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금속-절연체 전이층을 포함하는 전계발광소자

  • 기술번호 : KST2015082391
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 휘도가 크고 구동전압이 낮은 전계발광소자를 제공한다. 그 소자는 기판 상에 위치하며 빛을 발생할 수 있는 발광중심이온을 갖는 형광층의 일측에 배치되며, 전압의 변화에 의해 급격하게 절연체에서 금속으로 상전이하는 금속-절연체 전이(MIT)층을 포함한다. 그리고 MIT층에 부착되어 외부에서 인가된 전압을 분배하기 위한 제1 절연층 및 형광층의 타측에 배치되는 제2 절연층을 포함하는 금속-절연체 전이층을 포함한다.금속-절연체 전이, 전계발광소자, 형광층
Int. CL H05B 33/20 (2006.01) H01L 31/12 (2006.01) H05B 33/02 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020060124117 (2006.12.07)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0799591-0000 (2008.01.24)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080130) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.12.07)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤선진 대한민국 대전 유성구
2 임정욱 대한민국 대전 유성구
3 김현탁 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2006-0908885-20
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.09.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.10.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0058608-39
4 등록결정서
Decision to grant
2007.12.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0658988-63
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 위치하며, 빛을 발생할 수 있는 발광중심이온을 갖는 형광층;상기 형광층의 일측에 배치되며, 전압의 변화에 의해 급격하게 절연체에서 금속으로 상전이하는 금속-절연체 전이(MIT)층;상기 MIT층에 부착되어 외부에서 인가된 전압을 분배하기 위한 제1 절연층; 및상기 형광층의 타측에 배치되는 제2 절연층을 포함하는 금속-절연체 전이층을 포함하는 전계발광소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 절연층에 부착되어 외부의 전압이 인가되는 제1 전극; 및상기 제2 절연층에 부착되어 외부의 전압이 인가되는 제2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이층을 포함하는 전계발광소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 기판을 향하여 상기 제2 절연층에 수직한 방향으로 빛을 방출하는 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이층을 포함하는 전계발광소자
4 4
제2항에 있어서, 상기 제2 전극을 향하여 상기 제2 절연층에 수직한 방향으로 빛을 방출하는 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이층을 포함하는 전계발광소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 형광층을 발광시키기 위한 전압은 상기 MIT층에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이층을 포함하는 전계발광소자
6 6
제1항에 있어서, MIT 층에 나누어 걸리는 전압이 VMIT일 때 형광층에 걸리는 전압은 형광층이 발광하기 위한 임계 전압인 Vp 보다 낮고, MIT 층이 금속으로 전이하여 더 이상 전계가 유지되지 못하여 그에 따른 결과로써 형광층에 걸리는 전압이 증가하게 되었을 때 그 증가한 전압은 Vp 보다 크도록 MIT층의 두께가 결정되는 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이층을 포함하는 전계발광소자
7 7
제1항에 있어서, 상기 MIT층은 산소, 탄소, 반도체 원소(III-V족, II-VI족), 전이금속원소, 희토류원소, 란탄계 원소들을 포함하는 저 농도의 정공이 첨가된 무기물 화합물 반도체 및 절연체, 저 농도의 정공이 첨가된 유기물 반도체 및 절연체, 저 농도의 정공이 첨가된 반도체, 및 저 농도의 정공이 첨가된 산화물 반도체 및 절연체 중에서 선택된 하나 또는 복수개의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이층을 포함하는 전계발광소자
8 8
제1항에 있어서, 상기 MIT층은 산소, 탄소, 반도체 원소(III-V족, II-VI족), 전이금속원소, 희토류원소, 란탄계 원소들을 포함하는 저 농도의 전자가 첨가된 무기물 화합물 반도체 및 절연체, 저 농도의 전자가 첨가된 유기물 반도체 및 절연체, 저 농도의 전자가 첨가된 반도체, 및 저 농도의 전자가 첨가된 산화물 반도체 및 절연체 중에서 선택된 하나 또는 복수개의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이층을 포함하는 전계발광소자
9 9
제1항에 있어서, 상기 MIT층은 n형의 반도체 또는 절연체로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계발광소자
10 10
기판;상기 기판 상에 위치하며, 빛을 내는 발광중심이온을 갖는 형광층;상기 형광층의 일측에 배치되며, 전압의 변화에 의해 급격하게 절연체에서 금속으로 상전이하는 제1 MIT층;상기 제1 MIT층에 부착되어 외부에서 인가된 전압을 분배하는 제1 절연층; 상기 형광층의 타측에 배치되며, 전압의 변화에 의해 급격하게 절연체에서 금속으로 상전이하는 제2 MIT층; 및상기 제2 MIT층에 부착되어 외부에서 인가된 전압을 분배하는 제2 절연층을 포함하는 금속-절연체 전이층을 포함하는 전계발광소자
11 11
제10항에 있어서, 상기 제1 절연층에 부착되어 외부의 전압이 인가되는 제1 전극; 및상기 제2 절연층에 부착되어 외부의 전압이 인가되는 제2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이층을 포함하는 전계발광소자
12 12
제10항에 있어서, 상기 제1 절연층에 수직한 방향으로 빛을 방출하는 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이층을 포함하는 전계발광소자
13 13
제10항에 있어서, 상기 형광층에 평행한 방향으로 빛을 방출하는 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이층을 포함하는 전계발광소자
14 14
제10항에 있어서, 상기 제1 및 제2 MIT층의 각각의 두께는 각 MIT 층에 나누어 걸리는 전압이 VMIT일 때 형광층에 걸리는 전압은 형광층이 발광하기 위한 임계 전압인 Vp 보다 낮고, MIT 층이 금속으로 전이하여 더 이상 전계가 유지되지 못하여 그에 따른 결과로써 형광층에 걸리는 전압이 증가하게 되었을 때 그 증가한 전압은 Vp 보다 크도록 두 MIT층의 두께가 결정되는 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이층을 포함하는 전계발광소자
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2 US8174188 US 미국 DOCDBFAMILY
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