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하기 화학식 1을 갖는 고분자 화합물을 포함하는 유기 절연막
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기판 및 하기 화학식 1을 갖는 고분자 화합물을 준비하는 단계;(화학식 1)상기 고분자 화합물에 감광성 작용제를 첨가하는 단계;상기 감광성 작용제가 첨가된 상기 고분자 화합물을 사용하여 상기 기판상에 유기막을 형성하는 단계; 및상기 유기막을 패터닝하는 단계를 포함하되,상기 화학식 1에서 n, m은 1보다 큰 양의 정수이고, R1은 하기 화학식 2로 표시되는 원자단들 중 어느 하나이고, R2는 하기 화학식 3으로 표시되는 원자단인 유기 절연막 형성 방법
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제 3 항에 있어서,상기 유기막을 패터닝하는 단계는: 상기 유기막의 소정 영역에 빛을 조사하는 단계; 및상기 유기막 중 상기 빛이 조사된 부분을 제거하는 단계를 포함하고,상기 감광성 작용제는 상기 유기막 중 상기 빛이 조사된 부분에서 상기 R1을 OH기로 치환시키고,상기 유기막 중 상기 빛이 조사된 부분는 알카리 용매를 사용하여 제거되는 것을 특징으로 하는 유기 절연막 형성 방법
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제 5 항에 있어서,상기 감광성 작용제는 아릴디아조니움염(aryldiazonium salt), 디아릴요도니움염(diaryliodonium salt), 트리아릴술포니움염(tryarylsulfonium salt), 디알킬페닐아실술포니움염(dialkylphenylacylsulfonium salt), 하이드록시페닐술포니움염(hydroxyphenylsulfonium salt), 2-니트로벤질 토실레이트(2-nitrobenzyl tosylate), 2,4-디니트로벤질 토실레이트(2,4-dinitrobenzyl tosylate), 2,6-디니트로벤질 토실레이트(2,6-dinitrobenzyl tosylate), 피-니트로벤질 9,10-디메톡시안트라센-2-술포네이트((p-nitrobenzyl 9,10-dimethoxyanthracene-2-sulfonate), 1,2,3-트리스(메탄술포닐옥시) 벤젠(1,2,3-tris(methanesulfonyloxy) benzene, MeSB), 아리비스(트리클로로메틸)-에쓰-트리아진(arybis(trichloromethyl)-s-triazine), 1,1-비스(피-클로로페닐)-2,2,2-트리클로로에탄(1,1-bis(p-chlorophenyl)-2,2,2-trichloroethane), 1,1-비스(피-클로로페닐)-2,2,2-트리클로로에탄올(1,1-bis(p-chlorophenyl)-2,2,2-trichloroethanol), α,α'비스(아릴술포닐) 디아조메탄(α,α'bis(arylsulfonyl) diazomethane), α,α'비스(4-티-부틸페닐 술포닐) 디아조메탄(α,α'bis(4-t-butylphenyl sulfonyl) diazomethane) 및 이들의 유도체 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 절연막 형성 방법
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제 3 항에 있어서,상기 고분자 화합물은 하기 화학식 4를 갖는 화합물 2와 하기 화학식 5를 갖는 화합물 3의 중합 반응에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 절연막 형성 방법
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제 3 항에 있어서 상기 유기막은 습식 공정을 수행하는 것에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 절연막 형성 방법
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제 8 항에 있어서,상기 습식 공정은 스핀 코팅, 딥 코팅, 프린트 코팅, 또는 잉크젯 코팅을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 절연막 형성 방법
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기판;상기 기판 상에 위치하는 소오스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극;상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극과 상기 게이트 전극 사이에 개재하고, 하기 화학식 1을 갖는 고분자 화합물을 포함하는 유기 게이트 절연막; 및상기 유기 게이트 절연막에 접하고, 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극을 연결하는 유기 활성막을 포함하는 유기 박막 트랜지스터
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제 10 항에 있어서,상기 유기 게이트 절연막은 감광성 작용제를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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제 12 항에 있어서,상기 감광성 작용제는 아릴디아조니움염(aryldiazonium salt), 디아릴요도니움염(diaryliodonium salt), 트리아릴술포니움염(tryarylsulfonium salt), 디알킬페닐아실술포니움염(dialkylphenylacylsulfonium salt), 하이드록시페닐술포니움염(hydroxyphenylsulfonium salt), 2-니트로벤질 토실레이트(2-nitrobenzyl tosylate), 2,4-디니트로벤질 토실레이트(2,4-dinitrobenzyl tosylate), 2,6-디니트로벤질 토실레이트(2,6-dinitrobenzyl tosylate), 피-니트로벤질 9,10-디메톡시안트라센-2-술포네이트((p-nitrobenzyl 9,10-dimethoxyanthracene-2-sulfonate), 1,2,3-트리스(메탄술포닐옥시) 벤젠(1,2,3-tris(methanesulfonyloxy) benzene, MeSB), 아리비스(트리클로로메틸)-에쓰-트리아진(arybis(trichloromethyl)-s-triazine), 1,1-비스(피-클로로페닐)-2,2,2-트리클로로에탄(1,1-bis(p-chlorophenyl)-2,2,2-trichloroethane), 1,1-비스(피-클로로페닐)-2,2,2-트리클로로에탄올(1,1-bis(p-chlorophenyl)-2,2,2-trichloroethanol), α,α'비스(아릴술포닐) 디아조메탄(α,α'bis(arylsulfonyl) diazomethane), α,α'비스(4-티-부틸페닐 술포닐) 디아조메탄(α,α'bis(4-t-butylphenyl sulfonyl) diazomethane) 및 이들의 유도체 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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제 10 항에 있어서,상기 유기 활성막은 펜타센(pentacene), DH6T(dihexyl-hexithiophene), 위치규칙적 P3HT(regioregular (poly(3-hexythiophene)), F8T2(poly-9,9-dioctylfluorene-co-bithiophene), DHADT (dihexylanthra-dithiophene) 및 이들의 유도체 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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