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국부발진(LO) 신호 및 RF 신호에 의해 스위칭 동작을 수행하는 제 1 및 제 2 트랜지스터(Q1, Q2)가 구비된 믹서 코어부와;
상기 믹서 코어부에 구비된 제 1 및 제 2 트랜지스터(Q1, Q2)에 전원전압을 인가하는 전원부(VCC)와;
상기 믹서 코어부에 RF 신호를 인가하는 RF 포트와;
상기 믹서 코어부에 LO 신호를 인가하는 LO 포트와;
상기 제 1 및 제 2 트랜지스터(Q1, Q2)에 인가되는 RF 신호가 서로 180도의 위상차를 갖도록 하는 제 1 위상 지연회로 및 제 2 위상 지연회로를 포함하되,
상기 전원부(VCC)로부터 상기 제 1 및 제 2 트랜지스터(Q1, Q2)의 비선형성을 극대화하는 바이어스값을 갖는 전원전압이 상기 제 1 및 제 2 트랜지스터(Q1, Q2)에 인가되면, 상기 제 1 및 제 2 트랜지스터(Q1, Q2)에서 상기 국부발진(LO) 신호의 2차 고조파 성분(2LO 신호)이 각각 발생되며,
상기 2LO 신호와 상기 RF 신호가 혼합되어 하향 변환된 인페이즈(INPHASE) 기저대역 신호가 상기 제 1 트랜지스터(Q1) 및 제 2 트랜지스터(Q2)의 제 1전극과 연결된 출력단자(I(+), I(-))를 통해 180도 위상 차이를 가지며 출력됨을 특징으로 하는 저조파 혼합기
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제 1항에 있어서,
상기 믹서 코어부에 구비된 제 1 및 제 2 트랜지스터(Q1, Q2)는 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)로 구현됨을 특징으로 하는 저조파 혼합기
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제 1항에 있어서,
상기 믹서 코어부에 구비된 제 1 및 제 2 트랜지스터(Q1, Q2)는 상보형 모스(CMOS) 트랜지스터로 구현됨을 특징으로 하는 저조파 혼합기
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제 2항에 있어서,
상기 믹서 코어부에 구비된 제 1 트랜지스터(Q1)는 베이스 전극으로 상기 RF 포트에서 제공되는 RF 신호(RF+) 및 상기 제 1 위상 지연회로에 의해 90도 위상 지연된 LO 신호(LO+)가 인가되고, 제 1전극으로는 전원전압(VCC)이 인가되며, 제 2전극은 접지(GND)되어 있음을 특징으로 하는 저조파 혼합기
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제 2항에 있어서,
상기 믹서 코어부에 구비된 제 2 트랜지스터(Q2)는 베이스 전극으로 상기 제 1 위상 지연회로 및 제 2 위상 지연회로에 의해 180도 위상 지연된 RF 신호(RF-) 및 제 2 위상 지연회로에 의해 90도 위상 지연된 LO 신호(LO+)가 인가되고, 제 1전극으로는 전원전압(VCC)이 인가되며, 제 2전극은 접지(GND)되어 있음을 특징으로 하는 저조파 혼합기
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제 1항에 있어서,
상기 제 2 트랜지스터(Q2)에서 발생된 2LO 신호는 상기 제 1 위상 지연회로 및 제 2 위상 지연회로를 거치면서 180도 위상 차이를 갖는 2LO 신호(2LO-)가 되어 상기 제 1 트랜지스터(Q1)의 베이스 전극 노드에 제공되며, 상기 180도 위상 차이를 갖는 2LO 신호(2LO-)는 상기 제 1 트랜지스터(Q1)에서 발생된 2LO 신호(2LO+)와 상쇄됨을 특징으로 하는 저조파 혼합기
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