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가스 저장 매체, 가스 저장 장치 및 그 저장 방법

  • 기술번호 : KST2015083126
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 가스 저장을 위한 표면적을 충분히 확보하여 가스 저장 능력의 효율성을 개선시킬 수 있는 가스 저장 매체, 이를 구비한 가스 저장 장치 및 그 저장 방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 이온가가 변화할 수 있는 물질이 서로 이격되어 다층의 층상(層狀) 구조를 이루고, 상기 물질은 화학적 결합에 참여하지 않는 여분의 전자를 포함하는 가스 저장 매체, 이를 구비한 가스 저장 장치 및 그 저장 방법을 제공한다. 가스 저장 장치, 나노선 결정질, 산화 바나듐, 수소
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) C01B 3/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020070094685 (2007.09.18)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0910059-0000 (2009.07.23)
공개번호/일자 10-2008-0052321 (2008.06.11) 문서열기
공고번호/일자 (20090730) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020060123238   |   2006.12.06
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.09.18)
심사청구항수 39

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유한영 대한민국 대전 유성구
2 김안순 대한민국 대전 중구
3 양종헌 대한민국 대전 서구
4 백인복 대한민국 충북 청주시 흥덕구
5 안창근 대한민국 대전 유성구
6 아칠성 대한민국 대전 서구
7 박찬우 대한민국 대전 유성구
8 이성재 대한민국 대전 유성구
9 정태형 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0674997-03
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.05.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.06.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0033024-91
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0041143-86
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0170098-64
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.03.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0170097-18
7 등록결정서
Decision to grant		 2009.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0301466-49
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
이온가가 변화할 수 있는 물질이 서로 이격되어 다층의 층상(層狀) 구조를 이루고, 상기 물질은 화학적 결합에 참여하지 않는 여분의 전자를 포함하는 가스 저장 매체
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 층상 구조에서 각 층 사이에는 흡탈착 가능한 물질이 상기 이온가가 변화할 수 있는 물질과 화학적 또는 물리적으로 결합되되, 상기 흡탈착 가능한 물질은 물 분자인 가스 저장 매체
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 층상 구조에서 각 층은 서로 동일한 물질로 이루어지거나, 서로 다른 물질로 이루어진 가스 저장 매체
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 층상 구조에서 각 층과 층 사이는 0
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 물질은 나노선 결정질로 이루어진 가스 저장 매체
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 층상 구조에서 각 층과 층 사이의 공간에는 상기 나노선 결정질과 저장하고자 하는 물질이 화학적 결합을 통해 결합되는 구조로 저장되되, 상기 저장하고자 하는 물질은 수소 분자, 산소 분자, 질소 분자, 헬륨 분자 중 어느 하나의 기체 또는 상기 나노선 결정질과 결정질 사이의 거리보다 작은 물질 중 어느 하나인 가스 저장 매체
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 화학적 결합은 수소 결합, 이온 결합, 금속 결합 또는 반데르발스 결합 중 어느 하나인 가스 저장 매체
8 8
제 5 항에 있어서, 상기 나노선 결정질은 반도체 나노 물질, 전이금속이 결합된 화합물 또는 전이금속 산화물 중 선택된 어느 하나로 형성하는 가스 저장 매체
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 전이금속은 Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, La, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au 또는 Hg 중 선택된 어느 하나인 가스 저장 매체
10 10
제 8 항에 있어서, 상기 전이금속이 결합된 화합물은 LaNi5, MmNi3, Mg2Ni, TiMn2, TiV2, TiFe, TiCo, TiVCr, TiVMn, Mg2Cu, ZrMn2, ZrV2 또는 LiAl 중 선택된 어느 하나인 가스 저장 매체
11 11
제 8 항에 있어서, 상기 전이금속 산화물은 산화 바나듐인 가스 저장 매체
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 산화 바나듐은 VO2, V2O3 또는 V2O5 중 선택된 어느 하나인 가스 저장 매체
13 13
제 8 항에 있어서, 상기 나노선 결정질은 시료 합성시 또는 후에 이온 주입을 통해 이온이 도핑된 가스 저장 매체
14 14
제 13 항에 있어서, 상기 이온은 전이 금속들 중 선택된 어느 하나를 사용하는 가스 저장 매체
15 15
제 8 항에 있어서, 상기 나노선 결정질은 이온 교환 수지 및 용매를 더 추가하여 형성하는 가스 저장 매체
16 16
제 15 항에 있어서, 상기 용매에는 표면적이 1평방nm~10000평방㎛인 물질이 혼합된 가스 저장 매체
17 17
제 15 항에 있어서, 상기 용매에는 탄소나노튜브, 전도성 나노선, 비전도성 나노선 또는 유기물 중 선택된 어느 하나의 나노점 형태의 물질이 혼합된 가스 저장 매체
18 18
제 15 항에 있어서, 상기 용매에는 폴리피롤, 폴리아세틸렌 또는 폴리에틸렌 중 선택된 어느 하나의 폴리머가 혼합되거나, 상기 폴리머들 중 적어도 2개 이상이 혼합된 가스 저장 매체
19 19
제 5 항에 있어서, 상기 나노선 결정질은 나노 박막, 펠렛, 벌크 또는 필름 형태 중 선택된 어느 하나의 형태를 갖는 가스 저장 매체
20 20
제 19 항에 있어서, 상기 나노 박막은 스프레이, 스핀 코팅, 스포이드를 이용한 흡착, 피펫을 이용한 흡착, 스퍼터 또는 물리적 화학적 증착 방법 중 선택된 어느 하나의 방법으로 형성된 가스 저장 매체
21 21
제 5 항에 있어서, 상기 층상 구조에서 각 층과 층 사이의 공간은 상기 층과 층 사이에 희생층을 형성한 후 상기 희생층을 식각공정을 통해 제거하는 방법으로 형성된 가스 저장 매체
22 22
제 21 항에 있어서, 상기 희생층은 실리콘산화막 또는 실리콘질화막으로 이루어진 가스 저장 매체
23 23
제 5 항에 있어서, 상기 나노선 결정질은 실란기를 가진 분자, 아민기를 가진 분자 또는 카복실기를 가진 분자 중 선택된 어느 하나의 분자를 이용하여 표면 처리된 가스 저장 매체
24 24
제 23 항에 있어서, 상기 실란기를 가진 분자는 APTES(aminopropyltriethoxysilane) 또는 APTMS(aminopropyltrimethoxysilane)인 가스 저장 매체
25 25
챔버; 상기 챔버 내부에 설치된 제 1 항 내지 제 24 항 중 어느 한 항의 가스 저장 매체; 상기 가스 저장 매체를 가열하기 위한 가열 부재; 및 상기 가스 저장 매체를 냉각하기 위한 냉각 부재 를 포함하는 가스 저장 장치
26 26
제 25 항에 있어서, 상기 챔버에는, 상기 가스 저장 매체로 저장하고자 하는 물질이 유입되는 유입구; 및 상기 가스 저장 매체로부터 상기 저장하고자 하는 물질이 배출되는 배출구 가 설치된 가스 저장 장치
27 27
제 26 항에 있어서, 상기 가스 저장 매체는 상기 이온가가 변화할 수 있는 물질을 지지하기 위한 지지 부재를 더 포함하는 가스 저장 장치
28 28
제 27 항에 있어서, 상기 지지 부재는 3차원 구조의 다각형 또는 원통형의 챔버 형태를 갖는 가스 저장 장치
29 29
제 27 항에 있어서, 상기 지지 부재의 상부는 상기 유입구 및 상기 배출구와 연통된 가스 저장 장치
30 30
제 25 항에 있어서, 상기 가스 저장 매체는 상기 가열 부재 내부에 설치된 가스 저장 장치
31 31
제 25 항에 있어서, 상기 가스 저장 매체는 상기 냉각 부재 내부에 설치된 가스 저장 장치
32 32
제 25 항에 있어서, 상기 가열 부재 및 상기 냉각 부재는 상기 챔버 하단에 설치된 가스 저장 장치
33 33
제 25 항의 가스 저장 장치를 이용한 가스 저장 방법에 있어서, 상기 가열 부재를 통해 상기 가스 저장 매체를 가열하는 단계; 상기 가스 저장 매체로 저장하고자 하는 물질을 유입시키는 단계; 및 상기 냉각 부재를 통해 상기 가스 저장 매체를 냉각시켜 상기 저장하고자 하는 물질을 상기 가스 저장 매체 내부에 저장하는 단계 를 포함하는 가스 저장 방법
34 34
제 33 항에 있어서, 상기 가스 저장 매체로 저장하고자 하는 물질을 유입시키는 단계 전, 상기 가스 저장 매체를 실온까지 냉각시키는 단계를 더 포함하는 가스 저장 방법
35 35
제 33 항에 있어서, 상기 가스 저장 매체를 가열하는 단계에서는, 상기 가스 저장 매체 내부를 진공 상태로 유지시키는 가스 저장 방법
36 36
제 33 항에 있어서, 상기 가열 부재를 통해 상기 가스 저장 매체를 가열하는 단계에서는, 상기 가스 저장 매체 내부에 흡착되어 있는 물질이 탈착되도록 실시하는 가스 저장 방법
37 37
제 36 항에 있어서, 상기 가스 저장 매체를 가열하는 단계 후, 상기 가스 저장 매체로부터 탈착된 물질을 상기 챔버 외부로 배출시키는 단계를 더 포함하는 가스 저장 방법
38 38
제 33 항에 있어서, 상기 저장하고자 하는 물질을 상기 가스 저장 매체 내부에 저장하는 단계에서는, 상기 가스 저장 매체를 1~700atm의 압력으로 가압하는 가스 저장 방법
39 39
제 33 항에 있어서, 상기 저장하고자 하는 물질을 상기 가스 저장 매체 내부에 저장하는 단계에서는, 상기 가스 저장 매체를 실온에서 4
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