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고휘도 다이오드 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015083223
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고휘도 다이오드 및 그 제조 방법을 제공한다. 이 고휘도 다이오드는 서로 다른 광학적 한정인수를 갖는 적어도 두 개의 활성층들을 구비한다.
Int. CL H01L 29/861 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020070094558 (2007.09.18)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0884353-0000 (2009.02.11)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20090218) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.09.18)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송정호 대한민국 대전 유성구
2 김기수 대한민국 대전 유성구
3 임영안 대한민국 대전 유성구
4 김경옥 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0673801-06
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.05.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.06.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0034479-18
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0390230-12
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.09.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0671438-12
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0671439-68
7 등록결정서
Decision to grant		 2009.01.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0022535-80
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
적어도 하나의 높은 한정인수 영역 및 상기 높은 한정인수 영역보다 낮은 광학적 한정인수를 갖는 적어도 하나의 낮은 한정인수 영역을 구비하되, 상기 높은 한정인수 영역 및 상기 낮은 한정인수 영역은 연속적인 이어지는 도파로 상에 각각 형성되는 발광 다이오드 및 반도체 광증폭기를 구성하되, 상기 반도체 광증폭기는 광 공진 현상이 억제되는 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 고휘도 다이오드
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 고휘도 다이오드로부터 출력되는 빛의 출력 및 파장대역폭은 상기 높은 한정인수 영역과 상기 낮은 한정인수 영역의 길이들에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 고휘도 다이오드
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 높은 한정인수 영역과 상기 낮은 한정인수 영역 사이에 배치되어 이들 영역들 사이의 광학적 반사를 줄이는 전이 영역을 더 구비하되, 상기 전이 영역의 두께는 상기 높은 한정인수 영역으로부터 상기 낮은 한정인수 영역으로 갈수록 점진적으로 감소하는 것을 특징으로 하는 고휘도 다이오드
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 전이 영역의 광학적 한정인수는 상기 높은 한정인수 영역으로부터 상기 낮은 한정인수 영역으로 갈수록 점진적으로 감소하는 것을 특징으로 하는 고휘도 다이오드
5 5
제 1 항 내지 제 3 항들 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 높은 한정인수 영역 및 상기 낮은 한정인수 영역은 복수개의 장벽층들 및 상기 장벽층들 사이에 개재된 적어도 하나의 양자 우물층에 의해 구성되는 양자 우물 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 고휘도 다이오드
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 높은 한정인수 영역에서 방출되는 빛의 파장은 상기 낮은 한정인수 영역에서 방출되는 빛의 파장과 같은 것을 특징으로 하는 고휘도 다이오드
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 높은 한정인수 영역과 상기 낮은 한정인수 영역의 상기 양자 우물층 및 상기 장벽층들은 두께 및 조성 중의 적어도 하나에서 같은 것을 특징으로 하는 고휘도 다이오드
8 8
제 6 항에 있어서, 상기 높은 한정인수 영역과 상기 낮은 한정인수 영역은 각각의 양자 우물 구조를 구성하는 상기 양자 우물층의 수에서 서로 다른 것을 특징으로 하는 고휘도 다이오드
9 9
제 5 항에 있어서, 상기 높은 한정인수 영역에서 방출되는 빛의 파장은 상기 낮은 한정인수 영역에서 방출되는 빛의 파장과 다른 것을 특징으로 하는 고휘도 다이오드
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 높은 한정인수 영역과 상기 낮은 한정인수 영역은 각각의 양자 우물 구조를 구성하는 상기 양자 우물층 및 상기 장벽층들 중의 적어도 하나의 두께에서 서로 다른 것을 특징으로 하는 고휘도 다이오드
11 11
제 9 항에 있어서, 상기 높은 한정인수 영역과 상기 낮은 한정인수 영역은 각각의 양자 우물 구조를 구성하는 상기 양자 우물층 및 상기 장벽층들 중의 적어도 하나의 조성에서 서로 다른 것을 특징으로 하는 고휘도 다이오드
12 12
제 5 항에 있어서, 상기 높은 한정인수 영역과 상기 낮은 한정인수 영역은 각각의 양자 우물 구조를 샌드위치(sandwich)시키는 한정막들을 더 포함하되, 상기 높은 한정인수 영역과 상기 낮은 한정인수 영역은 상기 한정막들의 두께 및 조성 중의 적어도 하나에서 서로 다른 것을 특징으로 하는 고휘도 다이오드
13 13
제 1 항 내지 제 3 항들 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 높은 한정인수 영역 및 상기 낮은 한정인수 영역은 연속적인 이어지는 도파로를 형성하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 고휘도 다이오드
14 14
제 1 항에서의 고휘도 다이오드의 제조 방법에 있어서, 상기 높은 한정인수 영역 및 상기 낮은 한정인수 영역의 광학적 한정 인수의 차이는 기판을 노출시키는 개구부의 폭의 차이에 따른 박막의 증착 두께의 차이를 이용하는 선택적 영역 성장 기술을 통해 구현되는 것을 특징으로 하는 제 1 항에서의 고휘도 다이오드의 제조 방법
15 15
제 14 항에 있어서, 상기 선택적 영역 성장 기술은 상기 기판 상에, 좁은 개구부 및 넓은 개구부를 갖는 마스크 패턴을 형성하는 단계; 및금속유기 화학기상증착 기술을 사용하여 상기 좁은 개구부 및 상기 넓은 개구부 내에 각각 제 1 활성층 및 제 2 활성층을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 제 1 활성층은 상기 제 2 활성층보다 높은 광학적 한정인수를 갖는 것을 특징으로 하는 고휘도 다이오드의 제조 방법
16 16
제 15 항에 있어서, 상기 마스크 패턴은, 점진적으로 변하는 폭을 가지고 상기 좁은 개구부 및 상기 넓은 개구부를 연결하는 중간 개구부를 더 구비하되, 상기 중간 개구부 내에는, 점진적으로 증가하는 두께를 가지고 상기 제 1 활성층 및 상기 제 2 활성층을 연결하는 중간 활성층이 형성되는 것을 특징으로 하는 고휘도 다이오드의 제조 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02117039 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP02117039 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP02117039 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 US07745836 US 미국 FAMILY
5 US20090152528 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2009152528 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7745836 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 정보통신부 한국전자통신연구원 IT신성장동력핵심기술개발사업 실리콘 기반 초고속 광인터커넥션 IC