맞춤기술찾기

이전대상기술

전류 확산층을 포함하는 발광소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015082412
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물 반도체를 이용한 발광소자의 제조방법에 관한 것으로, 이종 접합 구조를 이용한 n형 및 p형 전류 확산층(current spreading layer)을 형성하는 단계, n형 및 p형 전류 확산층에 건식 식각을 통한 트렌치 형성단계, n형 전류 확산층 내에 형성된 트렌치에 n형 금속 전극을 형성하는 단계, p형 전류 확산층내에 형성된 트렌치에 p형 금속 전극을 형성하는 단계 및 p형 금속 전극층 상에 투명 전극(transparent metal)층을 형성하는 단계를 포함함으로써, 종래의 발광소자 제조방법에 비해 n형 및 p형 전극층에서 전류 확산 특성을 개선하여 발광소자의 동작 특성을 높이기 위한 구조이다. 질화물 반도체, 발광소자, 트렌치, 전류 확산층
Int. CL H01L 33/14 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020060123959 (2006.12.07)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0869962-0000 (2008.11.17)
공개번호/일자 10-2008-0052016 (2008.06.11) 문서열기
공고번호/일자 (20081124) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.12.07)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 배성범 대한민국 대전 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2006-0908506-42
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.09.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.10.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0058614-14
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0624244-83
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.01.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0046355-38
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0046345-82
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0266415-20
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.06.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0437964-94
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2008-0437953-92
10 등록결정서
Decision to grant
2008.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0567700-65
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 기판 상에 완충층을 형성하는 단계;b) 상기 완충층 상에 이종 접합 구조로 형성된 n형 전류 확산층을 포함하는 다층 구조의 n형 전극층을 형성하는 단계;c) 상기 n형 전극층 상에 활성층을 형성하는 단계; 및 d) 상기 활성층 상에 이종 접합 구조로 형성된 p형 전류 확산층을 포함하는 다층 구조의 p형 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,e) 상기 p형 전극층 형성 후, 상기 n형 전극층에 형성된 상기 n형 전류 확산층이 노출되도록 식각하는 단계; f) 식각 공정을 이용하여 상기 노출된 n형 전류 확산층과 상기 p형 전류 확산층 각각에 n형 트렌치 및 p형 트렌치를 형성하는 단계;g) 상기 각각의 트렌치에 금속을 삽입하여 n형 금속 전극층 및 p형 금속 전극층을 형성하는 단계; 및h) 상기 p형 금속 전극층 상에 투명 전극층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광소자의 제조방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 b) 단계는b1) 전자를 공급하는 n-GaN층을 형성하는 단계;b2) 상기 n-GaN층 상에 AlGaN/GaN 이종 접합 구조인 상기 n형 전류 확산층을 형성하는 단계; 및b3) 상기 n형 전류 확산층 상에 n+-GaN층을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조방법
4 4
제2항에 있어서, 상기 d) 단계는d1) 정공을 공급하는 p-GaN층을 형성하는 단계;d2) 상기 p-GaN층 상에 AlGaN/GaN 이종 접합 구조인 상기 p형 전류 확산층을 형성하는 단계; 및 d3) 상기 p형 전류 확산층 상에 p형 장벽층을 형성하는 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법
5 5
제2항에 있어서, 상기 n형 트렌치의 두께는 상기 n형 전류 확산층을 이루는 이종 접합 구조의 1 내지 3주기 범위이며, 상기 p형 트렌치의 두께는 상기 p형 전류 확산층을 이루는 이중 접합 구조의 1 내지 3주기 범위인 발광소자의 제조 방법
6 6
제4항에 있어서,상기 p형 장벽층은 30 ~ 100Å 두께 범위의 p+-AlGaN층인 발광소자의 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 n형 전류 확산층을 이차원 전자 가스층으로 이용하기 위해, AlGaN층은 도핑하지 않고 GaN층은 실리콘으로 도핑한 AlGaN/GaN 이종 접합 구조를 형성하는 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법
8 8
제1항에 있어서,상기 p형 전류 확산층을 이차원 정공 가스층으로 이용하기 위해, AlGaN층은 1017/㎤ 이하로 GaN층은 1017/㎤ 이상으로 Mg 도핑한 AlGaN/GaN 이종 접합 구조를 형성하는 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP05048076 JP 일본 FAMILY
2 JP22512017 JP 일본 FAMILY
3 US07998771 US 미국 FAMILY
4 US20100240162 US 미국 FAMILY
5 WO2008069482 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2010512017 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP2010512017 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JP2010512017 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP5048076 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US2010240162 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US7998771 US 미국 DOCDBFAMILY
7 WO2008069482 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.