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반도체 기판;광섬유와의 광 결합을 위해 상기 반도체 기판 상에 리지 형태로 적층 형성되는 제1 광도파로;반도체 레이저 영역, 광변조기 영역, 및 상기 광모드 변환기 영역을 포함하며, 상기 제1 광도파로 상에 적층 형성되는 제2 광도파로; 및상기 제2 광도파로 상에 형성되는 금속 접촉층을 포함하며, 상기 제2 광도파로는 상기 광모드 변환기 영역에서 폭이 점점 얇아지는 테이퍼 형상으로 단면이 역메사 형태인 광모드 크기 변환기가 집적된 레이저 소자
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제1항에 있어서,상기 제2 광도파로는 상기 반도체 레이저 영역 및 상기 광변조기 영역에서 1 ~ 3㎛의 폭을 가지며, 상기 광모드 변환기 영역에서 0보다 크고 1㎛ 이하의 폭을 갖는 광모드 크기 변환기가 집적된 레이저 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제2 광도파로는 InGaAsP층, InGaAsP/InGaAsP 다중 양자 우물층, 클래드층을 포함하는 광모드 크기 변환기가 집적된 레이저 소자
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제3항에 있어서,상기 InGaAsP층은 50 ~ 200㎚ 두께이며, 상기 InGaAsP/InGaAsP 다중양자우물층은 50 ~ 150㎚ 두께인 광모드 크기 변환기가 집적된 레이저 소자
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제3항에 있어서,상기 클래드층은 p 타입 InP층으로, 1~3 ㎛ 두께로 형성되는 광모드 크기 변환기가 집적된 레이저 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 광도파로는 InP층과 InGaAsP층이 반복 형성된 다층 구조이며, 상기 InGaAsP층 중 최상층에 그레이팅(grating)이 형성되는 광모드 크기 변환기가 집적된 레이저 소자
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제6항에 있어서,상기 InP층은 100 ~ 1000㎚두께이며, 상기 InGaAsP층은 10 ~ 100㎚ 두께인 광모드 크기 변환기가 집적된 레이저 소자
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제1항에 있어서,상기 금속 접촉층은 50 ~ 300 ㎚ 두께의 p 타입 InGaAs층인 광모드 크기 변환기가 집적된 레이저 소자
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