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AXYY'의 화학식을 갖는 광전 물질(여기서, A는 11족 원소이고, X는 15족 원소이고, Y 및 Y'는 서로 같거나 상이한 16족 원소임)
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제 1 항에 있어서, 상기 광전 물질이 결정질인 것을 특징으로 하는 광전 물질
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제 1 항에 있어서, 상기 A가 구리(Cu)인 것을 특징으로 하는 광전 물질
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제 1 항에 있어서, 상기 X가 비소(As)인 것을 특징으로 하는 광전 물질
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제 1 항에 있어서, 상기 Y가 황(S)이고, 상기 Y'가 셀레늄(Se)인 것을 특징으로 하는 광전 물질
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제 1 항에 있어서, 상기 A가 구리(Cu)이고, 상기 X가 비소(As)이고, 상기 Y가 황(S)이고, 상기 Y'가 셀레늄(Se)인 것을 특징으로 하는 광전 물질
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7
제 1 항에 있어서, 상기 광전 물질의 광학 밴드갭이 20 ℃에서 1
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제 1 항에 있어서, 상기 광전 물질에 대한 X-선 회절 실험을 수행하였을 때, 피크의 위치(2θ)가 43도 내지 45도 및 63도 내지 65도에서 형성되는 것을 특징으로 하는 광전 물질
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9
제 1 항 내지 제 8 항 중의 어느 한 항에 따른 광전 물질을 포함하는 광전 소자
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10
제 9 항에 있어서, 상기 광전 소자가 기판, 상기 기판 위에 형성된 광흡수층, 상기 기판과 상기 광흡수층 사이에 형성된 배면 전극, 상기 광흡수층 위에 형성된 버퍼층, 상기 버퍼층 위에 형성된 윈도우층, 상기 윈도우층 위에 형성된 그리드 전극을 포함하고, 상기 광전 물질이 상기 광흡수층에 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 광전 소자
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11
기판 위에 X2Y3의 화학식을 갖는 제 1 물질을 증착하는 단계;상기 제 1 물질 위에 AY'2의 화학식을 갖는 제 2 물질을 증착하는 단계; 및상기 제 1 물질과 상기 제 2 물질을 열처리하는 단계;를 포함하는 광전 물질의 제조 방법(여기서, A는 11족 원소이고, X는 15족 원소이고, Y 및 Y'는 서로 같거나 상이한 16족 원소임)
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제 11 항에 있어서, 상기 제 1 물질의 화학식이 As2S3인 것을 특징으로 하는 광전 물질의 제조 방법
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제 11 항에 있어서, 상기 제 2 물질의 화학식이 CuSe2인 것을 특징으로 하는 광전 물질의 제조 방법
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제 11 항에 있어서, 상기 열처리가 200 ℃ 내지 300 ℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 광전 물질의 제조 방법
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제 11 항에 있어서, 상기 제 1 물질이 비결정질인 것을 특징으로 하는 광전 물질의 제조 방법
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제 11 항에 있어서, 상기 제 2 물질이 결정질인 것을 특징으로 하는 광전 물질의 제조 방법
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