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전이 전압에서 불연속 MIT를 일으키는 MIT 소자를 포함한 측정 대상부;상기 측정 대상부로 소정의 펄스 전류 또는 전압을 인가하기 위한 전원부;상기 MIT 소자의 불연속 MIT를 측정하는 측정부; 및상기 전원부와 상기 측정부를 제어하는 제어부;를 포함하여 상기 MIT 소자의 불연속 MIT를 측정하는 불연속 MIT 측정회로
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제1 항에 있어서,상기 측정부는 마이크로프로세서(microprocessor)를 포함하는 것을 특징으로 하는 불연속 MIT 측정회로
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제2 항에 있어서,상기 측정 대상부는 상기 MIT 소자에 직렬연결된 보호 저항을 포함하고,상기 전원부는 펄스 전압 또는 전류를 만들기 위한 디지털아날로그 컨버터(Digital/Analog Converter: DAC) 및 상기 DAC의 신호를 증폭하기 위한 연산 증폭기를 포함하며,상기 측정부는 비교기(comparator) 및 상기 비교기의 신호를 저장하여 상기 마이크로프로세서로 전달하는 에지 트리거드 플립-플롭(Edge triggered flip-flop) 또는 샘플 홀더(sample holder)를 포함하는 것을 특징으로 하는 불연속 MIT 측정회로
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제3 항에 있어서,상기 비교기의 2개의 입력 단자 중 제1 단자는 상기 MIT 소자와 상기 보호저항 사이에 연결되고, 제2 단자는 상기 MIT 소자의 전이 전압에 대응하는 기준 전압에 연결되며,상기 기준 전압은 가변 저항을 통해 조절되며,상기 MIT 소자로는 상기 전원부에서 생성된 상기 펄스 전압 또는 전류가 인가되는 것을 특징으로 하는 불연속 MIT 측정회로
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제4 항에 있어서,상기 비교기는 상기 제1 단자의 전압 및 상기 제2 단자의 전압을 비교하여 상기 제1 단자의 전압이 상기 제2 단자의 전압보다 낮은 경우는 로우(low) 신호를 출력하고 상기 제1 단자의 전압이 상기 제2 단자의 전압과 같거나 높은 경우에 하이(high) 신호를 출력하며,상기 에지 트리거드 플립-플롭 또는 샘플 홀더는 상기 비교기의 출력 신호를 저장하여 상기 마이크로프로세서로 전달하는 것을 특징으로 하는 불연속 MIT 측정회로
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제1 항에 있어서,상기 소정의 펄스 전류 혹은 전압은 마이크로프로세서에 의해 인가될 수 있는 것을 특징으로 하는 불연속 MIT 측정회로
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제2 항에 있어서,상기 측정 대상부는 상기 MIT 소자와 직렬연결된 보호 저항을 포함하고,상기 전원부는 펄스 전압 또는 전류를 만들기 위한 디지털아날로그 컨버터(Digital/Analog Converter: DAC) 및 상기 DAC의 신호를 증폭하기 위한 연산 증폭기를 포함하며,상기 측정부는 샘플 홀더 및 상기 샘플 홀더의 신호를 디지털 신호로 변환하는 아날로그디지탈 컨버터(Analog/Digital Converter: ADC)를 포함하는 것을 특징으로 하는 불연속 MIT 측정회로
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제7 항에 있어서,상기 전원부에서 상기 MIT 소자로 인가되는 전압 또는 전류는 고주파 신호로 인가되고,상기 샘플 홀더가 상기 MIT 소자의 전단에서의 전압 또는 전류 신호의 변화를 소정 시간 저장하며,상기 ADC가 상기 샘플 홀더의 출력을 받아 디지탈 신호로 변환한 후 상기 마이크로프로세서로 전달하는 것을 특징으로 하는 불연속 MIT 측정회로
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제7 항에 있어서,상기 마이크로 프로세스는 데이터 버스(date bus)를 통해 상기 DAC로 제어신호를 출력하고, 상기 ADC로부터의 상기 MIT 소자의 변화에 대한 출력을 전달받으며,상기 데이터 버스를 통한 신호 전달은 칩 셀렉터(chip selector)를 통해 제어되는 것을 특징으로 하는 불연속 MIT 측정회로
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10
제2 항에 있어서,상기 측정 대상부는 상기 MIT 소자에 직렬연결된 보호 저항을 포함하고,상기 전원부는 펄스 전류 또는 전압에 의해 제어되는 트랜지스터 및 상기 측정 대상부로 고정 전압을 인가하기 위한 입력 전원을 포함하며,상기 측정부는 비교기(comparator) 및 상기 비교기의 신호를 저장하여 상기 마이크로프로세서로 전달하는 에지 트리거드 플립-플롭(Edge triggered flip-flop) 또는 샘플 홀더(sample holder)를 포함하는 것을 특징으로 하는 불연속 MIT 측정회로
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제10 항에 있어서,상기 비교기의 2개의 입력 단자 중 제1 단자는 상기 MIT 소자와 상기 보호 저항 사이에 연결되며, 제2 단자는 상기 MIT 소자의 전이 전압에 대응하는 기준 전압이 인가되며,상기 기준 전압은 가변 저항을 통해 조절되며,상기 비교기는 상기 제1 단자의 전압 및 상기 제2 단자의 전압을 비교하여 상기 제1 단자의 전압이 상기 제2 단자의 전압보다 낮은 경우는 로우(low) 신호를 출력하고 상기 제1 단자의 전압이 상기 제2 단자의 전압과 같거나 높은 경우에 하이(high) 신호를 출력하며,상기 에지 트리거드 플립-플롭 또는 샘플 홀더는 상기 비교기의 출력 신호를 저장하여 상기 마이크로프로세서로 전달하는 것을 특징으로 하는 불연속 MIT 측정회로
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제10 항에 있어서,상기 펄스는 상기 마이크로프로세서에서 생성되어 상기 트랜지스터로 인가되거나, 또는 별도의 펄스 발생용 오실레이터에 의해 상기 트랜지스터로 인가되는 것을 특징으로 하는 불연속 MIT 측정회로
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제10 항에 있어서,상기 트랜지스터는 바이폴라 트랜지스터 또는 MOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 불연속 MIT 측정회로
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제13 항에 있어서,상기 트랜지스터가 바이폴라 트랜지스터이고, 상기 펄스는 베이스로 인가되며, 상기 측정 대상부는 컬렉터 또는 에미터 부분으로 연결되는 것을 특징으로 하는 불연속 MIT 측정회로
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제13 항에 있어서,상기 트랜지스터가 MOS 트랜지스터이고,상기 펄스는 게이트로 인가되며, 상기 측정 대상부는 드레인 또는 소오스 부분에 연결되는 것을 특징으로 하는 불연속 MIT 측정회로
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16
제2 항에 있어서,상기 측정 대상부는 상기 MIT 소자에 직렬연결된 보호 저항을 포함하고,상기 전원부는 펄스 전류 또는 전압에 의해 제어되는 트랜지스터 및 상기 측정 대상부로 고정 전압을 인가하기 위한 입력 전원을 포함하며,상기 측정부는 샘플 홀더 및 상기 샘플 홀더의 신호를 디지털 신호로 변환하는 아날로그디지탈 컨버터(Analog/Digital Converter: ADC)를 포함하는 것을 특징으로 하는 불연속 MIT 측정회로
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제16 항에 있어서,상기 측정부의 상기 MIT 소자로는 상기 트랜지스터의 펄스에 따라 제어되는 고주파 펄스 전압 또는 전류가 인가되고,상기 샘플 홀더가 상기 MIT 소자의 전단에서의 전압 또는 전류 신호의 변화를 소정 시간 저장하며,상기 ADC가 상기 샘플 홀더의 출력을 받아 디지탈 신호로 변화한 후, 상기 마이크로프로세서로 전달하는 것을 특징으로 하는 불연속 MIT 측정회로
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제2 항, 제3 항, 제7 항, 제10 항 및 제16 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 측정 대상부는 적어도 2개의 MIT 소자 및 상기 MIT 소자들의 선택을 위한 멀티플렉서를 포함하고,상기 마이크로프로세서가 상기 멀티플렉서에 선택신호를 인가함으로써, 상기 MIT 소자들 전부 또는 선택된 MIT 소자들에 대한 불연속 MIT를 측정하는 것을 특징으로 하는 불연속 MIT 측정회로
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제1 항, 제3 항, 제7 항, 제10 항 및 제16 항 중 어느 한 항의 불연속 MIT 측정회로를 포함하는 MIT 센서
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제19 항에 있어서,상기 MIT 센서는 온도 센서, 적외선 센서, 이미지 센서, 압력 센서, 전자파 센서, 입자검출기 및 개스 농도 센서 및 스위치 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 MIT 센서
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제19 항에 있어서,상기 측정 대상부는 다수개의 MIT 소자를 포함하고,상기 MIT 소자들은 직렬, 병렬 또는 직렬 및 병렬로 연결되거나, 어레이 또는 매트릭스(matrix) 구조로 배열되어 형성되는 것을 특징으로 하는 MIT 센서
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제21 항에 있어서,상기 MIT 소자들은 어레이 또는 매트릭스 구조로 배열되고, 상기 MIT 소자들은 적외선을 포함한 전자기파에 의해 전이 전압이 변화되며,상기 불연속 MIT 측정회로가 상기 전이 전압을 검출하여 전자기파의 세기를 측정하는 것을 특징으로 하는 MIT 센서
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제22 항에 있어서,상기 MIT 센서는 이미지 센서인 것을 특징으로 하는 MIT 센서
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