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1
기판부;
상기 기판부 상에 서로 이격되어 형성된 계단형상의 전극들; 및
상기 기판부 상에 상기 전극들 사이에 단층으로 형성된 다공성 금속 산화막
을 포함하는 가스 센서
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2
제1항에 있어서, 상기 전극들은,
상기 기판부의 평면에 대하여 단차를 가지는 계단 형상인 것을 특징으로 하는 가스 센서
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3
제1항에 있어서, 상기 다공성 금속 산화막은,
다수 개의 구형 고분자 비드 입자들이 상기 전극들 사이에 단일 평면으로 배열된 형태의 고분자 비드 구조물을 제거하여 형성하는 것을 특징으로 하는 가스 센서
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4
제3항에 있어서, 상기 고분자 비드 입자들은,
100nm이상 700nm 이하의 직경을 가지는 것을 특징으로 하는 가스 센서
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5
제1항에 있어서, 상기 기판부는,
지지 기판;
상기 지지 기판 상면에 형성된 절연층; 및
상기 지지 기판과 절연층 사이에 삽입된 전열부
를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 센서
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6
제1항에 있어서, 상기 전극들은
그 간격이 10mm 이상 100mm 이하이고, 그 높이가 100nm 이상 300nm 이하인 것을 특징으로 하는 가스 센서
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7
기판부를 형성하는 단계;
상기 기판부 상에 서로 이격된 전극들을 형성하는 단계;
상기 기판부 상에 상기 전극들 사이에 단층으로 고분자 비드 구조물을 형성하는 단계;
상기 고분자 비드 구조물 상면을 금속 산화물로 코팅하는 단계; 및
상기 고분자 비드 구조물을 열처리하여 제거하는 단계
를 포함하는 가스 센서의 제조 방법
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8
제7항에 있어서, 상기 기판부 형성 단계는,
지지 기판을 형성하는 단계;
상기 지지 기판의 상면에 전열부를 형성하는 단계; 및
상기 전열부 및 지지 기판 상면에 절연층을 형성하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조 방법
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9
제7항에 있어서, 상기 전극들을 형성하는 단계는,
상기 기판부에 제1 전극부를 증착하는 단계; 및
상기 제1 전극부 상에 상기 제1 전극부보다 폭이 좁은 제2 전극부를 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조 방법
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10
제7항에 있어서, 상기 고분자 비드 구조물을 형성하는 단계는,
고분자 비드 입자들을 상기 기판부 상에 도포하는 단계;
상기 기판을 1차 회전(spin)시키는 단계; 및
상기 1차 회전보다 고속으로 상기 1차 회전보다 짧은 시간 동안, 상기 기판을 2차 회전시키는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조 방법
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11
제10항에 있어서, 상기 고분자 비드 입자들을 도포하는 단계는,
상기 기판에 친수성 표면을 형성하는 단계; 및
상기 기판을 고분자 비드 입자들을 함유한 콜로이드 용액에 적시는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조 방법
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12
제10항에 있어서, 상기 1차 회전 단계에서는,
회전속도가 300RPM 이상 500RPM 이하 이며, 회전 시간은 5분 이상 10분 이하인 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조 방법
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13
제10항에 있어서, 상기 2차 회전 단계에서는,
회전속도가 1000RPM 이상 3000RPM 이하 이며, 회전 시간은 25초 이상 35초 이하인 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조 방법
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14
제11항에 있어서, 상기 고분자 비드 입자들은,
100nm이상 700nm 이하 크기의 구형인 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조 방법
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