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파장 가변 반도체 레이저 장치

  • 기술번호 : KST2015083380
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 출력 광원의 파장을 변화시킬 수 있는 반도체 레이저 장치에 관한 것으로, 반도체 레이저 다이오드 및 상기 반도체 레이저 다이오드 주위에 배치된 한 개 또는 복수 개의 열원소자를 한 기판 위에 집적하고, 상기 열원소자를 이용해 상기 반도체 레이저 다이오드를 균일하게 가열하도록 구성함으로써 반도체 레이저 다이오드의 출력 파장을 용이하고 빠르게 변화시킬 수 있는 효과가 있다. 반도체 레이저 다이오드, 파장 가변, 열원소자
Int. CL H01S 3/0941 (2006.01) H01S 3/10 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020070130079 (2007.12.13)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0953559-0000 (2010.04.12)
공개번호/일자 10-2009-0062686 (2009.06.17) 문서열기
공고번호/일자 (20100421) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.13)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고현성 대한민국 서울 서초구
2 허철 대한민국 대전 유성구
3 김경현 대한민국 대전 유성구
4 홍종철 대한민국 대전 서구
5 김완중 대한민국 경기 고양시 덕양구
6 성건용 대한민국 대전 유성구
7 박선희 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2007-0897413-81
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.09.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0062384-81
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0390714-32
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.11.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0672950-91
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2009-0672952-82
8 등록결정서
Decision to grant		 2010.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0116873-47
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
빛을 방출하는 반도체 레이저 다이오드; 상기 반도체 레이저 다이오드에 전류를 공급하는 제1전원공급기; 상기 반도체 레이저 다이오드와 동일 기판위에 배치되어 열원으로 사용되는 하나 이상의 열원소자; 및 상기 하나 이상의 열원소자에 전원을 공급하는 하나 이상의 제2전원공급기; 를 포함하는 파장 가변 반도체 레이저 장치
2 2
제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 열원소자는 상기 반도체 레이저 다이오드와 동일 기판위에 형성된 열을 발생할 수 있는 구조의 반도체 소자인 것을 특징으로 하는 파장 가변 반도체 레이저 장치
3 3
제2항에 있어서, 상기 하나 이상의 열원소자는 상기 반도체 레이저 다이오드와 동일한 구조의 반도체 소자인 것을 특징으로 하는 파장 가변 반도체 레이저 장치
4 4
제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 제2전원공급기는 상기 하나 이상의 열원소자에 일대일로 연결되는 것을 특징으로 하는 파장 가변 반도체 레이저 장치
5 5
제2항에 있어서, 상기 반도체 레이저 다이오드는 면방출형 반도체 레이저 다이오드인 것을 특징으로 하는 파장 가변 반도체 레이저 장치
6 6
제5항에 있어서, 상기 하나 이상의 열원소자는 상기 면방출형 반도체 레이저 다이오드의 일정 반경안에 형성되어 상기 면방출형 반도체 레이저 다이오드의 액티브 영역 바로 옆에 위치하는 것을 특징으로 하는 파장 가변 반도체 레이저 장치
7 7
제6항에 있어서, 상기 하나 이상의 열원소자는 광방출면을 전극으로 막아 광 방출이 일어나지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 파장 가변 반도체 레이저 장치
8 8
제6항에 있어서, 상기 하나 이상의 열원소자는 광방출면을 불투명막으로 막아 광 방출이 일어나지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 파장 가변 반도체 레이저 장치
9 9
제6항에 있어서, 상기 하나 이상의 열원소자는 광방출면의 일부를 전극으로 막고, 상기 광방출면의 나머지 부분을 불투명막으로 막아 광 방출이 일어나지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 파장 가변 반도체 레이저 장치
10 10
제2항에 있어서, 상기 반도체 레이저 다이오드는 단면 발광(edge emitting)형 반도체 레이저 다이오드인 것을 특징으로 하는 파장 가변 반도체 레이저 장치
11 11
제10항에 있어서, 상기 하나 이상의 열원소자는 상기 반도체 레이저 다이오드의 한쪽 또는 양쪽으로 배치되는 것을 특징으로 하는 파장 가변 반도체 레이저 장치
12 12
제11항에 있어서, 상기 하나 이상의 열원소자는 상기 반도체 레이저 다이오드와 동일 기판상에 광방출 방향이 상기 반도체 레이저 다이오드와 다르도록 구부러진 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 파장 가변 반도체 레이저 장치
13 13
제11항에 있어서, 상기 하나 이상의 열원소자의 광방출면이 상기 반도체 레이저 다이오드의 광방출면과 상이하도록 형성된 것을 특징으로 하는 파장 가변 반도체 레이저 장치
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1 JP23507263 JP 일본 FAMILY
2 US08275008 US 미국 FAMILY
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4 WO2009075413 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 JP2011507263 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP2011507263 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US2010309937 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US8275008 US 미국 DOCDBFAMILY
5 WO2009075413 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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1 정보통신부 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 유비쿼터스 건강관리용 모듈 시스템