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나노 임프린트 공정을 이용한 촉매의 패턴형성방법

  • 기술번호 : KST2015083404
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노 임프린트 공정을 이용한 촉매의 패턴형성방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 촉매의 패턴형성 방법은 촉매를 슬러리화하는 단계; 촉매 패턴을 형성하기 위하여 스템프를 제작하는 단계; 촉매 슬러리를 기판상에 코팅한 후 스템프와 접촉시켜 나노 임프린트 방법으로 촉매 패턴을 형성하는 단계; 및 패턴화된 촉매를 건조하는 단계를 포함하며, 나노 임프린트 공정으로 촉매 패턴을 제작함에 따라 촉매 표면적을 증가시키고 원하는 촉매의 형태를 스템프의 형태에 따라 쉽게 제작할 수 있다.나노 임프린트, 공침법, 촉매
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) G03F 7/20 (2011.01) H01L 21/027 (2011.01)
CPC G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020070127791 (2007.12.10)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0889482-0000 (2009.03.12)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20090319) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.10)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정미희 대한민국 대전 서구
2 이효영 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 경기도 과천시 관문
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2007-0887101-62
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.11.25 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.12.15 수리 (Accepted) 9-1-2008-0082202-59
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.02.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0060764-19
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.02.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0122137-98
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2009-0122132-60
7 등록결정서
Decision to grant		 2009.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0108169-66
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
촉매를 슬러리화하는 단계;촉매 패턴을 형성하기 위하여 스템프를 제작하는 단계;촉매 슬러리를 기판상에 코팅한 후 스템프와 접촉시켜 나노 임프린트 방법을 통해 패턴과 소성을 동시에 수행하여 촉매 패턴을 형성하는 단계; 및패턴화된 촉매를 건조하는 단계를 포함하고, 여기서, 상기 촉매는 하이드로탈시드 또는 공침법으로 제작된 Cu:Zn계 메탄올 합성 촉매인 촉매의 패턴형성 방법
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 스템프을 제작하는 단계는 실리콘 상에 일정 두께의 크롬막과 포토레지스트을 형성하는 단계; 상기 크롬막 상에 포토레지스트을 식각하여 패턴을 형성하는 단계; 상기 크롬막과 실리콘을 식각하여 상기 실리콘에 원하는 형태의 패턴을 형성하는 단계; 및 이어서, 상기 크롬막을 완전히 제거하여 스템프을 완성하는 단계를 포함하는 촉매의 패턴형성 방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 나노 임프린트 방법으로 촉매 패턴을 형성하는 단계는 촉매 슬러리를 실리콘 기판상에 코팅하는 단계; 이를 스템프와 접촉시키는 단계; 상부와 하부에 압력을 가하면서 열을 가하는 단계; 및스템프를 제거하는 단계를 포함하는 촉매의 패턴형성 방법
5 5
제 4항에 있어서,상기 상부와 하부에 가해지는 압력 및 열은 촉매의 소성 온도에 의해 조절되는 것인 촉매의 패턴형성 방법
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1 US2009148607 US 미국 DOCDBFAMILY
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