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서로 다른 굴절률을 갖는 두 개 이상의 유연성 있는 저손실 고분자 유전체층을 차례로 적층하여 형성된 하부 및 상부 클래드;
상기 하부 및 상부 클래드 사이에서 유한한 폭과 두께를 갖는 광도파로 코어로 형성된 금속선; 및
상기 금속선과 동일면 상에 상기 금속선의 폭 중심을 기준으로 대칭된 특성및 구도로 형성된 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속선 광도파로
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2
제1항에 있어서,
상기 하부 및 상부 클래드는 상기 금속선을 기준으로 서로 대칭되는 구조로 형성되며, 상기 금속선에 접한 유전체층의 굴절률이 동일함을 특징으로 하는 금속선 광도파로
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3
제1항에 있어서,
상기 금속선에 접한 유전체층의 굴절률은 동일하나 두께가 다르고, 상기 유전체층을 둘러싼 제 2의 유전체층은 상부와 하부의 클래드층에 있어 굴절률과 두께가 굽음 손실의 감소를 위해 임의로 결정되는 것을 특징으로 하는 금속선 광도파로
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4
제1항에 있어서,
상기 박막은 산화막, 질화막 및 고분자 물질 중 하나의 물질을 이용하여 형성됨을 특징으로 하는 금속선 광도파로
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삭제
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기판 상부에 서로 다른 굴절률을 갖는 두 개 이상의 고분자 유전체층을 적층하여 하부 클래드를 형성하는 단계;
상기 하부 클래드 상부에 박막을 적층하는 단계;
상기 박막의 일부 영역을 식각하여 식각된 영역 일부에 유한한 폭과 두께를 갖는 광도파로 코어인 금속선을 형성하는 단계;
상기 금속선 및 상기 박막 상부에 서로 다른 굴절률을 갖는 두 개 이상의 고분자 유전체층을 적층하여 상부 클래드를 형성하는 단계; 및
상기 기판을 분리하는 단계를 포함하여 플렉서블한 표면 플라즈몬 폴라리톤 금속 광도파로를 제조하는 것을 특징으로 하는 금속선 광도파로 제조 방법
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7
제6항에 있어서, 상기 하부 클래드를 형성하는 단계는,
상기 기판 상부에 유연성 있는 제 1굴절률의 저손실 제1 고분자 유전체층을 적층하는 단계; 및
상기 제1 고분자 유전체층에 제 2굴절률을 갖는 제2 고분자 유전체층을 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속선 광도파로 제조 방법
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8
제7항에 있어서,
상기 기판과 제1 고분자 유전체층의 분리를 위해 금속 또는 고분자 물질의 분리 박막을 상기 기판 위에 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속선 광도파로 제조 방법
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9
제6항에 있어서,
상기 박막을 적층하는 단계는 산화막 및 질화막 등 하나의 물질을 이용하여 상기 박막을 적층함을 특징으로 하는 금속선 광도파로 제조 방법
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10
삭제
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제6항에 있어서, 상기 금속선을 형성하는 단계는,
상기 박막 상부에 금속선 패턴을 형성하기 위한 포토레지스트를 도포 및 패터닝하는 단계;
상기 포토레지스트 및 상기 박막의 일부 영역을 식각하는 단계;
상기 식각된 영역과 남은 포토레지스트 상부에 금속 박막을 증착하는 단계;
상기 남은 포토레지스 및 상기 남은 포토레지스트 상부에 증착된 금속 박막을 제거하는 단계; 및
상기 박막의 동일 면상에 상기 금속선을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속선 광도파로 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 금속선을 형성하는 단계는,
상기 식각 후 남은 박막을 제거하고, 플렉서블 금속선 도파로의 굽음 손실 개선을 위한 새로운 박막을 재형성하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속선 광도파로 제조 방법
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13
제6항에 있어서, 상기 상부 클래드를 형성하는 단계는,
상기 금속선 및 상기 박막 상부에 제 2굴절률을 갖는 제2 고분자 유전체층을 적층하는 단계; 및
상기 제 2고분자 유전체층에 유연성 있는 제 1굴절률의 저손실 제1 고분자 유전체층을 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속선 광도파로 제조 방법
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제6항에 있어서,
상기 기판을 분리하는 단계는 상기 하부 클래드와의 접착도가 높을 경우 습식 식각 또는 침수 공정으로 제거함을 특징으로 하는 금속선 광도파로 제조 방법
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