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삭제
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하나 이상의 안티퓨즈 셀로 이루어져, 메모리 블럭에 데이터를 쓰기, 삭제 및 수정할 때, 상기 메모리 블럭의 사용 상태를 표시하는 상태 지시 장치에 있어서,
상기 메모리 블럭이 프로그램될 때 함께 프로그램되는 제1 안티퓨즈 셀; 및
상기 메모리 블럭에 저장된 데이터가 유효하지 않은 경우에 프로그램되는 제2 안티퓨즈 셀;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로그래머블 비휘발성 메모리의 상태 지시 장치
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제2항에 있어서, 상기 상태 지시 장치는,
상기 제1,2 안티퓨즈 셀이 모두 프로그램되지 않은 경우에 상기 메모리 블럭이 사용하지 않는 메모리 블럭임을 나타내고, 상기 제1 안티퓨즈 셀은 프로그램되고 제2 안티퓨즈 셀은 프로그램되지 않은 경우에 상기 메모리 블럭이 프로그램되어 사용가능한 데이터가 저장되어 있음을 나타내고, 상기 제1,2 안티퓨즈 셀이 모두 프로그램된 경우에 상기 메모리 블럭에 저장된 데이터가 유효하지 않은 데이터임을 나타내는 것을 특징으로 하는 프로그래머블 비휘발성 메모리의 상태 지시 장치
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제2항에 있어서, 상기 메모리 블럭은,
메모리 셀로 동작하는 하나 이상의 안티퓨즈 셀의 일단을 동일한 워드 라인에 연결하고, 그 타단을 각각의 대응하는 비트 라인에 연결하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 프로그래머블 비휘발성 메모리의 상태 지시 장치
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5
제4항에 있어서, 상기 상태 지시 장치는,
상기 제1,2 안티퓨즈 셀의 일단을 상기 메모리 블럭이 연결된 워드 라인에 연결하고, 타단을 상태 지시용으로 지정된 비트 라인에 각각 연결하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 프로그래머블 비휘발성 메모리의 상태 지시 장치
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제2항에 있어서, 상기 메모리 블럭은,
메모리 셀로 동작하는 하나 이상의 안티퓨즈 셀의 일단을 접지하고, 타단은 하나 이상의 유기물 반도체 트랜지스터에 각각 연결하며, 상기 하나 이상의 유기물 반도체 트랜지스터가 하나의 워드 라인에 인가된 전압에 의해 동시에 턴온 상태로 되어, 각각의 비트 라인에서 인가된 전압을 상기 연결된 하나 이상의 안티퓨즈 셀로 인가하도록 연결하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 프로그래머블 비휘발성 메모리의 상태 지시 장치
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7
제6항에 있어서, 상기 상태 지시 장치는,
상기 제1,2 안티퓨즈 셀의 일단을 접지하고, 타단을 제1,2 유기물 반도체 트랜지스터에 연결하며, 상기 제1,2 유기물 반도체 트랜지스터가 상기 메모리 블럭이 연결된 워드 라인에 인가된 전압에 의해 동시에 턴온 상태로 되어, 각각의 비트 라인에서 인가된 전압을 상기 연결된 하나 이상의 안티퓨즈 셀로 인가하도록 연결하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 프로그래머블 비휘발성 메모리의 상태 지시 장치
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하나 이상의 메모리 블럭에 각각 대응하여 상기 대응하는 메모리 블럭의 사용 상태를 표시하는 하나 이상의 제1 및 제2 안티퓨즈 셀을 포함하는 안티퓨즈 셀을 이용한 프로그래머블 비휘발성 메모리의 상태 지시 방법에 있어서,
상기 메모리로 데이터 쓰기 요청시, 제1 안티퓨즈 셀이 프로그램되지 않은 메모리 블럭에 데이터를 기록하면서, 상기 메모리 블럭에 대응하는 제1 안티퓨즈 셀을 프로그램하여, 상기 메모리 블럭에 유효한 데이터가 저장되어 있음을 표시하는 단계; 및
상기 기록된 데이터의 삭제 요청시, 상기 메모리 블럭에 대응하는 제2 안티퓨즈 셀을 프로그램하여, 상기 메모리 블럭이 유효하지 않음을 표시하는 단계를 포함하는 프로그래머블 비휘발성 메모리의 상태 지시 방법
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제8항에 있어서,
상기 메모리에 기록된 데이터의 수정 요청시, 상기 수정 요청된 데이터가 저장된 메모리 블럭에 대응하는 제2 안티퓨즈 셀을 프로그램하여, 상기 메모리 블럭이 유효하지 않음을 표시하는 단계; 및
제1 안티퓨즈 셀이 프로그램되지 않은 메모리 블럭에 수정된 데이터를 기록하고, 상기 메모리 블럭의 제1 안티퓨즈 셀을 프로그램하여, 상기 메모리 블럭이 유효함을 표시하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로그래머블 비휘발성 메모리의 상태 지시 방법
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