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기판을 적어도 하나 이상의 Cd 염, 적어도 하나 이상의 Cu 염, 적어도 하나 이상의 황 공급원, 암모니아, 염화암모늄(NH4Cl) 및 트리에틸아민(TEA: triethylamine)을 포함하는 수용액에 담그는 것을 포함하는 화학조 침착법에 의한 Cd(Cu)S 박막을 형성하는 방법
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제1 항에 있어서, 상기 Cd 염은 염화카드뮴(CdCl2), 황산카드뮴(CdSO4) 또는 카드뮴 아세테이트(Cd(CH3COO)2)를 포함하는 화학조 침착법에 의한 Cd(Cu)S 박막을 형성하는 방법
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제1 항에 있어서, 상기 Cu 염은 황산구리(CuSO4)을 포함하는 화학조 침착법에 의한 Cd(Cu)S 박막을 형성하는 방법
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제1 항에 있어서, 상기 황 공급원은 티오우레아(SC(NH2)2)를 포함하는 화학조 침착법에 의한 Cd(Cu)S 박막을 형성하는 방법
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제1 항에 있어서, 상기 염화암모늄의 농도는 10-3 ~ 10-2 M 인 화학조 침착법에 의한 Cd(Cu)S 박막을 형성하는 방법
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제1 항에 있어서, 상기 트리에틸아민의 농도는 10-4 ~ 5×10-3 M 인 화학조 침착법에 의한 Cd(Cu)S 박막을 형성하는 방법
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제1 항에 있어서, 상기 반응조를 약 20~60 분간 45~65 ℃의 온도로 가열하는 것을 포함하는 화학조 침착법에 의한 Cd(Cu)S 박막을 형성하는 방법
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기판을 적어도 하나 이상의 Cd 염, 적어도 하나 이상의 황 공급원, 암모니아, 염화암모늄 및 트리에틸아민(TEA: triethylamine)을 포함하는 수용액에 기판을 담그는 것을 포함하는 화학조 침착법에 의한 CdS 박막을 형성하는 방법
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제8 항에 있어서, 상기 Cd 염은 염화카드뮴(CdCl2), 황산카드뮴(CdSO4) 또는 카드뮴 아세테이트(Cd(CH3COO)2)를 포함하는 화학조 침착법에 의한 CdS 박막을 형성하는 방법
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제8 항에 있어서, 상기 황 공급원은 티오우레아(SC(NH2)2)를 포함하는 화학조 침착법에 의한 CdS 박막을 형성하는 방법
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제8 항에 있어서, 상기 염화암모늄의 농도는 10-3 ~ 10-2 M 인 화학조 침착법에 의한 CdS 박막을 형성하는 방법
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제8 항에 있어서, 상기 트리에틸아민의 농도는 10-4 ~ 5×10-3 M 인 화학조 침착법에 의한 CdS 박막을 형성하는 방법
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제8 항에 있어서, 상기 CdS 박막을 형성하는 단계에서 상기 반응조를 55~75 ℃로 가열하는 것을 포함하는 다이오드 제조방법
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기판에 하부전극을 형성하는 단계;상기 하부전극이 형성된 상기 기판을 반응조에서 적어도 하나 이상의 Cd 염, 황산구리(CuSO4), 티오우레아(SC(NH2)2), 암모니아(NH3), 염화암모늄(NH4Cl) 및 트리에틸아민(TEA: triethylamine)을 포함하는 수용액에 담그어 상기 하부전극 위에 p 도전형의 Cd(Cu)S 박막을 형성하는 단계;상기 Cd(Cu)S 박막이 형성된 상기 기판을 반응조에서 적어도 하나 이상의 Cd 염, 티오우레아, 암모니아, 염화암모늄 및 트리에틸아민을 포함하는 수용액에 담그어 상기 Cd(Cu)S 박막 위에 n 형 도전셩의 CdS 박막을 형성하는 단계; 및상기 CdS 박막 위에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하는 다이오드 제조방법
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제14 항에 있어서, 상기 하부전극은 ITO 전극 또는 SnO2(F) 전극을 포함하는 투명도전막으로 형성하는 다이오드 제조방법
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제14 항에 있어서, 상기 Cd(Cu)S 박막을 형성하는 단계에서 상기 반응조를 45~65℃로 가열하는 것을 포함하는 다이오드 제조방법
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제14 항에 있어서, 상기 CdS 박막을 형성하는 단계에서 상기 수용액을 약 20~ 60 분간 55~75 ℃ 의 온도로 가열하는 것을 포함하는 다이오드 제조방법
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제14 항에 있어서, 상기 Cd(Cu)S 박막의 형성 후 상기 CdS 박막의 형성 전 절연체 박막을 형성하는 단계를 더 포함하는 다이오드 제조방법
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제18 항에 있어서, 상기 절연체 박막은 열산화막으로 형성하는 다이오드 제조방법
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제18 항에 있어서, 상기 절연체 박막은 실리콘 산화막(SiO2) 또는 티타늄 산화막(TiO2) 또는 산화 알루미늄(Al2O3)으로 형성하는 다이오드 제조방법
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