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기판 상에 절연막, 제1 포토레지스트층 및 드랍(drop) 형태의 제2 포토레지스트를 순차적으로 형성하는 단계;상기 제2 포토레지스트 상부에 복수의 몰딩 패턴이 형성된 임프린트용 몰드를 배치하는 단계;상기 제2 포토레지스트가 상기 몰드 패턴으로 유입되도록 상기 몰드를 가압하는 단계;상기 몰드 패턴에 상기 제2 포토레지스트가 유입된 다음, 상기 몰드의 상부에서 UV를 조사하여 상기 제2 포토레지스트를 경화시키는 단계;상기 경화된 제2 포토레지스트 상에 형성된 상기 몰드를 제거한 다음, 상기 제2 포토레지스트를 패터닝하는 단계;상기 패터닝된 제2 포토레지스트를 마스크로 이용하여 상기 제1 포토레지스트층을 패터닝하는 단계;상기 제1 포토레지스트층을 패터닝한 다음 상기 절연막을 패터닝하는 단계;상기 제1 포토레지스트층 및 상기 절연막이 패터닝된 다음, 상기 패터닝된 절연막 사이에 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 나노 전극선 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 포토레지스트를 패터닝하는 단계 및 상기 절연막을 패터닝하는 단계에서는 할로겐 플라즈마를 이용하는 나노 전극선 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 포토레지스트층을 패터닝하는 단계에서는 산소 플라즈마를 이용하는 나노 전극선 제조방법
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제1항에 있어서,상기 절연막은 SiO2, SiNx, 또는 알루미나 중 하나를 이용하는 나노 전극선 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 패터닝된 절연막 사이에 금속층을 형성하는 단계는,상기 기판 전면에 금속층을 도포하는 단계; 및 상기 패터닝된 제1 포토레지스트층 및 제2 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 나노 전극선 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 제1 포토레지스트층 및 상기 제2 포토레지스트를 제거하는 단계는 리프트 오프 공정을 이용하는 나노 전극선 제조방법
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제6항에 있어서,상기 제1 포토레지스트층 및 상기 제1 포토레지스트는 아세톤에 쉽게 용해될 수 있는 감광제를 이용하는 나노 전극선 제조방법
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제7항에 있어서,상기 감광제는 PMMA 또는 레진인 나노 전극선 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속층이 형성된 다음, 상기 금속층 상에 전자 소자의 활성층을 형성하는 단계를 더 포함하는 나노 전극선 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 금속층 상에 형성되는 상기 활성층은 유기 분자 물질 및 고분자 물질중 적어도 하나를 이용하는 나노 전극선 형성방법
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