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저전압 동작 특성 향상을 위한 이미지 센서

  • 기술번호 : KST2015082704
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 일반적인 4-트랜지스터 씨모스 이미지센서 또는 이와 유사한 구조의 픽셀 구조에 있어서 반드시 공핍이 되어야 하는 기존의 리셋 방법과는 달리 리셋이 충분하지 않은 상태에서도 픽셀내의 트랜스퍼 트랜지스터가 리셋 및 트랜스퍼 동작구간에서 항상 유사 핀치오프 조건에서 동작하도록 구동회로를 구성함으로써 포토다이오드의 리셋전압 감소 및 픽셀간 특성불일치에 의해 발생하는 암전류 및 고정패턴 잡음(fixed pattern noise)을 감소시키는 것을 목적으로 한다.상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 이미지 센서는, 신호의 턴온전압을 낮추거나 파형을 바꾸는 기능을 하는 변환모듈, 필요에 따라 음의 전압을 발생시켜 공급하는 모듈, 출력신호의 기울기를 제한하는 모듈을 적어도 하나 이상 포함하며, 상기 트랜스퍼 트랜지스터가 유사 핀치-오프 모드로 동작하도록 하여 특성을 개선하는 것을 특징으로 한다.CMOS, CIS, 이미지 센서, 핀치-오프, 트랜스퍼 트랜지스터
Int. CL H04N 5/3745 (2011.01) H04N 5/357 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020070064194 (2007.06.28)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0889483-0000 (2009.03.12)
공개번호/일자 10-2008-0035947 (2008.04.24) 문서열기
공고번호/일자 (20090319) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020060102431   |   2006.10.20
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.06.28)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 민봉기 대한민국 대전 유성구
2 조민형 대한민국 대전 서구
3 김미진 대한민국 대전 서구
4 송영주 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0472182-27
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.04.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.05.14 수리 (Accepted) 9-1-2008-0028551-12
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.08.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0422578-79
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2008-0710236-56
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.11.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0782383-70
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2008-0782340-17
8 등록결정서
Decision to grant
2009.03.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0106044-11
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
광전자를 발생시키는 포토 다이오드 및 상기 광전자를 확산노드로 전달하는 트랜스퍼 트랜지스터와 상기 확산노드를 리셋하기 위한 리셋 트랜지스터를 구비하는 감광 픽셀;상기 트랜스퍼 트랜지스터 및 리셋 트랜지스터에 대한 구동 스위칭 신호를 생성하는 구동 회로; 및상기 트랜스퍼 트랜지스터가 턴온 시, 상기 구동 스위칭 신호 또는 전원 전압의 특성을 변경하여 상기 트랜스퍼 트랜지스터를 유사 핀치오프 모드로 구동하고, 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 턴오프 시, 상기 구동 스위칭 신호의 턴오프 전압 레벨을 접지전압보다 낮추어 공급하는 매개회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
2 2
제1항에 있어서, 상기 매개 회로는,상기 구동회로의 스위칭 신호를 변환하여 상기 감광 픽셀에 공급하며, 상기 트랜스퍼 트랜지스터에 대한 구동 스위칭 신호의 라이징을 완화시키는 라이징 완화 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
3 3
제2항에 있어서, 상기 라이징 완화 회로는, 상기 트랜스퍼 트랜지스터에 대한 구동 스위칭 신호를 단계적으로 라이징시키는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
4 4
제2항에 있어서, 상기 라이징 완화 회로는,풀업용 피모스트랜지스터의 소스단이 전류 제한 소자를 경유하여 턴온전압단에 연결되고, 풀다운용 엔모스트랜지스터의 소스단이 턴오프전압단에 연결되는 상보형 모스트랜지스터(CMOS) 인버터를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
5 5
제1항에 있어서, 상기 매개 회로는,상기 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트에 인가되는 턴온 전압이 상기 리셋 트랜지스터의 게이트 전압보다 낮도록 상기 구동 스위칭 신호의 특성을 변경하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
6 6
제1항에 있어서, 상기 매개 회로는,상기 트랜스퍼 트랜지스터에 대한 구동 스위칭 신호의 턴온 전압 레벨을 낮추기 위한 턴온 레벨 다운시프트 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
7 7
제6항에 있어서, 상기 턴온 레벨 다운시프트 회로는,전압 분배기를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
8 8
제6항에 있어서, 상기 턴온 레벨 다운시프트 회로는,풀업용 피모스트랜지스터; 풀다운용 엔모스트랜지스터; 및풀업용 피모스트랜지스터의 소스와 턴온전압단 사이에 연결된 전압강하용 소자를 구비한 CMOS 인버터 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
9 9
제1항에 있어서, 상기 매개회로는, 상기 구동회로의 스위칭 신호 중 리셋 트랜지스터에 대한 리셋 신호의 턴온 전압 레벨을 높이기 위한 턴온 레벨 업시프트 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
10 10
제9항에 있어서, 상기 매개회로는, 상기 리셋 트랜지스터의 드레인에 인가되는 상기 전원전압을 높이기 위한 전원전압 업시프트 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
11 11
제1항에 있어서, 상기 트랜스퍼 트랜지스터는,포토다이오드의 표면 p타입 영역 및 포토다이오드에서 확산 노드로의 전하 전송 채널 사이에 형성되며, 포토다이오드의 표면 p타입 영역과 다른 도핑 패턴을 가지는 p타입 도핑부;상기 p타입 도핑부 및 상기 전하 전송 채널 상부에 위치하는 게이트 옥사이드; 및상기 게이트 옥사이드 상부에 위치하는 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
12 12
제1항에 있어서, 상기 매개 회로는,상기 트랜스퍼 트랜지스터에 대한 구동 스위칭 신호의 턴오프 전압 레벨을 낮추기 위한 턴오프 레벨 시프트 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
13 13
제12항에 있어서, 상기 턴오프 레벨 시프트 회로는음의 방향으로 펌핑을 수행하는 전하 펌프를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
14 14
제1항에 있어서,상기 감광픽셀에 음의 기판전압이 가해지는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
15 15
삭제
16 16
삭제
17 17
삭제
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP04674228 JP 일본 FAMILY
2 JP20104186 JP 일본 FAMILY
3 US07554074 US 미국 FAMILY
4 US20080093534 US 미국 FAMILY

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1 JP2008104186 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP4674228 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US2008093534 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US7554074 US 미국 DOCDBFAMILY
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