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금속산화물 반도체 화학센서 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015082747
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 화학종을 감지하는 금속산화물 반도체 화학센서 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 상기 화학센서는 금속산화물 나노입자로 구성된 감지막을 구비한 센서기판과 광원을 포함하는 것으로 구성되어 있다. 이렇게 구현된 화학센서는 유입된 화학종이 금속산화물 나노입자에 흡착됨으로써 감지막의 전기전도도가 변화하고, 상기 광원이 감지막에 조사되어 화학종을 탈착시켜 전기전도도를 초기 상태로 환원시킴으로써, 저온에서 화학종을 감지할 수 있다는 특징을 가진다.화학센서(chemical sensor), 감지막, 금속산화물 반도체(Metal-Oxides-Semiconductor), 전기전도도
Int. CL B28Y 15/00 (2011.01) G01N 27/00 (2011.01) G01N 27/26 (2011.01)
CPC G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01)
출원번호/일자 1020070060954 (2007.06.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2008-0052249 (2008.06.11) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020060123234   |   2006.12.06
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.06.21)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용신 대한민국 경기 안산시 상록구
2 표현봉 대한민국 대전 유성구
3 박선희 대한민국 대전 서구
4 고상춘 대한민국 대전 유성구
5 전치훈 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2007-0449097-15
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.04.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.05.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0027743-14
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0042441-55
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2009.04.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0154317-40
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
(ⅰ) 절연기판, 상기 절연기판 상부에 설치되는 감지 전극, 및 상기 감지 전극 상부에 형성되는 금속산화물 나노입자 감지막을 포함하는 센서기판;(ⅱ) 시료의 유입과 방출이 가능한 측정 챔버; 및(ⅲ) 광원을 포함하는 것을 특징으로 하는 저온에서 화학종을 감지하기 위한 금속산화물 반도체 화학센서
2 2
제1항에 있어서,상기 저온은 100℃ 미만인 것을 특징으로 하는금속산화물 반도체 화학센서
3 3
제1항에 있어서,상기 절연기판은, 세라믹 센서기판, 부도체 박막으로 표면이 절연된 실리콘 센서기판, 유리 센서기판, 및 플라스틱 센서기판으로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 금속산화물 반도체 화학센서
4 4
제1항에 있어서,상기 금속산화물 나노입자는 텅스텐, 주석, 인듐, 티타늄, 및 아연 산화물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는금속산화물 반도체 화학센서
5 5
제1항에 있어서,상기 금속산화물 나노입자는 SnO2, WO3, TiO2, Ta2O5, ZnO, In2O3, 및 In2O3-SnO2로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속산화물 반도체 화학센서
6 6
제1항에 있어서,상기 금속산화물 나노입자는 100 nm 이하의 입경을 갖는 것을 특징으로 하는금속산화물 반도체 화학센서
7 7
제1항에 있어서,상기 금속산화물 반도체 화학센서는 가열기 및 격리층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속산화물 반도체 화학센서
8 8
제1항에 있어서,상기 광원은 자외선을 발광하는 수은 램프 또는 발광다이오드 소자인 것을 특징으로 하는금속산화물 반도체 화학센서
9 9
제8항에 있어서,상기 수은램프는 350~410 nm 파장의 자외선을 발광하는 것을 특징으로 하는 금속산화물 반도체 화학센서
10 10
(ⅰ) 절연기판의 상부에 감지전극을 설치하는 단계; (ⅱ) 상기 감지전극의 상부에 금속산화물 나노입자 감지막을 형성하여 센서기판을 형성하는 단계; (ⅲ) 상기 센서기판을 측정챔버에 장착하는 단계; 및(ⅳ) 상기 측정챔버의 상부에 광원을 설치하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 저온에서 화학종을 감지하기 위한 금속산화물 반도체 화학센서의 제조 방법
11 11
제10항에 있어서,상기 제조 방법은 상기 (ii) 단계 이후에,(a) 상기 감지전극과 절연기판의 사이에 가열기를 설치하는 단계; 및(b) 상기 가열기가 설치된 절연기판의 상부와 감지전극 사이에 격리층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는금속산화물 반도체 화학센서의 제조 방법
12 12
제10항에 있어서,상기 제조 방법은 상기 (ii) 단계 이후에,(a) 상기 감지전극이 형성된 절연기판의 반대면에 가열기를 설치하는 단계; 및(b) 상기 가열기가 설치된 절연기판의 하부에 격리층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속산화물 반도체 화학센서의 제조 방법
13 13
제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속산화물 나노입자 감지막은 상기 감지전극의 상부에 진공 박막증착법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 금속산화물 반도체 화학센서의 제조 방법
14 14
제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속산화물 나노입자 감지막은 상기 감지전극의 상부에 습식방법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 금속산화물 반도체 화학센서의 제조 방법
15 15
제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,상기 저온은 100℃ 미만인 것을 특징으로 하는금속산화물 반도체 화학센서의 제조 방법
16 16
제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속산화물 나노입자는 텅스텐, 주석, 인듐, 티타늄, 및 아연 산화물로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속산화물 반도체 화학센서의 제조 방법
17 17
제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속산화물 나노입자는 100 nm 이하의 입경을 갖는 것을 특징으로 하는금속산화물 반도체 화학센서의 제조 방법
18 18
제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광원은 자외선을 발광하는 수은 램프 또는 발광다이오드인 것을 특징으로 하는금속산화물 반도체 화학센서의 제조 방법
19 19
제18항에 있어서,상기 수은램프는 350~410 nm 파장의 자외선을 발광하는 것을 특징으로 하는 금속산화물 반도체 화학센서의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.