 기판 상부에 밀봉막을 형성하는 단계;상기 밀봉막 상부에 상호 절연된 마이크로 히터와 복수의 전극을 형성하는 단계; 및상기 마이크로 히터와 상기 복수의 전극 상부에 가스 감응막을 형성하는 단계를 포함하는 마이크로 가스 센서의 제조방법 |
| 22 |
22 제 21 항에 있어서, 상기 공동을 형성하는 단계는, 상기 기판 내에 복수의 트렌치를 형성하는 단계;상기 트렌치의 일부를 산화시켜 열산화막을 형성하는 단계;상기 열산화막을 덮도록 제1 산화막을 형성하는 단계;상기 제1 산화막의 양측부가 노출되도록 상기 기판 상부에 상기 지지막용 물질을 형성하는 단계; 및노출되는 제1 산화막의 양측부를 통해 식각용액을 침투시켜 상기 제1 산화막과 상기 열산화막을 제거하는 단계를 포함하는 마이크로 가스 센서의 제조방법 |
| 23 |
23 제 22 항에 있어서, 상기 트렌치를 형성하는 단계는 바 패턴 또는 고립된 패턴으로 형성하는 마이크로 가스 센서의 제조방법 |
| 24 |
24 제 22 항에 있어서, 상기 트렌치를 형성하는 단계는,상기 기판 상부에 질화막을 형성하는 단계;상기 질화막 상에 제2 산화막을 형성하는 단계; 및상기 제2 산화막, 상기 질화막 및 상기 기판의 일부를 식각하는 단계를 포함하는 마이크로 가스 센서의 제조방법 |
| 25 |
25 제 22 항에 있어서, 상기 트렌치를 형성하는 단계 후, 상기 트렌치의 내측벽을 불순물 이온으로 도핑시키는 단계를 더 포함하는 마이크로 가스 센서의 제조방법 |
| 26 |
26 제 25 항에 있어서, 상기 트렌치의 내측벽을 불순물 이온으로 도핑시키는 단계는 전기로에서 POCl3를 상기 트렌치의 내측벽으로 확산시키는 방법으로 실시하는 마이크로 가스 센서의 제조방법 |
| 27 |
27 제 22 항에 있어서, 상기 열산화막을 형성하는 단계는 O2 또는 H2/O2 분위기에서 900~1000℃의 온도로 실시하는 마이크로 가스 센서의 제조방법 |
| 28 |
28 제 22 항에 있어서, 상기 열산화막을 형성하는 단계는 상기 열산화막을 산화공정을 통해 상기 트렌치 내부면에 형성하되, 상기 트렌치가 매립되지 않도록 형성하여 상기 트렌치 내부에서 상기 열산화막 사이에 미세 기공부가 형성되도록 실시하는 마이크로 가스 센서의 제조방법 |
| 29 |
29 제 28 항에 있어서, 상기 미세 기공부는 0 |
| 30 |
30 제 22 항에 있어서, 상기 제1 산화막과 상기 열산화막을 제거하는 단계는 BHF(Bufferd HF) 용액을 사용하는 마이크로 가스 센서의 제조방법 |
| 31 |
31 제 21 항에 있어서, 상기 밀봉막은 전기적인 특성이 없는 절연체로 형성하는 마이크로 가스 센서의 제조방법 |
| 32 |
32 제 21 항에 있어서, 상기 마이크로 히터와 상기 복수의 전극은 각각 불순물 이온으로 도핑된 다결정 실리콘막으로 형성하거나, 백금으로 이루어진 단층 또는 적어도 백금을 포함하는 적층 구조로 형성하는 마이크로 가스 센서의 제조방법 |
| 33 |
33 제 32 항에 있어서, 상기 다결정 실리콘막은 전기로를 사용하여 850~900℃의 온도에서 질소와 산소 분위기로 n형 또는 p형 도핑 소오스를 이용하여 형성하는 마이크로 가스 센서의 제조방법 |
| 34 |
34 제 21 항에 있어서, 상기 마이크로 히터와 상기 복수의 전극은 동일 평면 상에 형성하는 마이크로 가스 센서의 제조방법 |
| 35 |
35 제 21 항에 있어서, 상기 마이크로 히터와 상기 복수의 전극은 서로 다른 평면 상에 형성하는 마이크로 가스 센서의 제조방법 |
| 36 |
36 제 21 항에 있어서, 상기 마이크로 히터와 상기 복수의 전극을 형성하는 단계는, 상기 밀봉막 상부에 마이크로 히터를 형성하는 단계;상기 마이크로 히터를 포함하는 상기 기판 상부에 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막을 식각하여 상기 마이크로 히터의 일부를 노출시키는 단계; 및상기 공동과 대응되는 부위의 상기 절연막 상에 상기 복수의 전극을 형성하는 동시에 상기 마이크로 히터의 노출부와 접속되는 복수의 금속배선을 형성하는 단계를 포함하는 마이크로 가스 센서의 제조방법 |
| 37 |
37 제 21 항에 있어서, 상기 마이크로 히터와 상기 복수의 전극을 형성하는 단계는 동시에 형성하는 마이크로 가스 센서의 제조방법 |
| 38 |
38 제 21 항에 있어서, 상기 마이크로 히터와 상기 복수의 전극은 리프트-오프 공정으로 형성하는 마이크로 가스 센서의 제조방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US07963147 | US | 미국 | FAMILY |
| 2 | US20080134753 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US2008134753 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | US7963147 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0812996-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20061207 출원 번호 : 1020060123686 공고 연월일 : 20080313 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20080227 청구범위의 항수 : 14 유별 : G01N 27/12 발명의 명칭 : 마이크로 가스 센서 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 888,000 원 | 2008년 03월 07일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 876,000 원 | 2011년 02월 28일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 876,000 원 | 2012년 02월 28일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 348,000 원 | 2013년 03월 04일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 632,000 원 | 2014년 03월 03일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 632,000 원 | 2015년 02월 26일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 632,000 원 | 2016년 02월 26일 | 납입 |
| 제 10 년분 | 금 액 | 1,010,000 원 | 2017년 02월 24일 | 납입 |
| 제 11 년분 | 금 액 | 1,010,000 원 | 2018년 02월 26일 | 납입 |
| 제 12 년분 | 금 액 | 505,000 원 | 2019년 03월 04일 | 납입 |
| 제 13 년분 | 금 액 | 565,000 원 | 2020년 02월 24일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2006.12.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0907262-28 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2007.07.06 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2007.08.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-2007-0045535-01 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2007.08.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0475000-09 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2007.09.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0678556-75 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 | 2007.09.19 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2007-0678555-29 |
| 7 | 등록결정서 | 2008.02.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0103657-39 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.08.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5150899-36 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1440000824 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2006-S-007-01 |
| 연구과제명 | 유비쿼터스건강관리용모듈/시스템 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 정보통신연구진흥원 |
| 연구주관기관명 | 한국전자통신연구원 |
| 성과제출연도 | 2006 |
| 연구기간 | 200603~200702 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1415086485 |
|---|---|
| 세부과제번호 | A1100-0802-0112 |
| 연구과제명 | 유비쿼터스건강관리용모듈/시스템 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 정보통신연구진흥원 |
| 연구주관기관명 | 한국전자통신연구원 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200603~201002 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
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