| 1 |
1
고농도의 실리콘 기판상에 저농도의 에피층을 형성하는 단계;
상기 에피층에 제1산화막을 형성하여 베이스 영역을 정의하는 단계;
상기 베이스 영역에 제1형 불순물을 고에너지 이온주입하여 제1형 베이스를 형성하는 단계;
제2산화막을 소자 전면에 형성하는 단계;
상기 제2산화막에 에미터 영역과 차단영역을 정의하고, 상기 에미터 영역및 차단영역에 제1형 불순물과 반대 성상인 제2형 불순물을 이온주입하여 제2형 에미터 및 차단층을 형성하는 단계;
상기 제1형 베이스의 표면에 제2형 불순물을 이온주입하여 제2형 공핍층 형성 방지층을 형성하는 단계;
소자 전면에 반반사막을 형성하는 단계;
상기 제2형 에미터 상부에 에미터 접촉창을 형성하는 단계;
상기 에미터 접촉창에 베리어 금속층 및 배선용 금속층을 증착하여 에미터 전극을 형성하는 단계; 및
상기 기판의 뒷면에 콜렉터 전극을 형성하는 단계;
로 이루어진 단파장용 바이폴라 광트랜지스터의 제조 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 제1형 베이스를 형성하는 단계는,
상기 에피층에 제1산화막을 성장시킨 후, 감광막을 도포하여 베이스 영역을 정의하는 단계;
상기 감광막상에 정의한 베이스 영역을 상기 제1산화막에 식각하는 단계;
상기 식각된 제1산화막을 마스킹으로 하여 상기 베이스 영역에 제1형 불순물을 고에너지로 이온주입한 후 열처리하여 표면에서 일정깊이로 제1형 베이스를 형성하는 단계; 및
상기 감광막을 제거하는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 단파장용 바이폴라 광트랜지스터의 제조 방법
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,
상기 제1형 베이스를 형성하는 단계는, 고에너지 이온주입 및 열처리에 의해 제1형 불순물의 투영비정거리(Rp)를 조정하여 표면으로부터 일정 깊이로 저농도의 제1형 불순물층으로 이루어진 상기 제1형 베이스를 형성하는 것을 특징으로 하는 단파장용 바이폴라 광트랜지스터의 제조 방법
|
| 4 |
4
제 1항에 있어서, 상기 제2형 에미터 및 차단층을 형성하는 단계는,
상기 제2산화막상에 감광막을 도포하여 에미터 영역과 차단영역을 정의하는 단계;
상기 감광막에 정의된 에미터 영역과 차단영역을 상기 제2산화막에 식각하는 단계;
상기 에미터 영역 및 차단영역에 제2형 불순물(n++)을 이온주입한 후 열처리하여 제2형 에미터 및 차단층을 동시에 형성하는 단계; 및
상기 감광막을 제거하는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 단파장용 바이폴라 광트랜지스터의 제조 방법
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,
상기 차단층은 소자동작시 웨이퍼 절단면에 공핍층이 생성되는 영역을 최소화하여 누설전류를 감소시키는 것을 특징으로 하는 단파장용 바이폴라 광트랜지스터의 제조 방법
|
| 6 |
6
제 1항에 있어서, 상기 제1형 베이스에 제2형 불순물을 이온주입하여 제2형 공핍층 형성 방지층을 형성하는 단계는,
감광막을 도포하여 상기 제1형 베이스에 특정 광감지영역을 정의한 후 상기 제2산화막을 식각하는 단계;
상기 특정 광감지영역에 상기 제1형 베이스 영역과 반대 성상의 고농도 제2형 불순물을 이온주입한 후 열처리하여 상기 제2형 공핍층 형성 방지층을 상기 제1형 베이스의 상부에 형성하는 단계; 및
상기 감광막을 제거하는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 단파장용 바이폴라 광트랜지스터의 제조 방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,
상기 제2산화막을 식각하는 단계는, 상기 제2형 에미터와 상기 제1형 베이스를 분리하도록 상기 제1형 베이스위에 상기 제2형 에미터를 둘러싸도록 상기 제2산화막의 일부를 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 단파장용 바이폴라 광트랜지스터의 제조 방법
|
| 8 |
8
제 7항에 있어서,
상기 제2산화막의 일부는 상기 제1형 베이스와 제2형 에미터 사이의 항복전압을 향상시키는 것을 특징으로 하는 단파장용 바이폴라 광트랜지스터의 제조 방법
|
| 9 |
9
제6항에 있어서,
상기 제2형 공핍층 형성 방지층은 베이스 표면에 공핍층이 형성되는 것을 억제시켜 누설전류 특성이 개선되도록 상기 베이스 표면으로부터 0
|
| 10 |
10
제 1항에 있어서, 상기 에미터 전극을 형성하는 단계는,
베리어 금속층을 하층으로, 배선용 금속층을 상층으로 하여 증착하는 단계;
감광막을 도포하고, 사진전사공정을 통해 상기 감광막에 에미터 전극 영역 정의하는 단계;
상기 감광막에 정의된 상기 에미터 전극 영역을 상기 배선용 금속층에 식각하는 단계;
상기 베리어 금속층을 상기 에미터 전극 영역으로 습식식각하는 단계; 및
상기 감광막을 제거하는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 단파장용 바이폴라 광트랜지스터의 제조 방법
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,
상기 베리어 금속층은 에미터 전극 형성시, 상기 배선용 금속층의 식각 과정에서 발생되는 반반사막의 손상을 방지하기 위해 식각 멈춤층으로 이용되는 것을 특징으로 하는 단파장용 바이폴라 광트랜지스터의 제조 방법
|
| 12 |
12
제10항에 있어서,
상기 배선용 금속층의 식각은 플라즈마 건식식각을 이용하며, 상기 베리어 금속층의 습식식각은 40도 정도 가열한 H2O2 용액을 적용한 습식식각을 이용하는 것을 특징으로 하는 단파장용 바이폴라 광트랜지스터의 제조 방법
|
| 13 |
13
기판;
상기 기판 위에 형성된 에피층;
상기 에피층 위에 베이스 영역을 정의하는 제1산화막;
상기 제1산화막으로 정의된 베이스 영역의 에피층에 형성된 제1형 베이스;
상기 제1형 베이스 내에 형성된 상기 제1형과 반대 성상인 제2형 에미터;
상기 제1형 베이스와 상기 제2형 에미터를 분리하여 상기 제2형 에미터를 둘러싸도록 형성된 제2산화막;
상기 제1형 베이스의 표면으로부터 일정 깊이로 형성된 제2형 공핍층 형성 방지층;
상기 제1산화막의 외각에 정의된 상기 에피층에 형성된 차단층;
상기 제2형 에미터위에 형성된 에미터 접촉창;
상기 에미터 접촉창위에 형성된 에미터 전극; 및
상기 기판 뒷면에 형성된 콜렉터 전극;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 단파장용 바이폴라 광트랜지스터
|
| 14 |
14
제13항에 있어서,
상기 기판은 고농도의 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 단파장용 바이폴라 광트랜지스터
|
| 15 |
15
제13항에 있어서,
상기 에피층은 10 ~ 20 μm 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 단파장용 바이폴라 광트랜지스터
|
| 16 |
16
제13항에 있어서,
상기 제1형 베이스는 제1형 불순물을 1
|
| 17 |
17
제13항에 있어서,
상기 제2형 공핍층 형성 방지층은 상기 제1형 베이스의 성상과 반대되는 제2형 불순물을 40 KeV의 저에너지로 이온주입하여 상기 제1형 베이스의 표면에서 0
|
| 18 |
18
제17항에 있어서,
상기 제2형 공핍층 형성 방지층이 상기 제1형 베이스의 표면에서 0
|
| 19 |
19
제13항에 있어서,
상기 에미터 전극은 배선용 금속층 및 베리어 금속층을 상하층으로 증착하여 형성된 것을 특징으로 하는 단파장용 바이폴라 광트랜지스터
|
