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실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015083549
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 동일한 패턴이 연속적으로 반복되는 형태로 실리콘 나노선을 형성함으로써, 실리콘 나노선에 프루브분자가 고정되는 면적이 넓어져 검출 감도를 높일 수 있는 것을 특징으로 한다. 또한, 종래와 같이 실리콘 나노선의 선폭을 조절하지 않고도 타겟분자의 특성에 따라 실리콘 나노선의 동일한 패턴간의 간격을 조절하는 것에 의해 검출 감도를 간단하게 조절할 수 있다. 또한, 실리콘 나노선의 동일한 패턴간의 간격을 조절하여 검출 감도를 각각 다르게 함으로써 다양한 감도를 동시에 검출할 수 있는 것을 특징으로 한다. 바이오 센서, 실리콘, 나노선
Int. CL G01N 33/53 (2011.01) G01N 33/544 (2011.01) G01N 33/48 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020070132575 (2007.12.17)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0065124 (2009.06.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.17)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백인복 대한민국 충북 청주시 흥덕구
2 양종헌 대한민국 대전 서구
3 안창근 대한민국 대전 유성구
4 유한영 대한민국 대전 유성구
5 아칠성 대한민국 대전 서구
6 박찬우 대한민국 대전 유성구
7 김안순 대한민국 대전 중구
8 김태엽 대한민국 서울 은평구
9 장문규 대한민국 대전 유성구
10 전명심 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2007-0907165-32
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.10.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.11.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0070649-17
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0396699-74
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2009.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0720916-19
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.12.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0801784-01
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0801756-22
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2010.04.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0156206-41
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.06.07 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2010-0364401-70
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.06.07 수리 (Accepted) 1-1-2010-0364361-31
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0483989-42
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판 상부에 형성된 소오스 전극 및 드레인 전극; 상기 소오스 전극 및 드레인 전극 사이에 동일한 패턴이 연속적으로 반복되는 형태로 형성된 실리콘 나노선; 및 상기 실리콘 나노선에 고정되어 외부로부터 주입되는 타겟분자와 반응하는 프루브분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서
2 2
제 1항에 있어서, 상기 실리콘 나노선의 상하 및 양측면에 상기 프루브분자가 고정되며, 상기 실리콘 나노선의 상하 및 양측면에서 상기 프루브분자와 타겟분자의 결합반응이 일어나는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서
3 3
제 1항에 있어서, 상기 실리콘 나노선의 동일한 패턴간의 간격에 따라 검출 감도가 변화되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서
4 4
제 1항에 있어서, 상기 실리콘 나노선의 선폭 및 동일한 패턴간의 간격은 상기 프루브분자와 반응하는 타겟분자의 특성에 따라 변화되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서
5 5
제 1항에 있어서, 상기 실리콘 나노선의 동일한 패턴간의 간격은 5 내지 200 nm인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서
6 6
제 1항에 있어서, 상기 실리콘 나노선의 동일한 패턴간의 간격이 서로 다른 경우, 적어도 하나 이상의 감도가 동시에 검출되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서
7 7
제 1항에 있어서, 상기 타겟분자를 주입하기 위한 유체관을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서
8 8
(a) 절연층 및 실리콘층이 순차적으로 형성된 반도체 기판 상부에 버퍼층을 형성하는 단계; (b) 리소그래피 공정을 통해 상기 버퍼층 상부에 전극 패턴 및 동일한 패턴이 연속적으로 반복되는 형태의 실리콘 나노선 패턴을 형성하는 단계; (c) 상기 전극 패턴 및 실리콘 나노선 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 버퍼층 및 실리콘층을 식각하는 단계; (d) 상기 전극 패턴 영역에 전극을 형성하는 단계; (e) 상기 실리콘 나노선 패턴 상부의 버퍼층을 제거하여 실리콘 나노선이 노출되도록 하는 단계; 및 (f) 상기 노출된 실리콘 나노선에 외부로부터 주입되는 타겟분자와 반응하는 프루브분자를 고정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서 제조 방법
9 9
제 8항에 있어서, 상기 (a) 단계에서, 상기 버퍼층은 질화막 또는 산화막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서 제조 방법
10 10
제 8항에 있어서, 상기 (b) 단계에서, 상기 전극 패턴 및 상기 실리콘 나노선 패턴은 전자빔 리소그래피, 나노 임프린트 또는 포토 리소그래피 중 어느 하나의 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서 제조 방법
11 11
제 8항에 있어서, 상기 (b) 단계에서, 검출 감도에 따라 상기 실리콘 나노선 패턴의 선폭 및 동일한 패턴간의 간격을 변화시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서 제조 방법
12 12
제 8항에 있어서, 상기 (b) 단계에서, 상기 프루브분자와 반응하는 타겟분자의 특성에 따라 상기 실리콘 나노선 패턴의 선폭 및 동일한 패턴간의 간격을 변화시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서 제조 방법
13 13
제 8항에 있어서, 상기 (b) 단계에서, 상기 실리콘 나노선 패턴의 동일한 패턴간의 간격은 5 내지 200 nm인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서 제조 방법
14 14
제 8항에 있어서, 상기 (a) 단계 이후 및 (b) 단계 이전에, 포토 리소그래피 공정을 통해 상기 실리콘 나노선이 형성될 영역의 버퍼층을 식각하여 상기 실리콘 나노선이 형성될 영역의 실리콘층을 노출하는 제1 단계; 및 식각 공정 또는 열산화 공정을 통해 상기 실리콘 나노선이 형성될 영역의 실리콘층의 두께를 감소시키는 제2 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서 제조 방법
15 15
제 8항에 있어서, 상기 (d) 단계에서, 리소그래피 공정을 통해 상기 실리콘 나노선 패턴을 보호하는 보호 레지스트 패턴을 형성하는 제1 단계; 상기 전극 패턴 영역에 이온을 주입하는 제2 단계; 상기 보호 레지스트 패턴을 제거하는 제3 단계; 상기 전극 패턴 영역에 오믹 콘택을 형성하기 위한 열처리를 수행하는 제4 단계; 및 리소그래피 공정을 통해 상기 전극 패턴 영역의 버퍼층을 제거하고 금속 전극을 형성하는 제5 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서 제조 방법
16 16
제 8항에 있어서, 상기 타겟분자를 주입하기 위한 유체관을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20090152598 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2009152598 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 정보통신부 및 정보통신연구진흥원 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 유비쿼터스 건강관리용 모듈 시스템