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1
기저부;
상기 기저부 상에 서로 이격되어 형성된 제1 전극 및 제2 전극;
상기 기저부 상에 상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에 형성되며, 유체 내의 특정 작용기에 반응하는 반응 물질층; 및
상기 제1 전극 및 제2 전극을 감싸면서, 상기 반응 물질층의 일부가 노출되도록 반응 공간을 형성하는 보호 매질층
을 포함하는 검출 소자
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2
제1항에 있어서, 상기 보호 매질층은,
상기 유체가 흐를 수 있도록 도관 형태의 폐쇄 경로를 형성한 것을 특징으로 하는 검출 소자
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3
제1항에 있어서, 상기 기저부는,
게이트 전극층; 및
상기 게이트 전극층 상에 형성되며, 상기 제1 전극, 제2 전극 및 반응 물질층 아래에 위치하는 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 검출 소자
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4
제3항에 있어서, 상기 절연층은,
유전체층인 것을 특징으로 하는 검출 소자
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5
제1항에 있어서, 상기 반응 물질층은,
유기 반도체층인 것을 특징으로 하는 검출 소자
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6
제1항에 있어서, 상기 보호 매질층은,
고분자 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 검출 소자
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7
제1항에 있어서, 상기 보호 매질층은,
PDMS 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 검출 소자
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8
유체 내의 특정 작용기에 반응하는 반응 물질층을 포함하는 하부판을 형성하는 단계;
전기적 특성을 측정하기 위한 제1 전극과 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극을 보호하는 보호 매질층을 포함하는 상부판을 형성하는 단계; 및
상기 상부판 및 하부판을 접합시키는 단계
를 포함하는 검출 소자의 제조 방법
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9
제8항에 있어서, 상기 상부판을 형성하는 단계는,
프레임 층 상에 상기 보호 매질층을 적층하는 단계;
상기 적층된 보호 매질층에 반응 공간 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 보호 매질층 상의 일부 영역에 상기 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 검출 소자의 제조 방법
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10
제8항에 있어서, 상기 상부판을 형성하는 단계는,
반응 공간 패턴을 위한 돌출부가 구비된 프레임 층 상에 상기 보호 매질층을 적층하는 단계; 및
상기 보호 매질층 상의 일부 영역에 전극을 형성하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 검출 소자의 제조 방법
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11
제8항에 있어서, 상기 상부판 및 하부판을 접합시키는 단계는,
라미네이션 공법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 검출 소자의 제조 방법
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12
제11항에 있어서, 상기 하부판을 형성하는 단계는,
게이트 전극층을 형성하는 단계;
상기 게이트 전극층 상에 절연층을 형성하는 단계; 및
상기 절연층 상의 일부 영역에 상기 반응 물질층을 형성하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 검출 소자의 제조 방법
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13
제11항에 있어서, 상기 보호 매질층은,
PDMS층인 것을 특징으로 하는 검출 소자의 제조 방법
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14
제11항에 있어서, 상기 반응 물질층은,
유기 반도체층인 것을 특징으로 하는 검출 소자의 제조 방법
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