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한 쌍의 제1 마스크 패턴 사이의 제1 열린 영역의 폭이 반도체막의 과도 성장이 일어나는 거리보다 큰 상기 한 쌍의 제1 마스크 패턴을 포함하되, 상기 한 쌍의 제1 마스크 패턴은 상기 제1 열린 영역에 형성되는 반도체막의 성장 속도를 증가시킬 수 있는 주기 P를 갖고 반복적으로 배열되는 반도체막의 선택적 영역 성장용 마스크 패턴
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제1 항에 있어서, 상기 주기 P는 100㎛ 내지 500㎛의 범위를 갖는 반도체막의 선택적 영역 성장용 마스크 패턴
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제1 항에 있어서, 상기 제1 열린 영역 이외의 영역의 제2 마스크 패턴을 더 포함하는 반도체막의 선택적 영역 성장용 마스크 패턴
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제4 항에 있어서, 상기 제2 마스크 패턴의 폭은 상기 반도체막의 원하는 성장 속도에 대응하여 다른 값을 갖는 선택적 영역 성장용 마스크 패턴
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제1 항 또는 제4 항에 있어서, 상기 반도체막은 확산 거리가 다른 적어도 두 가지 이상의 Ⅲ 족 원소를 포함한 화합물 반도체막을 포함하는 반도체막의 선택적 영역 성장용 마스크 패턴
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한 쌍의 제1 마스크 패턴 사이의 제1 열린 영역의 폭이 반도체막의 과도 성장이 일어나는 거리보다 큰 상기 한 쌍의 제1 마스크 패턴을 포함하되, 상기 한 쌍의 제1 마스크 패턴은 상기 제1 열린 영역에 형성되는 반도체막의 성장 속도를 증가시킬 수 있는 주기 P를 갖고 반복되되, 상기 주기 P를 조절하여 상기 제1 열린 영역에 형성되는 반도체막의 성장 속도와 스트레인을 조절하는 반도체막의 선택적 영역 성장 방법
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제7 항에 있어서, 상기 주기 P를 100㎛ 내지 500㎛의 범위로 조절하는 반도체막의 선택적 영역 성장 방법
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한 쌍의 제1 마스크 패턴 사이의 제1 열린 영역의 폭이 반도체막의 과도 성장이 일어나는 거리보다 큰 상기 한 쌍의 제1 마스크 패턴 및 상기 제1 열린 영역 이외의 영역의 제2 마스크 패턴을 포함하는 마스크 패턴의 상기 제1 마스크 패턴, 상기 제1 열린 영역 및 상기 제2 마스크 패턴의 폭을 조절하여 상기 제1 열린 영역에 형성되는 반도체막의 성장 속도 및 스트레인을 독립적으로 조절하는 반도체막의 선택적 영역 성장 방법
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제9 항에 있어서, 상기 제1 열린 영역의 폭을 증가시켜 상기 제1 열린 영역에 형성될 반도체막의 인장 스트레인을 증가시키는 반도체막의 선택적 영역 성장 방법
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제9 항에 있어서, 상기 제1 열린 영역의 폭을 감소시켜 상기 제1 열린 영역에 형성될 반도체막의 압축 스트레인을 증가시키는 반도체막의 선택적 영역 성장 방법
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제9 항에 있어서, 상기 제2 마스크 패턴의 갯수를 증가시켜 상기 제1 열린 영역에 형성될 반도체막의 성장 속도를 증가시키는 반도체막의 선택적 영역 성장 방법
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13
제9 항에 있어서, 상기 제2 마스크 패턴의 폭을 증가시시켜 상기 제1 열린 영역에 형성될 반도체막의 성장 속도를 증가시키는 반도체막의 선택적 영역 성장 방법
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제9 항에 있어서, 상기 반도체막은 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체막인 반도체막의 선택적 영역 성장 방법
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제14 항에 있어서, 상기 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체막은 INGaAsP 인 반도체막의 선택적 영역 성장 방법
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레이저 영역과 모듈레이터 영역을 포함하는 광소자용 반도체막의 선택적 영역 성장 방법에 있어서, 한 쌍의 제1 마스크 패턴 사이의 제1 열린 영역의 폭이 반도체막의 과도 성장이 일어나는 거리보다 큰 상기 한 쌍의 제1 마스크 패턴 및 상기 제1 열린 영역 이외의 영역의 제2 마스크 패턴을 포함하는 레이저 영역의 마스크 패턴; 및한 쌍의 제3 마스크 패턴 사이의 제2 열린 영역의 폭이 반도체막의 과도 성장이 일어나는 거리보다 큰 상기 한 쌍의 제3 마스크 패턴 및 상기 제2 열린 영역 이외의 영역의 제4 마스크 패턴을 포함하는 모듈레이터 영역의 마스크 패턴을 포함하는 마스크 패턴을 사용하되, 상기 레이저 영역의 반도체막을 상기 모듈레이터 영역의 반도체막보다 두껍게 형성하기 위하여, 상기 제2 마스크 패턴의 폭을 상기 제4 마스크 패턴의 폭보다 크게 하는 광소자용 반도체막의 선택적 영역 성장 방법
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제16 항에 있어서, 상기 광소자용 반도체막은 능동층의 웰층을 포함하는 광소자용 반도체막의 선택적 영역 성장 방법
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제16 항에 있어서, 상기 광소자용 반도체막은 INGaAsP 을 포함하는 광소자용 반도체막의 선택적 영역 성장 방법
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