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1) 산화 또는 질화되지 않은 비변형 고체표면을 빛과 반응할 수 있는 작용기로 개질시키는 단계;2) 상기 작용기로 개질된 고체표면에 표면과 반응할 수 있는 작용기와 알데히드 보호기를 포함한 화합물을 접촉시키는 단계;3) 상기 고체표면에 광을 조사하여 표면-탄소, 표면-질소 또는 표면-황 결합을 형성시키고 표면 말단을 알데히드 보호기로 개질시키는 단계; 및4) 상기 알데히드 보호기로 개질된 표면으로부터 보호기를 제거하여 알데히드기로 고체표면을 개질시키는 단계를 포함하는 비변형 고체표면의 선택적 개질 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 고체는 4족 원소가 포함된 결정 또는 비정질 고체, 화합물 반도체, 플라스틱, 고분자 및 금속으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인방법
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제 1 항에 있어서,상기 빛과 반응할 수 있는 작용기는 수소, 탄화수소, 하이드록실기, 카르보닐기, 카르복실기, 아민기 및 티올기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상인방법
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제 1 항에 있어서,상기 1) 단계는, 상기 고체표면을 0
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제 1 항에 있어서,상기 표면과 반응할 수 있는 작용기는 말단 또는 가지, 비고리 또는 고리 불포화 탄화수소기, 티올기, 카르보닐기, 카르복실기, 아민기, 이민기, 나이트로기, 하이드록실기, 페닐기, 나이트릴기, 이소시아노기 및 이소티오시아노기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상인방법
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제 1 항에 있어서,상기 알데히드 보호기는 비고리 아세탈기 및 고리 아세탈기 중 어느 하나 인상인방법
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제 1 항에 있어서, 상기 3) 단계는, 적외선, 가시광선, 자외선 또는 X-선을 1분~24시간 동안 조사하여 수행되는 방법
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제 1 항에 있어서,상기 4) 단계는, 산, 염기, 산화제, 환원제, 전기, 열 또는 광에 의해 수행되는방법
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제 1 항에 있어서,상기 4) 단계는, 고체표면에 10~50% 트리플루오로 아세트산 용액을 첨가한 후, -10~60℃에서 10분~5시간 동안 반응시켜 수행되는 방법
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제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조된 알데히드기로 개질된 고체표면에 활성물질을 고정화시키는 단계를 포함하는, 비변형 고체 표면에 대한 활성물질의 고정화 방법
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제 10 항에 있어서, 상기 활성물질은, 바이오 물질, 기능성 물질, 나노 물질 및 고분자로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상인방법
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제 10 항에 있어서,상기 활성물질을 고체표면에 고정시키기 전에, 알데히드기와 반응할 수 있는 작용기를 활성물질에 형성 또는 치환시키는 단계를 더 포함하는방법
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제 12 항에 있어서, 상기 알데히드기와 반응할 수 있는 작용기는 아민기, 히드라진기, 히드라존기, 시아노기, 이소시아노기, 이소티오시아노기, 할로겐기, 나이트로기, 알콜기, 티올기 및 그리니아드 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상인방법
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