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캐소드 기판 상에 간격을 두고 형성되는 다수 개의 데이터 전극;
상기 데이터 전극 상에 형성되며 소정 개수마다의 상기 데이터 전극을 노출시키는 노출 영역을 갖는 절연층;
상기 절연층 상에 형성되며 상기 노출 영역을 통하여 상기 데이터 전극과 전기적으로 연결되는 캐소드 전극; 및
상기 캐소드 전극 상에 형성되는 적어도 하나의 전계 에미터
를 포함하되,
전기적으로 서로 분리된 상기 캐소드 전극을 기준으로 각각의 캐소드 블록이 정의되고, 상기 노출 영역을 통하여 상기 캐소드 전극과 상기 데이터 전극이 일 대 일로 서로 대응되어 전기적으로 연결되며, 상기 다수개의 데이터 전극 중 어느 하나를 통하여 전류가 입력되면 오직 하나의 캐소드 전극에만 전류가 유입되어 각각의 상기 캐소드 블록 단위로의 휘도 조절이 가능한
전계 방출형 백라이트 유닛의 캐소드 구조물
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2
제 1항에 있어서,
상기 데이터 전극은 투명한 도전성 물질로 이루어진
전계 방출형 백라이트 유닛의 캐소드 구조물
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3
제 2항에 있어서,
상기 투명한 도전성 물질은 ITO, IZO, ITZO 및 CNT 중 어느 하나인
전계 방출형 백라이트 유닛의 캐소드 구조물
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제 1항에 있어서,
인접하는 상기 각각의 캐소드 블록이 전기적인 분리가 되도록 상기 절연층 상에 상기 캐소드 전극이 미형성된 분리 영역을 포함하는
전계 방출형 백라이트 유닛의 캐소드 구조물
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5
제 1항에 있어서,
상기 캐소드 전극은 빛을 차단할 수 있는 도전성 물질로 이루어진
전계 방출형 백라이트 유닛의 캐소드 구조물
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제 1항에 있어서,
상기 전계 에미터는 탄소 나노 튜브, 탄소 나노 섬유 및 탄소계 합성 물질 중 어느 하나로 이루어진
전계 방출형 백라이트 유닛의 캐소드 구조물
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(a) 투명한 기판 상에 블록 단위의 휘도 조절을 위한 캐소드 블록을 정의하는 단계;
(b) 각각의 상기 캐소드 블록 상에 서로 간격을 갖는 다수 개의 데이터 전극을 형성하는 단계;
(c) 각각의 상기 캐소드 블록에 형성된 어느 하나의 데이터 전극을 노출시키는 노출 영역을 갖도록 절연층을 형성하는 단계;
(d) 상기 절연층 상에 서로 간격을 갖는 다수 개의 캐소드 전극을 형성하되, 상기 다수 개의 캐소드 전극 중 어느 하나의 캐소드 전극은 상기 노출 영역을 통하여 상기 데이터 전극과 전기적으로 연결되도록 형성하는 단계;
(e) 상기 캐소드 블록을 전기적으로 분리시키기 위한 분리영역을 제외하고 상기 캐소드 전극이 형성된 구조물 상에 에미터 페이스트를 도포하는 단계; 및
(f) 상기 기판의 하면에서 자외선을 조사한 후 현상하는 단계
를 포함하는 전계 방출형 백라이트 유닛의 캐소드 구조물 제조 방법
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간격을 두고 서로 대향 배치되는 상부 기판 및 하부 기판;
상기 상부 기판 상에 형성된 아노드 전극 및 형광층;
상기 상부 기판과 상기 하부 기판 사이에 위치하여 전계 에미터로부터 전자 방출을 유도하며, 상기 방출된 전자가 통과할 수 있는 개구부가 형성된 금속 게이트 기판;
상기 하부 기판 상에 간격을 두고 형성되는 다수 개의 데이터 전극;
상기 데이터 전극 상에 형성되며 소정 개수마다의 상기 데이터 전극을 노출시키는 노출 영역을 갖는 절연층;
상기 절연층 상에 형성되며 상기 노출 영역을 통하여 상기 데이터 전극과 전기적으로 연결되는 캐소드 전극; 및
상기 캐소드 전극 상에 형성되는 적어도 하나의 전계 에미터
를 포함하되,
전기적으로 서로 분리된 상기 캐소드 전극을 기준으로 각각의 캐소드 블록이 정의되고 상기 데이터 전극을 통하여 입력되는 전류에 의하여 각각의 상기 캐소드 블록의 휘도 조절이 가능한
전계 방출형 백라이트 유닛
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제 8항에 있어서,
상기 하부 기판과 상기 금속 게이트 기판의 사이 및 상기 상부 기판과 상기 금속 게이트 기판의 사이에 각각 형성된 절연체 스페이서
를 더 포함하는 전계 방출형 백라이트 유닛
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10
제 9항에 있어서,
상기 절연체 스페이서는 상기 노출 영역 상에 형성되는
전계 방출형 백라이트 유닛
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